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NP2301BMR 20V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源: 微雨問海棠 ? 作者: 微雨問海棠 ? 2022-07-11 11:04 ? 次閱讀
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描述

NP2301BMR采用了先進的溝槽技術(shù)

提供卓越的RDS(ON)

一般特征

,低柵極電荷和

工作電壓低至1.8V。這個設(shè)備

適合用作負載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

?VDS = -20 v, ID

R

= -2.4

R

DS(上)(Typ) = 86Ω@VGS = -4.5 v

DS(上)(Typ) = 110Ω@VGS

?高功率和電流處理能力

= -2.5 v

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負荷開關(guān)

?SOT-23-3L

poYBAGLLkj2AXabDAABp1OXxTX0283.png

訂購信息

poYBAGLLklyAPWxrAAA3VaVvQEs975.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLLkpGAX1CuAACb8fDc4i0578.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLLkt6AX5dPAAIeJ_yApxE839.png

熱特性

pYYBAGLLkwGAM4DqAABosf1XkN4476.png

A.將設(shè)備安裝在1in2fr -4板上,用2oz測量RθJA的值。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

助教

B.功耗PD是根據(jù)T計算的

= 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計。

J (MAX)

C.重復(fù)額定值,脈寬受結(jié)溫T的限制

=150°C,使用≤10s的結(jié)環(huán)境熱電阻。

J (MAX) = 150°C。額定值是基于低頻率和職責(zé)

審核編輯 黃昊宇

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