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富含缺陷的2D介孔Mo-Co-O納米片助力析氧電催化

清新電源 ? 來源:中國(guó)科學(xué)材料 ? 作者:中國(guó)科學(xué)材料 ? 2022-11-03 09:22 ? 次閱讀
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01 //研究背景

目前,氧化釕(RuO2)和氧化銥(IrO2)仍是析氧(OER)電催化劑的最佳選擇,然而,這些貴金屬氧化物的稀缺性和高成本限制了其廣泛應(yīng)用。因此,迫切需要開發(fā)低成本的非貴金屬基電催化劑。鈷(Co)基氧化物和氫氧化物具有與含氧中間體的最佳結(jié)合能,被認(rèn)為是最有前景的OER電催化劑之一,但其存在電導(dǎo)率相對(duì)較低、活性中心數(shù)量不足以及催化活性較低等問題。

與體相材料相比,二維(2D)納米材料具有更大的比表面積、更多的表面不飽和原子和更快的界面電荷轉(zhuǎn)移速率,表現(xiàn)出增強(qiáng)的電催化性能。

此外,尺寸較小的2D納米材料還可以提供更多的邊緣活性位點(diǎn),因此通過2D納米材料的尺寸調(diào)控也能夠提高催化性能。在2D氧化物納米材料中引入缺陷,例如氧空位,還可以從本質(zhì)上改變催化劑的電子結(jié)構(gòu),優(yōu)化反應(yīng)中間體的吸附/解吸能力,從而提高OER性能。

然而,構(gòu)建具有豐富缺陷且缺陷濃度可調(diào)的2D介孔金屬氧化物(氫氧化物)納米材料仍面臨巨大的挑戰(zhàn)。

02 //本文亮點(diǎn)

鑒于此,廈門大學(xué)李雷剛博士和黃小青教授等人以“Defectengineered 2D mesoporous Mo-Co-O nanosheets with crystalline-amorphouscomposite structure for efficient oxygen evolution”為題在Science China Materials上發(fā)表研究性論文,取得了以下幾點(diǎn)重要結(jié)論:

1)開發(fā)了一種簡(jiǎn)便有效的一鍋溶劑熱法制備由晶體相Mo4O11和非晶相氫氧化鈷組成的介孔Mox-Co-O 雜化納米片(NSs,并通過控制Mo/Co摩爾比實(shí)現(xiàn)了Mox-Co-O NSs的尺寸、介孔和晶相/非晶相納米片上缺陷(氧空位)濃度的可控調(diào)節(jié);

2)所制備的2D介孔Mox-Co-O NSs表現(xiàn)出優(yōu)異的OER催化活性,其中Mo0.2-Co-O NSs性能最佳,在10 mA cm-2電流密度下的過電位為276 mV,Tafel斜率為63 mV dec-1,且具有優(yōu)異的穩(wěn)定性

3)結(jié)合實(shí)驗(yàn)和密度泛函理論(DFT)計(jì)算闡明了合適的電子結(jié)構(gòu)和高濃度的氧空位是促成Mo0.2-Co-ONSs具有優(yōu)異OER催化活性的兩個(gè)主要因素。

03 //圖文解讀

采用簡(jiǎn)便的一鍋溶劑熱法制備了一系列富含介孔的Mox-Co-ONSs(x = 0.1, 0.2, 0.3),其中溶劑1-辛胺可以作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑和表面配體促進(jìn)該結(jié)構(gòu)的形成(圖1a)。通過控制鉬酸鹽/鈷前驅(qū)體鹽的比例,可以實(shí)現(xiàn)Mo0.2-Co-O NSs橫向尺寸的可控調(diào)節(jié)(小于100 nm)(圖1b&1c)。

鑒于Mo和Co原子與氨基中氮的配位能力不同,Mo0.2-Co-ONSs由結(jié)晶態(tài)Mo4O11相和非晶態(tài)Co-O相組成,從而形成豐富的結(jié)晶/非晶界面(圖1d&1e)。元素面分布圖揭示了Mo0.2-Co-O中Mo、Co、O三種元素的均勻分布圖1f)。此外,由于高溫環(huán)境下過量鉬酸鈉和1-辛胺的存在,在Mo0.2-Co-O NSs上原位形成了大量介孔,且在系列Mox-Co-O NSs材料中具有最大數(shù)量的孔(圖1g)。

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1.Mo0.2-Co-O NSs的合成、形貌和結(jié)構(gòu)表征

