隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。

編者按：

近年來(lái)，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。目前，從市場(chǎng)領(lǐng)域來(lái)看，寬禁帶半導(dǎo)體材料已于快充、新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。其中，氮化鎵主要面向PD電源類(lèi)居多，而碳化硅主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)領(lǐng)域。

但從使用情況來(lái)看，相比于其他材料，寬禁帶半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)占有率并沒(méi)有明顯突出。本期《對(duì)話》欄目以寬禁帶半導(dǎo)體為主題，邀請(qǐng)到行業(yè)的資深技術(shù)人員參與探討，分別從成本、研發(fā)進(jìn)展、產(chǎn)品性能等方面進(jìn)一步剖析寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。

對(duì)話問(wèn)題導(dǎo)覽：

1.據(jù)您了解，相比于其他材料，寬禁帶半導(dǎo)體材料目前的成本優(yōu)勢(shì)是否明顯?替代其他材料的情況如何?

2.目前，貴公司在寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)進(jìn)度如何?取得了哪些技術(shù)或市場(chǎng)突破?

3.在同應(yīng)用場(chǎng)景下，您認(rèn)為寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)的關(guān)鍵是什么?請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明原因。

4.與上游寬禁帶半導(dǎo)體供應(yīng)商合作中，有哪些問(wèn)題對(duì)您或貴公司產(chǎn)生了困擾?您有哪些建議?

5.下游應(yīng)用商經(jīng)常提到，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品工藝欠缺，會(huì)出現(xiàn)抗浪涌和穩(wěn)定性不足等情況。您對(duì)此有哪些比較好的看法或建議?

6.簡(jiǎn)要談?wù)剬捊麕О雽?dǎo)體整體的市場(chǎng)空間或發(fā)展趨勢(shì)。

對(duì)話嘉賓：

1.據(jù)您了解，相比于其他材料，寬禁帶半導(dǎo)體材料目前的成本優(yōu)勢(shì)是否明顯?替代其他材料的情況如何?

PI Doug Bailey：GaN和SiC器件廣泛用于大容量市場(chǎng)。例如在消費(fèi)領(lǐng)域，GaN是大功率、緊湊型充電器的首選，而SiC在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。經(jīng)濟(jì)性討論將更多地集中在系統(tǒng)成本而不是單個(gè)器件價(jià)格上。從這個(gè)角度看，寬禁帶半導(dǎo)體材料可以降低系統(tǒng)成本，因?yàn)槟軌蚴褂酶倩蝾~定耐壓更低的寬禁帶半導(dǎo)體器件替代傳統(tǒng)的硅器件。

當(dāng)然，在許多情況下，應(yīng)用要求的性能只有寬禁帶半導(dǎo)體器件才具備，因此成本是次要的，但也是重要的考慮因素。我們認(rèn)為器件價(jià)格不會(huì)成為客戶(hù)嘗試寬禁帶半導(dǎo)體器件的障礙。

氮矽科技柯威：目前業(yè)內(nèi)都比較看好氮化鎵在2023年可以達(dá)到與之前的硅基器件價(jià)格水平，之后甚至可以更有價(jià)格優(yōu)勢(shì)。相信具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)后的氮化鎵替代硅基器件只是時(shí)間問(wèn)題了。

硅動(dòng)力陳瀏陽(yáng)：基于硅襯底的GaN目前成本已經(jīng)逐步下降，在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中可以量產(chǎn)代替一些價(jià)格比較高的功率器件，比如超結(jié)MOS。

鎵未來(lái)張大江：寬禁帶半導(dǎo)體材料對(duì)于高壓器件有優(yōu)勢(shì)，比如說(shuō)650V MOS，采用硅平面工藝，其內(nèi)阻90%以上都來(lái)自于用于承受耐壓的外延層，因此需要非常大的晶圓面積來(lái)實(shí)現(xiàn)低內(nèi)阻低導(dǎo)通損耗。而采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，盡管材料成本/制造成本高于硅器件，但是晶圓面積縮小，總體成本能做到與硅器件相當(dāng)，而開(kāi)關(guān)性能改善數(shù)倍。電壓越高，寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)越明顯，對(duì)于耐壓900V以上器件，氮化鎵和碳化硅的成本明顯低于硅MOS。

