NP9P03G 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
NP9P03G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON)
電荷。它可以用于各種各樣的
應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -30v, id = -30a
RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 18米Ω@VGS = -4.5 v
高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包
?- 252 - 2 - l
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
電特性(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
注:1:脈沖測(cè)試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
2:設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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