有市場消息傳出，臺積電正擴大采購買氮化鎵相關半導體設備，6英寸廠內相關產能將翻倍。

自去年開始就陸續(xù)有消息傳出，臺積電看好化合物半導體領域，將與國外大廠合作進軍此領域，尤其是氮化鎵晶圓。魏哲家當初表示，氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性，適合用在高頻半導體，而臺積電在氮化鎵制程技術上已有所進展，符合客戶要求，看好未來氮化鎵應用前景。如今，小批量生產正在擴大。

臺積電目前是提供6英寸硅基氮化鎵晶圓代工服務，且在結盟意法半導體后，又與納微半導體進行合作，先進功率氮化鎵解決方案正陸續(xù)開發(fā)，預期能搶攻目前最熱門的電動車市場商機。作為一種寬禁帶半導體材料，氮化鎵運作將比硅元件快上20倍，應用在充電器上，將可使速度快3倍，但卻能大幅縮小體積與重量。雖然氮化鎵還不能用在制作如CPU等邏輯IC，主要是光電、通訊射頻及電源功率元件，但仍然相當重要，且造價并不便宜。

此類化合物半導體已被認為是第三代半導體，各國正積極投入生產及研究，還有如碳化硅等，具有耐高溫、耐高壓的特點，在電力電子系統(tǒng)上能有相當廣泛的應用，當然也包括電動車，所以除了手機快充外，目前投入化合物半導體的業(yè)者基本上都相當積極的想要打入電動車供應鏈。

此外，氮化鎵極其穩(wěn)定的化合物，堅硬和高熔點材料，熔點為 1700℃。具有高的電離度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度，且具有低導通損耗、高電流密度等優(yōu)勢。

通常用于微波射頻、電力電子、光電子三大領域。微波射頻包含了5G通信、雷達預警、衛(wèi)星通訊等應用；電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等應用；光電子方向包括了 LED、激光器、光電探測器等應用。

隨著5G到來，GaN在Sub-6GHz 宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元，這主要受電信基礎設施和國防兩個方向應用推動，衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率也做出了一定貢獻。

隨著新的基于GaN的有源電子掃描陣列（AESA）雷達系統(tǒng)的實施，基于GaN的軍用雷達預計將主導GaN軍事市場，從2018年的2.7億美元增長至2024年的9.77億美元，CAGR達 23.91％。

GaN射頻功率市場規(guī)模從2018年的200萬美元增長至2024年的10,460萬美元，CAGR達 93.38%，具有很大成長空間。

如臺灣地區(qū)的茂矽、漢磊科等也早已布局相關應用，搶先跨過技術門檻來爭搶市占，自去年Q4以來，車用電子急遽升溫，客戶訂單開始激增，目前產能都已滿載，價格當然也攀高，市場相當看好，甚至預期下半年客戶不會修正庫存，動能將持續(xù)，并一舉反虧為盈。

雖然這只是期望，但無論如何，化合物半導體市場正在擴大，將會是趨勢。據臺灣工研院報告，2025年就將成長到1780億美元，而相對來講投入的廠商仍少，但有的廠商已取得不錯的成果。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道，內容參考自建投證券、IT之家，轉載請注明以上來源。