近年來(lái)，「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來(lái)「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得其越來(lái)越貼近我們的生活。

業(yè)界一般把禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料稱之為寬帶隙半導(dǎo)體（Wide Band Gap Semiconductors）材料，也稱「第三代半導(dǎo)體」材料。相比較以Si（硅）、Ge（鍺）為代表的第一代半導(dǎo)體，「第三代半導(dǎo)體」可以承受更高功率、更高頻率，并且擁有更優(yōu)異的散熱性。

近年來(lái)，特別是在全球變暖的大環(huán)境下，低碳減排已然是大勢(shì)所趨，與此同時(shí)，5G通訊技術(shù)趨于成熟，而電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心與能源應(yīng)用也在大量落地和全面鋪開(kāi)，這使得以GaN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）為代表的「第三代半導(dǎo)體」已經(jīng)開(kāi)始在很多行業(yè)逐漸嶄露頭角。

其中，GaN（氮化鎵）主要應(yīng)用于光電器件和微波射頻器件，諸如4G / LTE基站的RF包絡(luò)跟蹤、自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和安全系統(tǒng)的光檢測(cè)和測(cè)距（激光雷達(dá)）系統(tǒng)等應(yīng)用，這些都是能夠充分發(fā)揮高速GaN（氮化鎵）器件性能優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用場(chǎng)景。與此同時(shí)，SiC（碳化硅）在高功率、高電壓電力電子應(yīng)用上性能優(yōu)異，能提供更高效率的電源轉(zhuǎn)換能力，帶來(lái)更好的節(jié)能效果，有望部分取代原本以硅為基礎(chǔ)的功率元件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、通訊、消費(fèi)電子、新能源交通等領(lǐng)域，特別是在延長(zhǎng)電動(dòng)車電池的續(xù)航力，被給予厚望。

既然第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)這么突出，那么你想不想認(rèn)識(shí)一些第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品？在本期視頻中，我們就跟著達(dá)爾聞妮姐來(lái)結(jié)識(shí)幾款——

看完了視頻，我們現(xiàn)在將視頻中介紹的幾款元器件及其相關(guān)技術(shù)資源總結(jié)如下，供大家參考：

LMG3410R050RWHT

具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的600V 50mΩ氮化鎵MOSFET

LMG341xR050 氮化鎵功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越了硅MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開(kāi)關(guān)損耗降低80%的零反向恢復(fù)特性，以及可降低 EMI 的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)特性使得該器件可支持諸如圖騰柱 PFC 之類的高功率密度、高效率拓?fù)洹?/p>

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Digi-Key零件編號(hào): 296-LMG3410R050RWHTTR-ND -卷帶（TR） 296-LMG3410R050RWHTCT-ND -剪切帶（CT） 296-LMG3410R050RWHTDKR-ND -Digi-Reel得捷定制卷帶

MASTERGAN1

高功率密度600V雙增強(qiáng)模式氮化鎵HEMT半橋驅(qū)動(dòng)器

MASTERGAN1 是一款先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)功率封裝，在半橋配置中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式 GaN 晶體管。集成功率 GaN 具有150mΩ的 RDS（ON）和650V漏源擊穿電壓，而嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)可由集成式自舉二極管輕松提供。

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Digi-Key零件編號(hào): 497-MASTERGAN1-ND

GAN041-650WSB

650V，35mΩ氮化鎵MOSFET，TO-247封裝

GAN041-650WSB 是一款650V，35mΩ TO-247封裝氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。結(jié)合Nexperia最新的高壓 GaN HEMT H2 技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù)，可提供卓越的可靠性和性能。

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Digi-Key零件編號(hào): 1727-GAN041-650WSBQ-ND

NTH4L040N120SC1

碳化硅MOSFET，N溝道，1200V，40mΩ，TO247?4L封裝

NTH4L040N120SC1碳化硅（SiC）MOSFET采用了一種全新技術(shù)，與硅器件相比，它提供了優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低ON阻值和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵電荷。因此，該器件的應(yīng)用可以為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)諸多好處，包括更高的效率、更快的工作頻率、更大功率密度、減少 EMI ，以及減小產(chǎn)品尺寸。

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Digi-Key零件編號(hào): 488-NTH4L040N120SC1-ND

E3M0280090D

碳化硅功率MOSFET，E系列汽車級(jí)N溝道增強(qiáng)型產(chǎn)品

Wolfspeed 公司發(fā)布了全新的E系列產(chǎn)品，這是一個(gè)強(qiáng)大的 SiC 半導(dǎo)體器件家族，用于電動(dòng)汽車（EV）和可再生能源市場(chǎng)，為車載汽車電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、車載充電、太陽(yáng)能逆變器和其他戶外應(yīng)用提供最高的可用功率密度和耐用性。

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Digi-Key零件編號(hào): E3M0280090D-ND

審核編輯：湯梓紅