電子工業(yè)中最持久的趨勢(shì)之一就是小型化。半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)強(qiáng)調(diào)減小電子元器件的尺寸，同時(shí)也需要顯著提高其性能。智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和平板電腦只是利用最新半導(dǎo)體技術(shù)的眾多設(shè)備中的幾個(gè)例子。然而，當(dāng)電子器件和設(shè)備尺寸縮小并且變得更緊湊時(shí)，可靠性就成了一個(gè)重要的問(wèn)題，如何抑制電噪聲或干擾的影響也成為了挑戰(zhàn)。因此，EMI抑制電容器在電子工業(yè)中也就發(fā)揮著更為重要的作用。

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

寬帶隙（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是市場(chǎng)上的創(chuàng)新半導(dǎo)體技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基器件相比，它們具有更高的效率和功率密度，并且可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率和惡劣的環(huán)境下工作。寬帶隙MOSFET和二極管的出現(xiàn)，減小了電子元器件的尺寸，更顯著提高了效率，特別適在移動(dòng)設(shè)備中應(yīng)用。在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，使用WBG半導(dǎo)體元器件可以實(shí)現(xiàn)更小的占板面積和更高的效率，同時(shí)在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更低的能量損耗。受益于PCB占位面積的減小，還帶來(lái)了其他關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，如可聽(tīng)噪聲的降低和無(wú)源元件的小型化。

但是，由于越來(lái)越多的電子器件集成到較小的封裝中，因此小型化的設(shè)備更容易受到電噪聲或干擾的影響。盡管在WBG設(shè)備中使用較高的頻率或可有助大大降低可聽(tīng)噪聲，但它會(huì)產(chǎn)生更多的高頻輻射，并且需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)才能滿(mǎn)足監(jiān)管機(jī)構(gòu)對(duì)輻射的要求。由于這些原因，EMI抑制電容器在電子工業(yè)中起著至關(guān)重要的作用，而且在關(guān)鍵的電氣和環(huán)境應(yīng)用中還需要更小型化的解決方案。

惡劣環(huán)境條件下工作的挑戰(zhàn)

使高電壓和高頻率的功率器件的尺寸最小化將面對(duì)兩個(gè)重要難題：更大的感應(yīng)噪聲和更大的熱損耗。

這些挑戰(zhàn)可能會(huì)對(duì)電子器件的可靠性和性能產(chǎn)生重大的影響。隨著尺寸變得更小，如何讓這些電子器件在惡劣環(huán)境條件工作下并能夠延長(zhǎng)其使用壽命，這是一個(gè)充滿(mǎn)挑戰(zhàn)的課題，如：

期望電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)承受更高的溫度和極端的熱沖擊循環(huán)。

在不同的現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境中，更小的太陽(yáng)能微型逆變器和智能電表的預(yù)期使用壽命長(zhǎng)達(dá)25年，更可以無(wú)需維修。

數(shù)據(jù)和通信系統(tǒng)的工作空間越來(lái)越?。ㄒ虼嗣科椒接⒊叩墓β拭芏纫蟾撸?，以提高電子基礎(chǔ)設(shè)施的效率。

金屬化聚丙烯薄膜技術(shù)在EMI抑制中的挑戰(zhàn)

在最新的EMI抑制膜技術(shù)發(fā)展中，制造商正在通過(guò)使用新材料和改進(jìn)電容器制造工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)膜元件的出色保護(hù)。這樣，產(chǎn)品可以承受惡劣的工作條件，否則則會(huì)降低其可靠性和性能。但是，在小型化的電容器中提高其高溫、高濕度和偏置（THB）條件下的可靠性水平可能會(huì)很具有挑戰(zhàn)性。

金屬化聚丙烯薄膜技術(shù)（MKP）由于其出色的每微米高電壓以及超低、穩(wěn)定的耗散因子功能，是目前應(yīng)用于電容器抑制EMI的主要方案之一。另外最重要的是，與其他薄膜電介質(zhì)技術(shù)相比，它還具有更佳的自修復(fù)特性。然而，當(dāng)施加交流或直流電壓時(shí)，高溫和高濕組合環(huán)境條件通常會(huì)對(duì)MKP材料產(chǎn)生巨大影響，從而導(dǎo)致電容器的加速退化并可能引發(fā)潛在的災(zāi)難性故障——其原因是鋅金屬化中的電化學(xué)腐蝕現(xiàn)象。