努比亞陳可珠：氮化鎵剛剛興起的時(shí)候可能材料會(huì)貴，最早是納微推出，作為美國(guó)廠家，定價(jià)非常高，所以很多廠家因此望而卻步，那時(shí)候相差到七八倍以上?，F(xiàn)在價(jià)格基本上已經(jīng)與平面MOS持平，跟英飛凌等廠家比應(yīng)該還低一點(diǎn)，比國(guó)產(chǎn)的平面MOS可能會(huì)高一點(diǎn)，就在中間價(jià)位。

目前只要超過(guò)45W以上普通充電器基本上已經(jīng)在使用氮化鎵。現(xiàn)在唯一是，可能由于價(jià)格和環(huán)境溫度，傳統(tǒng)的適配器用得不多。因?yàn)榈壣岱矫孢€是會(huì)差一點(diǎn)。

康奈可田啟榮：寬禁帶半導(dǎo)體材料成本上還是高于幾倍，整體來(lái)說(shuō)替代率不是特別高，目前還在慢慢推廣的過(guò)程中。

航嘉馳源吳開(kāi)友：總體成本肯定是會(huì)有一定的差異。前期開(kāi)發(fā)投入的費(fèi)用比較大，但是對(duì)于我們來(lái)說(shuō)，從設(shè)計(jì)單到自有產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)還是有優(yōu)勢(shì)的。因?yàn)槟＝M研發(fā)后，在布板時(shí)接手了其他的材質(zhì)，可以繼承很多東西。

目前市場(chǎng)來(lái)講，大家都在這方面發(fā)力。100W以下的小功率電源，采用寬禁帶半導(dǎo)體材料會(huì)比較多，替換會(huì)快一點(diǎn)，因?yàn)樗哪涂箾_擊、穩(wěn)定的性能更優(yōu)。從產(chǎn)品的穩(wěn)定性來(lái)講，大功率電源暫時(shí)很少大批量地采用寬禁帶半導(dǎo)體材料。

比亞迪雷野：不明顯，價(jià)格相對(duì)來(lái)說(shuō)還是比較高。我們目前用的碳化硅比較多，性能上如果有需求要用到氮化鎵，我們是會(huì)用到的。寬禁帶半導(dǎo)體材料目前不存在替代，都是并行的，還是看應(yīng)用狀態(tài)，要考慮原則性和成本。行業(yè)不健全的話，我們應(yīng)用端也沒(méi)法大量的使用。我們?nèi)ヌ剿饕膊缓线m，買(mǎi)個(gè)樣品都很貴。

南京綠芯黃斌：價(jià)格大概高百分之二三十?，F(xiàn)在寬禁帶半導(dǎo)體材料替代其他材料才剛剛開(kāi)始。

愛(ài)仕特晏然：前半年是沒(méi)有優(yōu)勢(shì)的，像碳化硅的價(jià)格是硅材料的5~10倍。氮化鎵相對(duì)來(lái)說(shuō)成本會(huì)便宜一些，但碳化硅相對(duì)硅材料來(lái)說(shuō)是貴了很多。但是從功率器件來(lái)講，一片晶圓切割出來(lái)的同樣規(guī)格的產(chǎn)品比硅的數(shù)量要多很多，所以同樣規(guī)格的情況下，碳化硅器件的價(jià)格平均下來(lái)可能是硅的3~5倍。

目前材料替代主要是針對(duì)硅基的元器件，它達(dá)不到性能的情況下是可以替代的，但是如果僅僅從價(jià)格的角度來(lái)講，是沒(méi)有這種機(jī)會(huì)的。

瞻芯電子田俊龍：寬禁帶半導(dǎo)體材料對(duì)整個(gè)行業(yè)來(lái)說(shuō)還是偏貴。不光是從材料還是器件來(lái)說(shuō)，目前市面上大家都開(kāi)始在用，只是受限于價(jià)格原因，很多領(lǐng)域都還沒(méi)有大量使用。我估計(jì)未來(lái)3~5年之內(nèi)，可能降到IGBT兩倍左右的價(jià)格。

