2022世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會在南京盛大開幕!本屆大會廣泛邀請了國內(nèi)外知名半導體企業(yè)以及產(chǎn)業(yè)、學術、科研、投資界代表出席，共同探討新環(huán)境、新業(yè)態(tài)下全球半導體產(chǎn)業(yè)，向全球業(yè)界呈現(xiàn)一場集行業(yè)交流、渠道聯(lián)動、資源聚合為一體的行業(yè)頂尖盛會，現(xiàn)場多家媒體進行線上線下同步直播。

大會圍繞“世界芯，未來夢”展開，邀請到了南京市人大常委會副主任、黨組副書記羅群，江蘇省工業(yè)和信息化廳副廳長池宇，中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長于燮康，中國歐盟商會南京分會董事會副主席單建華出席開幕式并致辭，美國信息產(chǎn)業(yè)機構(USITO)總裁Christopher Millward也通過視頻為大會遠程致辭。在創(chuàng)新峰會上發(fā)布了“2022年度集成電路市場與應用領先企業(yè)”和“2022年度集成電路優(yōu)秀產(chǎn)品與解決方案”等重磅獎項。森國科憑借極具核心競爭力的碳化硅功率器件產(chǎn)品榮獲“2021-2022年度中國半導體市場最佳碳化硅功率器件產(chǎn)品獎”。

得益于多年的產(chǎn)品研發(fā)沉淀與技術積累，森國科成為了國內(nèi)為數(shù)不多的可以獨立完成碳化硅芯片設計的企業(yè)之一，掌握了從器件原理、器件結構設計、器件性能模擬、器件的工藝設計、器件測試等全流程的技術。該款碳化硅MOSFET-KM040120R采用了業(yè)內(nèi)領先的第三代碳化硅芯片技術，具有高溝道遷移率低導通電阻的優(yōu)勢。

結構設計上，采用平面柵的結構，減小柵氧電場，進一步提升MOSFET的柵氧可靠性，提升器件的魯棒性能和長期可靠性;

工藝制程上進一步優(yōu)化，減小器件導通電阻，優(yōu)化正向?qū)〒p耗;

開關特性上，優(yōu)化了器件的layout布局和器件電容參數(shù)，可有效降低器件的開通損耗;

可靠性測試方面，嚴格按照工業(yè)級和車規(guī)級的可靠性測試要求進行，順利通過了1000小時的可靠性測試。

在代工流片上，森國科一直和X-FAB保持著良好的合作關系。X-FAB作為全球公認第一的擁有特色工藝的代工廠，在半導體制造領域有超過三十年的經(jīng)驗，擁有行業(yè)內(nèi)領先的6寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線，工藝穩(wěn)定，因而代工的器件品質(zhì)良率較高!截止到目前，雙方已合作量產(chǎn)的碳化硅功率器件可廣泛應用在快充、電源、光伏、儲能、新能源汽車等領域，擁有了超過200多家的客戶。

森國科一直秉承著開發(fā)最合適的功率器件的宗旨，滿足客戶多樣化的應用場景需求。未來，也將會不忘初心，專注于提升設計能力，不斷尋求突破技術壁壘，發(fā)揮工匠精神與創(chuàng)新精神，為更多消費級、工業(yè)級、車規(guī)級客戶帶來高質(zhì)量的功率器件產(chǎn)品，踐行全球?qū)崿F(xiàn)碳中和、碳達峰的偉大目標。

審核編輯：湯梓紅