1月31日晚，英偉達CEO執(zhí)行長黃仁勛開設(shè)“兆元宴”，宴請臺廠 AI 供應(yīng)鏈大佬。黃仁勛強調(diào)說：“臺積電今年必須非常努力，因為我需要大量的晶圓和 CoWaS 產(chǎn)能，他們做得非常好。我們目前正全力投入 Grace Blackwell 生產(chǎn)，也在量產(chǎn) Vera Rubin，其中 Vera Rubin 是由 6 款不同的芯片組成，這些芯片每顆都是世界上最先進的芯片，臺積電做得非常好，他們非常非常努力，我們今年的需求量非常龐大?！?/p>

他指出，未來10年，臺積電的產(chǎn)能可能增加超過100%，下個10年是非?？捎^的投資，巨大的規(guī)模擴張，這將是人類歷史上最大的一筆基礎(chǔ)建設(shè)投資和擴張，不只是翻倍，光是供應(yīng)英偉達，臺積電提供的產(chǎn)能就必須超過2倍。

此外，針對HBM的供應(yīng)，黃仁勛稱，我們今年需要大量的存儲，特別是需要 HBM 提升效能，為了低功耗我們需要 LPDDR，因為 AI 必須要有內(nèi)存，智能需要有內(nèi)存，因此我們需要大量的記億體。面對內(nèi)存缺貨，他認為今年整個供應(yīng)鏈都充滿挑戰(zhàn)，因為需要量巨大，供應(yīng)每年成長100%，但是需要成長的更快。

近日，國際調(diào)研機構(gòu)Counterpoint報告顯示，存儲市場已進入“超級牛市”階段，當前行情甚至超越了 2018 年的歷史高點。在 AI 與服務(wù)器容量需求持續(xù)激增的推動下，供應(yīng)商議價能力已達到歷史最高水平。黃仁勛對HBM的預(yù)測，也反映在存儲大廠的財報中。最近，國際存儲大廠三星、SK海力士、閃迪相繼發(fā)布財報，顯示整個市場暢旺的情況,。

SK海力士：AI存儲大爆發(fā)，HBM產(chǎn)品和DDR5推動營收暴增

1月29日，韓國內(nèi)存芯片制造商SK海力士發(fā)布截止2025年12月31日的2025財年及第四季度財務(wù)報告。年度收入和季度收入都創(chuàng)出了新高。

從披露的數(shù)據(jù)現(xiàn)實， 2025財年SK海力士營業(yè)收入為97.1467萬億韓元（換算成美元，達到683億美元），營業(yè)利潤為47.2063萬億韓元（約332億美元，2300億人民幣），營業(yè)利潤率為49%，凈利潤為42.9479萬億韓元（凈利潤率為44%）。

相比2024財年，2025財年SK海力士營收暴增30萬億韓元，營業(yè)利潤增長23.739萬億韓元，利潤率直接來到49%，營業(yè)利潤均創(chuàng)新高。

財報指出四大亮點：

1、SK海力士稱，公司第四季度業(yè)績增長勢頭顯著。不僅HBM需求旺盛，面向服務(wù)器的通用存儲器需求也大幅增加，公司積極應(yīng)對其需求，創(chuàng)下了季度歷史最佳業(yè)績。公司2025財年第四季度營收為32.8267萬億韓元，環(huán)比增長34%，營業(yè)利潤為19.1696萬億韓元，環(huán)比增長68%，營業(yè)利潤率達58%，三項指標均刷新歷史記錄。

2、在DRAM業(yè)務(wù)領(lǐng)域，公司的HBM銷售額同比增長逾一倍，成為創(chuàng)下歷史最高業(yè)績的核心動力。通用DRAM方面，公司已正式量產(chǎn)第六代10納米級（1c）DDR5 DRAM，并成功開發(fā)基于第五代10納米級（1b）32Gb單片的業(yè)界最高容量256GB服務(wù)器DDR5 RDIMM模塊，進一步鞏固在服務(wù)器模塊市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

3、在NAND閃存業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在上半年需求疲軟之際，SK海力士完成了321層QLC產(chǎn)品研發(fā)，下半年通過應(yīng)對企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）為主的需求，創(chuàng)下了年度銷售額歷史新高。