現(xiàn)在碳化硅沒(méi)有全面替代硅，只是部分在某些型號(hào)或某些電壓等級(jí)下，做了一些計(jì)劃。目前市場(chǎng)主要還是以硅為主，碳化硅只在汽車(chē)電子市場(chǎng)是主要的應(yīng)用場(chǎng)景，像其他的光伏、新能源、充電樁領(lǐng)域，可能有部分的應(yīng)用。

長(zhǎng)城科技陳濤：現(xiàn)在寬禁帶半導(dǎo)體材料成本沒(méi)有優(yōu)勢(shì)。因?yàn)椴煌?lèi)型的產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景不同，整體來(lái)說(shuō)，應(yīng)用在我們產(chǎn)品上還是很貴，交期也不好。我們主要是做開(kāi)關(guān)電源，除非是高精尖的產(chǎn)品才會(huì)去用新材料，普通的產(chǎn)品用不起，根本就沒(méi)必要用那么好的材料。

2.目前，貴公司在寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)進(jìn)度如何?取得了哪些技術(shù)或市場(chǎng)突破?

硅動(dòng)力陳瀏陽(yáng)：硅動(dòng)力長(zhǎng)期關(guān)注并看好寬禁帶半導(dǎo)體，2019年起與東南大學(xué)建立了寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，在高頻、高功率密度開(kāi)關(guān)電源控制技術(shù)和氮化鎵新型功率器件領(lǐng)域開(kāi)展技術(shù)合作。同時(shí)，多款能夠高效驅(qū)動(dòng)GaN的合封產(chǎn)品即將面世。

氮矽科技柯威：目前我司已經(jīng)在PD行業(yè)廣泛鋪開(kāi)，更同時(shí)推出多款基于平面變壓器的PD產(chǎn)品，并廣受好評(píng)。

鎵未來(lái)張大江：目前我們已經(jīng)有7個(gè)規(guī)格650V氮化鎵產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，覆蓋了33W~10kW電源應(yīng)用場(chǎng)景。另外900V的產(chǎn)品也通過(guò)了可靠性認(rèn)證。目前我們650V35mohm的產(chǎn)品已經(jīng)在3.6kW電源上批量出貨，月需求在4萬(wàn)顆以上，這是國(guó)內(nèi)氮化鎵電源批量出貨的最高功率等級(jí)。國(guó)內(nèi)其他氮化鎵友商批量出貨基本都是在200W功率等級(jí)以?xún)?nèi)。

PI Doug Bailey：Power Integrations已經(jīng)開(kāi)發(fā)出擁有專(zhuān)利的PowiGaN氮化鎵技術(shù)，行業(yè)分析機(jī)構(gòu)Yole Developpements在一份報(bào)告中將Power Integrations評(píng)定為今年最大的氮化鎵器件供應(yīng)商。目前，我們面向眾多應(yīng)用銷(xiāo)售基于GaN的IC產(chǎn)品，包括消費(fèi)類(lèi)USB充電器和適配器、LED照明、家電、手持電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車(chē)。今年，我們還推出了適合于電動(dòng)汽車(chē)的SiC產(chǎn)品。

我們的理念是銷(xiāo)售IC解決方案，使用戶(hù)能夠從GaN或SiC中受益，而無(wú)需學(xué)習(xí)寬禁帶半導(dǎo)體材料的新驅(qū)動(dòng)技術(shù)。我們負(fù)責(zé)處理所有技術(shù)問(wèn)題——在某些情況下，我們的客戶(hù)只需將Power Integrations傳統(tǒng)的二氧化硅器件替換為我們其中的一款GaN器件，隨即就能看到在效率和功率方面的改善。

康奈可田啟榮：目前公司在工藝上得到提升，部分產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

努比亞陳可珠：暫時(shí)沒(méi)有。因?yàn)槲覀兏⒅Z賽科是戰(zhàn)略合作，基本上他們也挺支持我們的，比如我們有什么需求，他們會(huì)給我們做一些定制。畢竟這個(gè)行業(yè)是新興行業(yè)，我們也沒(méi)有投入人力去做研發(fā)。