圖1：施加的電壓會(huì)驅(qū)動(dòng)電化學(xué)電池中的反應(yīng)。腐蝕速率與溫度，濕度和電壓偏差成正比。

如何確定EMI抑制薄膜容器的可靠性

電子行業(yè)中有源和無(wú)源元器件公認(rèn)的加速壽命測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是溫度濕度偏壓（THB）測(cè)試，該測(cè)試條件是在交流或直流偏置條件下，工作溫度85°C，相對(duì)濕度85％。多年依賴(lài)，各個(gè)行業(yè)（包括汽車(chē)、能源、消費(fèi)和工業(yè)）的設(shè)計(jì)人員都使用此測(cè)試，來(lái)確定其最終產(chǎn)品在惡劣氣候條件下是否具有長(zhǎng)達(dá)25年工作的可靠性。最近，THB測(cè)試已被認(rèn)為是EMI抑制薄膜容器的IEC標(biāo)準(zhǔn)。

下表是根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)的不同溫度濕度偏置（THB）測(cè)試的條件：

表1：60384-14 標(biāo)準(zhǔn)， 有關(guān)測(cè)試固定電容器的等級(jí)條件

工程師為了確保其產(chǎn)品通過(guò)THB評(píng)估和EMI認(rèn)證，可能會(huì)遇到一些挑戰(zhàn)。

例如，為了獲得所需的技術(shù)，在已經(jīng)元器件密集的電路中，還要想辦法加入多個(gè)EMI抑制電容器。又如下面的電路設(shè)計(jì)示例，在有限的電路板空間內(nèi)還要考慮更高的功率要求，該電路設(shè)計(jì)中用于EMI抑制電容器X2和Y2的空間十分有限。

圖2：在PCB面積有限的極端設(shè)計(jì)示例， 電路中采用了WBG元器件以實(shí)現(xiàn)高能量密度的電源設(shè)計(jì)

安規(guī)電容小型化的挑戰(zhàn)與解決方案

EMI抑制電容器本身的某些限制，與其使用的薄膜質(zhì)量及其周邊灌封的保護(hù)材料相關(guān)。環(huán)氧樹(shù)脂的用量和類(lèi)型、用于灌封電容器周邊的環(huán)氧樹(shù)脂，以及封裝電容器殼體的材料和厚度，對(duì)于產(chǎn)品的可靠性至關(guān)重要。此外，在制造較小電容值的電容器時(shí)，還存在機(jī)械性挑戰(zhàn)；在制造電容器時(shí)，較低容值的電容器需要較少的薄膜和金屬化材料，這樣會(huì)使產(chǎn)品更容易因潮濕而損壞。

不少薄膜電容器的生產(chǎn)商正努力研發(fā)能夠應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的產(chǎn)品，例如KEMET的F863 X2系列，該技術(shù)滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的AEC-Q200規(guī)格，同時(shí)為迎合消費(fèi)者市場(chǎng)產(chǎn)品更緊湊的尺寸和更低的成本的要求，也提供了相應(yīng)的解決方案。KEMET的R52 系列也是很捧的EMI抑制解決方案，它能在惡劣環(huán)境下工作，并通過(guò)了最新的IEC-60384-14耐濕性測(cè)試，等級(jí)為IIB級(jí)。

EMI抑制薄膜電容器的選擇

本文小結(jié)

當(dāng)元器件和設(shè)備尺寸縮小并變得更緊湊時(shí)，如何抑制電噪聲或干擾的影響就成為了一項(xiàng)挑戰(zhàn)。正確的電容的選料有助于實(shí)現(xiàn)EMI抑制解決方案?；诮饘倩郾┍∧ぜ夹g(shù)的EMI抑制電容器具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。另外，還需要考慮符合THB測(cè)試要求，并通過(guò)了IEC-60384-14 IIB級(jí)耐濕性測(cè)試，因?yàn)檫@是一個(gè)確保電容器在嚴(yán)苛環(huán)境下仍有高可靠性性能表現(xiàn)的重要的指標(biāo)。

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