91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

熱阻相關(guān)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)介紹

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2021-10-09 17:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

從本文開始將會(huì)介紹熱阻數(shù)據(jù)。首先介紹熱阻相關(guān)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)和熱阻測(cè)試相關(guān)的內(nèi)容。

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)是一個(gè)推動(dòng)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)化的行業(yè)組織。半導(dǎo)體制造商以及電力電子領(lǐng)域的從業(yè)者不可避免地會(huì)涉及到很多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。作為大原則,無論熱相關(guān)的項(xiàng)目還是其他項(xiàng)目,其測(cè)試方法和條件等都要符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。其原因不言而喻:因?yàn)槿绻椒ê蜅l件各不不同,就無法比較和判斷好壞。

在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中,與“熱”相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)主要有兩個(gè):

JESD51系列:包括IC等的封裝的“熱”相關(guān)的大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

JESD15系列:對(duì)仿真用的熱阻模型進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。

JESD51系列中具有代表性的熱標(biāo)準(zhǔn)如下:

af1883f8-224c-11ec-82a8-dac502259ad0.png

點(diǎn)擊查看大圖

熱阻測(cè)試環(huán)境

JESD51-2A中規(guī)定了熱阻測(cè)試環(huán)境。以下是符合JESD51-2A的熱阻測(cè)試環(huán)境示例。

通過將測(cè)量對(duì)象置于亞克力箱內(nèi),使其處于Still Air(靜態(tài)空氣)狀態(tài),消除周圍大氣流動(dòng)的影響,測(cè)試對(duì)象處于自然空冷狀態(tài)。此外,通過始終將測(cè)試對(duì)象設(shè)置在同一位置,來確保測(cè)試的高再現(xiàn)性。

對(duì)于用來測(cè)試熱阻的電路板也有規(guī)定。

JESD51-3/5/7中規(guī)定了通常被稱為“JEDEC板”的電路板。下面是其中一個(gè)示例:

熱阻數(shù)據(jù)基本上要按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范來獲取,通常都明確規(guī)定了需要遵循的標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵要點(diǎn):

?熱阻數(shù)據(jù)需要按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范來獲取,通常都明確規(guī)定了需要遵循的標(biāo)準(zhǔn)。

?在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中,與“熱”相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)主要有以下兩個(gè):

-JESD51系列:包括IC等的封裝的“熱”相關(guān)的大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

-JESD15系列:對(duì)仿真用的熱阻模型進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。

?JESD51-2A中規(guī)定了熱阻測(cè)試環(huán)境。

?JESD51-3/5/7中規(guī)定了用來測(cè)試熱阻的電路板。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6078

    瀏覽量

    178450
  • 熱阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    121

    瀏覽量

    17383

原文標(biāo)題:R課堂 | 熱阻數(shù)據(jù):JEDEC標(biāo)準(zhǔn)及熱阻測(cè)量環(huán)境和電路板

文章出處:【微信號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán),微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    選導(dǎo)熱凝膠:材料與厚度匹配指南 |鉻銳特實(shí)業(yè)

    鉻銳特實(shí)業(yè)|東莞廠家|如何根據(jù)界面選擇導(dǎo)熱凝膠?從計(jì)算、BLT厚度、導(dǎo)熱系數(shù)匹配到施工性與長(zhǎng)期可靠性,一文帶你避開選材誤區(qū),讓器件溫升降低5-15℃。
    的頭像 發(fā)表于 03-09 00:09 ?26次閱讀
    <b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>選導(dǎo)熱凝膠:材料與厚度匹配指南 |鉻銳特實(shí)業(yè)

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)—— 結(jié)溫計(jì)算完整流程與工程實(shí)用方法

    承接前兩講:(一)穩(wěn)態(tài)Rth(二)熱容、瞬態(tài)Zth(t)、脈沖溫升這一講進(jìn)入真正工程化內(nèi)容:從器件datasheet→
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:21 ?75次閱讀
    功率器件<b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)—— 結(jié)溫計(jì)算完整流程與工程實(shí)用方法

    瞬態(tài)測(cè)試數(shù)據(jù)精度的影響因素分析之一——穩(wěn)態(tài)判定

    JEDEC-JESD51-14標(biāo)準(zhǔn)中提到:“First a constant heating current Ih shall be applied to the chip of the DUT
    的頭像 發(fā)表于 02-24 11:33 ?231次閱讀
    瞬態(tài)<b class='flag-5'>熱</b>測(cè)試數(shù)據(jù)精度的影響因素分析之一——<b class='flag-5'>熱</b>穩(wěn)態(tài)判定

    宏展科技北京淺談JEDEC半導(dǎo)體可靠度測(cè)試與規(guī)范

    淺談JEDEC半導(dǎo)體可靠度測(cè)試與規(guī)范說明:JEDEC半導(dǎo)體業(yè)界的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化組織,制定固態(tài)電子方面的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(半導(dǎo)體、記憶體),成立超過50年是一個(gè)全球性的組織,他所制訂的
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:46 ?223次閱讀
    宏展科技北京淺談<b class='flag-5'>JEDEC</b>半導(dǎo)體可靠度測(cè)試與規(guī)范