比亞迪雷野：我們只是有一些應(yīng)用，不算研發(fā)，主要還是用上游供應(yīng)商產(chǎn)品。

愛(ài)仕特晏然：愛(ài)仕特成立于2017年，目前經(jīng)過(guò)這幾年的發(fā)展，公司產(chǎn)品無(wú)論是從MOS管到模塊，再到整個(gè)電子驅(qū)動(dòng)都已經(jīng)成熟，而且已經(jīng)大批量出貨。目前跟比亞迪出貨量差不多，一年能達(dá)到近億的銷(xiāo)售額。目前工藝技術(shù)，我們用的是6寸的碳化硅晶圓，跟國(guó)外品牌幾乎保持同步的進(jìn)度。

3.在同應(yīng)用場(chǎng)景下，您認(rèn)為寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)的關(guān)鍵是什么?請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明原因。

努比亞陳可珠：我覺(jué)得還是價(jià)格問(wèn)題。雖然散熱的問(wèn)題沒(méi)解決，因?yàn)楝F(xiàn)在氮化鎵基本都用貼片式，如果價(jià)格真能打下來(lái)，做成插件的，和第二代的封裝一樣。如果國(guó)產(chǎn)的廠家布局越來(lái)越做越多，應(yīng)該價(jià)格是會(huì)下來(lái)的。因?yàn)橄M(fèi)類(lèi)的電子行業(yè)，產(chǎn)品基本上還是以性?xún)r(jià)比為主。

PI Doug Bailey：GaN只是一種比硅更好的開(kāi)關(guān)技術(shù)。它可以實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，且功耗更低。因此效率水平更高，功率密度可以更大。由于這些優(yōu)勢(shì)，GaN已經(jīng)成為許多應(yīng)用的首選，包括消費(fèi)電子、工業(yè)控制和照明。我們認(rèn)為，GaN技術(shù)將會(huì)更廣泛地運(yùn)用到各個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域。

氮矽科技柯威：氮化鎵的未來(lái)一定是需要所有產(chǎn)品共同努力慢慢推進(jìn)的，但每次打開(kāi)一個(gè)全新市場(chǎng)時(shí)，一定也會(huì)迎來(lái)一次爆發(fā)性的增長(zhǎng)。所以它的未來(lái)更多在于市場(chǎng)的需求和整體應(yīng)用器件在穩(wěn)定性上的慢慢提升。

鎵未來(lái)張大江：寬禁帶半導(dǎo)體在提高電源效率和功率密度方面具有顯著的優(yōu)勢(shì)，但是對(duì)于電源工程師來(lái)說(shuō)，大批量使用還是有不少顧慮：一個(gè)是驅(qū)動(dòng)的難度，氮化鎵和碳化硅往往會(huì)比硅器件驅(qū)動(dòng)線路更復(fù)雜，需要器件和IC廠商技術(shù)創(chuàng)新以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì);二是對(duì)于電源的可靠性還有一些擔(dān)憂，事實(shí)上還是電路設(shè)計(jì)的配合問(wèn)題，需要根據(jù)寬禁帶半導(dǎo)體廠商去指導(dǎo)客戶(hù)進(jìn)行電源設(shè)計(jì);三是成本，短期內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體器件成本還是高于硅器件的，當(dāng)然長(zhǎng)期來(lái)看，寬禁帶半導(dǎo)體器件成本會(huì)低于硅。

寬禁帶半導(dǎo)體器件想要彎道超車(chē)，首先器件廠商在應(yīng)用層面需要給予客戶(hù)足夠的指導(dǎo)，讓客戶(hù)享受到寬禁帶半導(dǎo)體器件帶來(lái)的性能提升，并且避免其電路設(shè)計(jì)缺陷帶來(lái)的可靠性問(wèn)題;其次隨著全世界碳排放目標(biāo)的收緊，電源效率會(huì)成為一部分行業(yè)的門(mén)檻，寬禁帶半導(dǎo)體器件會(huì)成為設(shè)計(jì)的剛需;最后，隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件出貨量的提升，規(guī)模化效應(yīng)開(kāi)始接近傳統(tǒng)硅器件，整體成本會(huì)低于硅器件，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅MOS的替換。

康奈可田啟榮：關(guān)鍵就是把頻率做到300k，EMC很好，然后內(nèi)阻做到20mΩ，完全可以貼在PCB上面，不用加散熱片，一塊PCB就可以搞定，這樣就會(huì)很容易超車(chē)。

航嘉馳源吳開(kāi)友：關(guān)鍵是要解決外界的大量沖擊和產(chǎn)品的穩(wěn)定性，不能炸機(jī)才是最主要的。因?yàn)槭褂秒娫磿r(shí)，會(huì)出現(xiàn)雷擊、高壓電動(dòng)、電量電壓突然跳閘等情況，沒(méi)辦法100%保證是穩(wěn)定的。一旦電源波動(dòng)比較大，更需要產(chǎn)品的保護(hù)能力和抗干擾能力。

比亞迪雷野：還是看市場(chǎng)需求和生產(chǎn)端的困惑。說(shuō)實(shí)話，現(xiàn)在所有的東西都不是瓶頸，就是錢(qián)是瓶頸。只有把這些東西做上來(lái)，其實(shí)有些東西不是不可以用，只是堆砌。碳化硅也沒(méi)有先進(jìn)到哪里去，首先要看權(quán)衡和應(yīng)用場(chǎng)景的問(wèn)題。

南京綠芯黃斌：一個(gè)是功率密度做得更高，一個(gè)是體積做得更小。如果這兩個(gè)維度都能夠達(dá)到，很可能會(huì)替代原來(lái)的一些材料，但只是針對(duì)部分的產(chǎn)品群體，不是所有的。

愛(ài)仕特晏然：目前最大的障礙可能是成本。目前其實(shí)有很多條路可以走，第一是可以從6寸晶圓上升到8寸晶圓。第二是襯底材料、加工生產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)化都可以降低成本。目前到未來(lái)的幾年，寬禁帶半導(dǎo)體還沒(méi)有像硅基器件那樣得到大規(guī)模的應(yīng)用，如果實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用的普及，總體成本一樣也會(huì)降低。

瞻芯電子田俊龍：在相同的電壓等級(jí)下，可能往后幾年成本大大降低，寬禁帶半導(dǎo)體材料會(huì)實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)，但就現(xiàn)在的成本，還做不到。

長(zhǎng)城科技陳濤：主要還是整體的成本降低，原材料供應(yīng)等方面都解決了，實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)肯定趨勢(shì)。寬禁帶半導(dǎo)體本身也是屬于領(lǐng)先一代的材料。

4.與上游寬禁帶半導(dǎo)體供應(yīng)商合作中，有哪些問(wèn)題對(duì)您或貴公司產(chǎn)生了困擾?您有哪些建議?

航嘉馳源吳開(kāi)友：主要是要解決他們的支撐工藝，比如常見(jiàn)抗浪涌、電源短路問(wèn)題。怎么去保護(hù)才是最重要的，保護(hù)完以后，能不能自恢復(fù)或者重新再換一個(gè)。

康奈可田啟榮：暫時(shí)也沒(méi)有太大問(wèn)題。內(nèi)阻取決于整個(gè)產(chǎn)品的發(fā)熱量，還是需要把管子內(nèi)阻做得更低，希望可以導(dǎo)通。

努比亞陳可珠：前面一開(kāi)始合作的時(shí)候，他們的不良率可能會(huì)有點(diǎn)高，現(xiàn)在應(yīng)該是可以接受了，而且那些莫名其妙的炸機(jī)問(wèn)題現(xiàn)在也沒(méi)有了。

比亞迪雷野：互相都有困擾，他們希望我們鎖定用量，但是我們希望他們鎖定產(chǎn)能。定量供應(yīng)不穩(wěn)定，也會(huì)直接影響到我們。這是行業(yè)的問(wèn)題，只是希望行業(yè)越來(lái)越健全，大家把市場(chǎng)做大。

5.下游應(yīng)用商經(jīng)常提到，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品工藝欠缺，會(huì)出現(xiàn)抗浪涌和穩(wěn)定性不足等情況。您對(duì)此有哪些比較好的看法或建議?