公司預(yù)計，隨著AI市場從訓(xùn)練向推理轉(zhuǎn)型，分布式架構(gòu)的需求將持續(xù)擴大，存儲器的重要性也將進一步凸顯。不僅HBM等高性能存儲器需求增長，面向服務(wù)器的DRAM和NAND閃存等整體需求也將同步擴大。

4、新品和量產(chǎn)體系持續(xù)，擴大客戶合作機會。SK海力士作為可以同時穩(wěn)定供應(yīng)HBM3E和HBM4的廠商，將依托客戶信賴，持續(xù)強化技術(shù)優(yōu)勢、產(chǎn)品可靠性與量產(chǎn)能力。尤其在去年9月全球率先構(gòu)建HBM4量產(chǎn)體系后，目前正在量產(chǎn)客戶所要求的產(chǎn)量。

SK 海力士強調(diào)，其在高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的關(guān)鍵地位，已為英偉達Blackwell AI 平臺供應(yīng) HBM3E，未來也將支持即將推出的 Rubin 平臺，提供新一代 HBM4 產(chǎn)品，持續(xù)深化在 AI 供應(yīng)鏈中的角色。

在通用DRAM方面，SK海力士計劃將加速推進1c工藝轉(zhuǎn)換，擴大面向AI的SOCAMM2、GDDR7等存儲器產(chǎn)品組合。在NAND閃存方面，將通過轉(zhuǎn)向321層堆疊技術(shù)最大化產(chǎn)品競爭力，同時利用Solidigm的QLC企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD，enterprise SSD），積極滿足面向AI數(shù)據(jù)中心的存儲器需求。

三星電子：Q4凈利潤大增3倍，凈利潤和營收創(chuàng)歷史新高

1月29日，全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子發(fā)布了2025年第四季度（截至12月31日）以及2025年全年業(yè)績。三星電子公布Q4營業(yè)利潤同比激增超三倍，創(chuàng)下歷史新高且超出分析師預(yù)期，受存儲芯片供應(yīng)短缺以及人工智能服務(wù)器需求強勁的利好推動，公司股價當日上漲 2.4%。

具體來看，三星2025年第四季度營收為93.8萬億韓元（約655.8億美元），創(chuàng)歷史新高，較上年同期增長24%。當季公司營業(yè)利潤為20萬億韓元（約合139.8億美元），與其預(yù)期的20萬億韓元相符，較上年同期的6.49萬億韓元大幅增長208%。

三星財報披露，2025年第四季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)新高，盡管供應(yīng)能力有限，仍在擴大高帶寬內(nèi)存（HBM）銷量的同時，滿足了傳統(tǒng)動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的強勁市場需求，公司聚焦利潤提升核心目標，主要措施是加大高帶寬內(nèi)存（HBM）、服務(wù)器級第五代雙倍數(shù)據(jù)率內(nèi)存（DDR5）、企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）等高附加值產(chǎn)品的銷售力度，實現(xiàn)盈利能力提升。

該季度利潤不僅突破了三星 2018 年第三季度創(chuàng)下的 17.6 萬億韓元的長期紀錄，也與公司此前給出的 20 萬億韓元左右的業(yè)績指引完全吻合。2025年全年，公司實現(xiàn)營收333.6萬億韓元，營業(yè)利潤43.6萬億韓元，這個業(yè)績凸顯三星強大的定價能力。

在業(yè)績分析中，我們看到三星的芯片業(yè)務(wù)在第四季度營業(yè)利潤達到新高，為16.4萬億韓元，較量去年同期飆升470%。三星手機的營業(yè)利潤則降到1.9萬億韓元，公司表示未來手機業(yè)務(wù)將面臨不斷上升的成本壓力。三星的顯示業(yè)務(wù)達到2萬億韓元，主要得益于大客戶蘋果iPhone17系列的強勁銷售。

三星預(yù)測，2026年公司的盈利能力進一步增長。三星預(yù)測，2026年人工智能熱潮預(yù)計將持續(xù)發(fā)酵，推動全行業(yè)市場環(huán)境向好，三星將計劃量產(chǎn)交付 HBM4 產(chǎn)品，其中包含業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 11.7Gbps 規(guī)格型號。

整體來看，這一波內(nèi)存與半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)的財報來看，AI 驅(qū)動需求成為主軸，供需結(jié)構(gòu)偏緊，定價能力回到廠商手中，資本支出重新擴張，押注長期需求，同時，現(xiàn)金流與獲利質(zhì)量改善。