我國第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來已久，但受制于技術(shù)等因素，市場始終不慍不火。然而今年市場出現(xiàn)明顯改觀，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，諸如天和通訊、吳越半導(dǎo)體分別投資60億元和37億元用于GaN的全產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，博方嘉芯、華通芯電投資25億元和29億元投入GaN射頻建設(shè)當(dāng)中。

不過，當(dāng)前第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用大多處在研發(fā)階段，尚未形成量產(chǎn)化，因此SiC處在爆發(fā)式增長的前期。據(jù)Yole預(yù)測，2017年至2023年，SiC的復(fù)合年增長率將達(dá)到31%，到2023年，其市場規(guī)模約為15億美元。在該領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商對于SiC的研究起步時間與國外廠商差距較小，差距尚無第一、第二代半導(dǎo)體顯著。因此，國產(chǎn)廠商有望追上國外企業(yè)，逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

與此同時，Global Market Insights數(shù)據(jù)顯示，GaN與SiC功率器件市場在2025年將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增速達(dá)到30%。半導(dǎo)體區(qū)別于其它材料的主要特性是帶隙能，而GaN提供的帶隙能是Si的3倍，更高的帶隙意味著較高溫度下的更佳性能電壓，因此，GaN將會成為Si的理想替代品。隨著上述設(shè)備在光伏逆變器、混合動力和電動汽車、UPS和其他電力應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用，該市場已經(jīng)初步顯現(xiàn)。

因此，為了讓投資者更充分了解第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，12月17日（周四）15:30，邀請到方正證券科技行業(yè)首席分析師陳杭做客第二十四期“開講”，帶來以《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析》為主題的精彩演講。
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