瞻芯電子田俊龍：碳化硅的優(yōu)勢(shì)很明顯，但是它有它的缺點(diǎn)，比如抗浪涌能力，所以它的驅(qū)動(dòng)比較麻煩。很多電路設(shè)計(jì)的特征、參數(shù)都需要被大量實(shí)踐或者受終端市場(chǎng)認(rèn)可。短期來(lái)看，新器件推出，肯定會(huì)受到很多的質(zhì)疑，有一些技術(shù)難點(diǎn)也沒(méi)有解決，但隨著以后技術(shù)的進(jìn)步以及大規(guī)模普及，這些問(wèn)題我覺(jué)得都是可以解決的。

南京綠芯黃斌：目前氮化鎵內(nèi)阻已經(jīng)做得非常小，看要不同的內(nèi)阻而已。只是氮化鎵抗浪涌能力比較差，還需要寬禁帶半導(dǎo)體材料不斷地升級(jí)，跟內(nèi)阻沒(méi)關(guān)系的。

愛(ài)仕特晏然：其實(shí)碳化硅器件在汽車(chē)上的使用時(shí)間已經(jīng)有很長(zhǎng)一段時(shí)間了，比如在特斯拉的model 3已經(jīng)得到大規(guī)模的應(yīng)用，說(shuō)明它的穩(wěn)定性還是非常不錯(cuò)的。它的使用確實(shí)跟硅基器件可能有點(diǎn)不太一樣，只是它是一個(gè)新的器件，可能很多人在使用的時(shí)候還不是那么有經(jīng)驗(yàn)。

但是目前單顆碳化硅器件已經(jīng)可以做到11mΩ，內(nèi)阻相當(dāng)小了。我們公司目前最低的已經(jīng)做到了15mΩ，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，12mΩ的器件也正在研發(fā)之中。

6.簡(jiǎn)要談?wù)剬捊麕О雽?dǎo)體整體的市場(chǎng)空間或發(fā)展趨勢(shì)。

硅動(dòng)力陳瀏陽(yáng)：GaN目前主要應(yīng)用在消費(fèi)類(lèi)中高功率的適配器和快充領(lǐng)域，它目前最大的挑戰(zhàn)仍然是提高可靠性，解決SOA問(wèn)題，提高工作耐壓，相信在后續(xù)技術(shù)與材料進(jìn)步的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)入服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、車(chē)規(guī)等等要求高可靠性的領(lǐng)域中，未來(lái)想象空間很大。

鎵未來(lái)張大江：目前高壓MOS的市場(chǎng)容量約為200億人民幣，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè)2026年氮化鎵會(huì)成長(zhǎng)到70億人民幣左右，占高壓市場(chǎng)的1/3。從歷史上看，超結(jié)MOS取代平面MOS也用了15年左右的時(shí)間。之后寬禁帶半導(dǎo)體取代硅也會(huì)是類(lèi)似的節(jié)奏。

PI Doug Bailey：GaN和SiC將繼續(xù)共存。這兩種技術(shù)和傳統(tǒng)的硅技術(shù)都有其用武之地，這就是Power Integrations對(duì)技術(shù)不抱持傾向性的原因所在：我們只是根據(jù)具體的應(yīng)用選用最合適的技術(shù)，而不像其他公司只提供一種解決方案。

航嘉馳源吳開(kāi)友：寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展應(yīng)該是可期待的，未來(lái)的市場(chǎng)空間肯定要被寬禁帶半導(dǎo)體替代，但是主要分工業(yè)領(lǐng)域和消費(fèi)領(lǐng)域。目前來(lái)講，100W以下的消費(fèi)電子類(lèi)領(lǐng)域，氮化鎵基本上完全可以替代。因?yàn)楸热缡芡饨绲母蓴_，有大量沖擊的情況下，基本上可以導(dǎo)入，這是沒(méi)什么問(wèn)題的。畢竟氮化鎵小型化以后，整體的制程工藝要求就會(huì)變得更簡(jiǎn)單。