    芯片特性的描述

    (Thermal Resistance)表示熱量在傳遞過程中所受到的阻力,為傳熱路徑上的溫差與熱量的比值。根據(jù)傳熱方式的不同,又分為導(dǎo)熱熱
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:28 ?2054次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>熱</b>特性的<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>描述

    基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的閂鎖效應(yīng)測(cè)試方法

    作為半導(dǎo)體器件的潛在致命隱患,Latch Up(閂鎖效應(yīng))一直是電子行業(yè)可靠性測(cè)試的重點(diǎn)。今天,SGS帶你深入揭秘這個(gè)“隱形殺手”,并詳解國(guó)際權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JESD78F.02如何通過科學(xué)的測(cè)試方法,為芯片安全筑起堅(jiān)固防線。
    的頭像 發(fā)表于 10-22 16:58 ?1940次閱讀
    基于<b class='flag-5'>JEDEC</b><b class='flag-5'>標(biāo)準(zhǔn)</b>的閂鎖效應(yīng)測(cè)試方法

    IGBT 模塊接觸增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

    一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多因素影響,其中芯片表面平整度不容忽視。研究二者
    的頭像 發(fā)表于 09-01 10:50 ?1791次閱讀
    IGBT 模塊接觸<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

    技術(shù)資訊 I 導(dǎo)熱材料對(duì)的影響

    元件的。本文將簡(jiǎn)要解釋的概念,并介紹導(dǎo)熱材料的特性如何影響
    的頭像 發(fā)表于 08-22 16:35 ?922次閱讀
    技術(shù)資訊 I 導(dǎo)熱材料對(duì)<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>的影響

    DDR4堆疊模組的仿真案例分析

    在電子設(shè)備的散熱設(shè)計(jì)中,(Thermal Resistance)是一個(gè)至關(guān)重要的物理量,它定量描述了材料或系統(tǒng)對(duì)熱量傳遞的阻礙能力。從本質(zhì)上看,
    的頭像 發(fā)表于 08-18 11:10 ?3401次閱讀
    DDR4堆疊模組的<b class='flag-5'>熱</b>仿真案例分析

    深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——

    什么是即熱量?即熱量在熱流路徑上遇到的阻力,反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小,表明了1W熱量所引起的溫升大小,單位為℃/W或K/W??梢杂靡粋€(gè)類比來解釋,如果熱量相當(dāng)于電流,溫
    的頭像 發(fā)表于 07-17 16:04 ?592次閱讀
    深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>

    導(dǎo)熱材料亂象多,金鑒導(dǎo)熱系數(shù)/鑒定一統(tǒng)江湖

    眾所周知,隨著溫度升高,電子器件可靠性和壽命將呈指數(shù)規(guī)律下降。對(duì)于LED產(chǎn)品和器件來說,選用導(dǎo)熱系數(shù)和盡可能小的原材料是改善產(chǎn)品散熱狀況、提高產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。在LED產(chǎn)品中,經(jīng)常
    的頭像 發(fā)表于 06-11 12:48 ?622次閱讀
    導(dǎo)熱材料亂象多,金鑒導(dǎo)熱系數(shù)/<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>鑒定一統(tǒng)江湖

    LED封裝器件測(cè)試與散熱能力評(píng)估

    概念與重要性是衡量熱量在熱流路徑上所遇阻力的物理量,它反映了介質(zhì)或介質(zhì)間傳熱能力的強(qiáng)弱,具體表現(xiàn)為1W熱量引起的溫升大小,單位為℃/W或K/W??梢詫崃勘茸麟娏?,溫差比作電壓
    的頭像 發(fā)表于 06-04 16:18 ?880次閱讀
    LED封裝器件<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>測(cè)試與散熱能力評(píng)估

    MOSFET參數(shù)解讀

    MOSFET的(Rth)用來表征器件散熱的能力,即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力,單位是℃/W,其值越小越好。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:30 ?2274次閱讀
    MOSFET<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>參數(shù)解讀

    【產(chǎn)品介紹】Simcenter Micred T3STER SI:最新一代瞬態(tài)測(cè)試設(shè)備

    一、產(chǎn)品綜述SimcenterT3SterSI瞬態(tài)測(cè)試儀,是半導(dǎo)體熱特性測(cè)試儀器。它通過非破壞性地測(cè)試封裝好的半導(dǎo)體器件的電壓隨著時(shí)間的瞬態(tài)變化,快速地獲得準(zhǔn)確的,重復(fù)性高的結(jié)溫?zé)?b class='flag-5'>阻數(shù)據(jù)以及結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 05-15 12:17 ?1147次閱讀
    【產(chǎn)品<b class='flag-5'>介紹</b>】Simcenter Micred T3STER SI:最新一代瞬態(tài)<b class='flag-5'>熱</b>測(cè)試設(shè)備

    基于RCSPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的特性建模

    GaN Systems提供RC模型,使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的模擬。 模型基于有限元分析(FEA)模擬創(chuàng)建,并已由GaN Systems驗(yàn)證。 選擇了考爾(Cauer)
    的頭像 發(fā)表于 03-11 18:32 ?1733次閱讀
    基于RC<b class='flag-5'>熱</b><b class='flag-5'>阻</b>SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的<b class='flag-5'>熱</b>特性建模