描述
NP2301FHR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕
技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵
在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作
1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)
或在PWM應(yīng)用中。
一般特征
?VDS = -20v, id = -3a
RDS(上)(Typ) = 90Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 130Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包
?ESOT-23-3L

訂購(gòu)信息

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

注:
a.表面安裝在FR4板上,t≤10秒
B.脈沖測(cè)試:脈寬≤300μs,占空比≤2%
C.設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)
熱特性

審核編輯 黃昊宇
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單片機(jī)
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MOSFET
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評(píng)論