努比亞陳可珠：我覺(jué)得未來(lái)應(yīng)該是會(huì)慢慢全面替代平面MOS，這是時(shí)間和成本問(wèn)題?，F(xiàn)在有廠家已經(jīng)在工業(yè)電源、通訊、車(chē)規(guī)等可靠性要求很高的大功率領(lǐng)域做一些方案，其他很多廠商也慢慢在觀望。隨著技術(shù)成熟和市場(chǎng)驗(yàn)證，后面的小廠應(yīng)該很快會(huì)跟進(jìn)。

比亞迪雷野：目前發(fā)展得還好，如果能堅(jiān)持下去，會(huì)做得很好。但是市場(chǎng)也說(shuō)不清，萬(wàn)一哪天做得很好，直接把它替代也不一定?，F(xiàn)在主要是看各個(gè)方向的應(yīng)用情況，因?yàn)橐坏┐笈渴褂?，成本下去了之后，其他產(chǎn)品推廣也會(huì)好一些。

愛(ài)仕特晏然：因?yàn)樘蓟韪杌钠骷啾?，具有工作頻率高、提升效率等優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)家對(duì)能效的要求越來(lái)越高以及客戶(hù)對(duì)性能的追求越來(lái)越高的情況下，寬禁帶半導(dǎo)體如果能夠在成本上做出很大的推進(jìn)，那么目前所有的硅基器件被替代百分之七八十是完全有機(jī)會(huì)的，所以它的市場(chǎng)空間一定會(huì)越來(lái)越大。

瞻芯電子田俊龍：我覺(jué)得碳化硅更多是跟著新能源汽車(chē)走。如果新能源汽車(chē)在未來(lái)3~5年之內(nèi)能夠像智能手機(jī)替代傳統(tǒng)的功能手機(jī)那樣，跟燃油車(chē)市場(chǎng)持平，碳化硅未來(lái)的市場(chǎng)空間還是蠻大。其他的光伏、充電樁、儲(chǔ)能等領(lǐng)域，其實(shí)也會(huì)跟著走，只是沒(méi)有新能源汽車(chē)市場(chǎng)增加這么明顯。現(xiàn)在做碳化硅的公司越來(lái)越多，我覺(jué)得大家都看好這個(gè)市場(chǎng)。但很多其他的創(chuàng)新行業(yè)，不一定會(huì)用到寬禁帶半導(dǎo)體，還是以硅或者IGBT為主導(dǎo)。

長(zhǎng)城科技陳濤：我個(gè)人比較看好寬禁帶半導(dǎo)體在軍用領(lǐng)域和一些特種行業(yè)應(yīng)用，剛開(kāi)始肯定會(huì)空間更大，后續(xù)民用領(lǐng)域批量使用可能要很長(zhǎng)一段時(shí)間去驗(yàn)證，慢慢磨合。

結(jié)語(yǔ)

目前，寬禁帶半導(dǎo)體材料的成本還遠(yuǎn)高于其他材料，應(yīng)用領(lǐng)域和使用量占比受到限制。除了快充、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，其他領(lǐng)域仍然普遍使用傳統(tǒng)材料。倘若寬禁帶半導(dǎo)體成本的價(jià)格降低，制程工藝更加穩(wěn)定，同一應(yīng)用場(chǎng)景下，基本上可以實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)，真正做到大面積取代。工業(yè)電源、通信建設(shè)、數(shù)據(jù)中心等要求更高性能、高穩(wěn)定性的大功率領(lǐng)域都會(huì)得到大規(guī)模使用。

我們相信，伴隨材料技術(shù)的不斷升級(jí)和行業(yè)廠商的研發(fā)創(chuàng)新，成本會(huì)得到明顯下降，未來(lái)功率不等的電源行業(yè)里，寬禁帶半導(dǎo)體肯定被更多終端市場(chǎng)所接受，其應(yīng)用身影將會(huì)隨處可見(jiàn)。

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審核編輯 黃昊宇