NP2301BVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
一般特征
NP2301BVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕
技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵
在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作
1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或
在PWM的應(yīng)用程序。
?VDS = -20 v, ID
R
= -2.4
R
DS(ON)(Typ.)= 86mΩ @VGS =-4.5V
DS(上)(Typ) = 110Ω@VGS
?高功率和電流處理能力
= -2.5 v
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開關(guān)
包
?SOT-23
訂購信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:
a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒
B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%
C.設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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