對(duì)系列Mox-Co-O NSs材料進(jìn)行OER性能測(cè)試,可以發(fā)現(xiàn),Mo0.2-Co-ONSs表現(xiàn)出最佳的OER催化活性圖2a),在10 mA cm-2電流密度下的過電位為276mV圖2b),Tafel斜率為63 mVdec-1圖2c)。其優(yōu)異的OER活性主要源自于其獨(dú)特的2D納米片結(jié)構(gòu)以及在納米片內(nèi)所存在的大量介孔。同時(shí),Mo0.2-Co-O NSs還具有高的TOF值(123.2 m s-1)以及高的質(zhì)量活性(880 mA mg-1)(圖2d&2e)。

由于高活性和快速反應(yīng)動(dòng)力學(xué),Mo0.2-Co-ONSs是目前所報(bào)道的OER性能最佳的電催化劑之一圖2f)。此外,大的Cdl值(245 mF cm-2)和小的Rct值(7.2 W)進(jìn)一步證實(shí)了由于Mo0.2-Co-O NSs具有更多的電化學(xué)反應(yīng)活性位點(diǎn)和更快速的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)而表現(xiàn)出高OER催化活性(圖2g&2h)。此外,Mo0.2-Co-ONSs還可以在電流密度為10 mA cm-2下穩(wěn)定地運(yùn)行75 h圖2i)。

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圖2. Mox-Co-ONSs的OER性能

由系列Mox-Co-O NSs的XPS分析結(jié)果可知,隨著Mo含量的增加,Mo原子周圍的電荷密度降低,電子由Mo原子轉(zhuǎn)移到Co原子,從而增加了Co原子周圍的電荷密度,因此,Co主要以+2價(jià)態(tài)存在(圖3a&3b)。拉曼光譜結(jié)果表明,Mo-Co-ONSs比Co-O NSs具有更多的缺陷,且Mo0.2-Co-O的缺陷數(shù)量最多圖3c)。

對(duì)缺陷(氧空位)進(jìn)行定量分析,可以發(fā)現(xiàn),Mo0.2-Co-O NSs中氧空位的含量最高,達(dá)到65%,這主要是由于該納米片的介孔更多、尺寸更小、邊緣活性位點(diǎn)更多(圖3d&3e)。此外, EPR結(jié)果進(jìn)一步證明了Mo-Co-O NSs和Co-O NSs中氧空位的存在,且Mo0.2-Co-O NSs中最強(qiáng)的EPR信號(hào)再次證明了其氧空位含量最高(圖3f)。

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圖3. Mox-Co-ONSs的電子結(jié)構(gòu)表征

Mox-Co-O NSs具有典型的半導(dǎo)體特征,尤其對(duì)于Mo0.2-Co-O NSs而言,由于包含更多的邊緣位點(diǎn)且更容易形成氧空位,因此具有最高的電子濃度和電導(dǎo)率圖4a&4b)。同時(shí),具有最高Cdl值的Mo0.2-Co-ONSs呈現(xiàn)出最高的本征催化活性(圖4c)。

此外,DFT計(jì)算結(jié)果進(jìn)一步揭示,與純Co-ONSs相比,Mo-Co-O NSs的d帶中心上移,從而使Mo0.2-Co-ONSs的d帶中心靠近費(fèi)米能級(jí)圖4d)。與此同時(shí),Mo0.2-Co-O NSs中的金屬活性中心與反應(yīng)中間體在所有催化劑中表現(xiàn)出最適中的吸附能,既不會(huì)過強(qiáng)也不會(huì)過弱,因此能夠大幅提高OER電催化活性(圖4e)。

總而言之,Mo0.2-Co-O NSs電子結(jié)構(gòu)的顯著改變和對(duì)d帶中心的調(diào)控主要是由于Mo的合金化、非晶相的存在以及豐富的邊緣位點(diǎn)所導(dǎo)致的。

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圖4. Mox-Co-ONSs的自由電子數(shù)量化及DFT計(jì)算 04 //全文總結(jié)

本工作開發(fā)了一種簡(jiǎn)便有效的一鍋溶劑熱路線來合成由晶體相Mo4O11和準(zhǔn)非晶相氫氧化鈷組成的介孔Mox-Co-O NSs。由于短鏈有機(jī)胺在高溫下的刻蝕作用,合成過程中在Mox-Co-O NSs上原位產(chǎn)生了大量的介孔空穴,增加了材料的電化學(xué)比表面積。

此外,Mox-Co-O NSs的尺寸、介孔和晶相/非晶相納米片上缺陷(氧空位)的濃度可以通過控制Mo/Co摩爾比調(diào)節(jié)。電化學(xué)測(cè)試表明,2D介孔Mox-Co-O NSs表現(xiàn)出優(yōu)異的OER催化活性,其中Mo0.2-Co-O NSs表現(xiàn)出最高的催化活性(在1 mol L-1KOH中10 mA cm-2處的過電位為276 mV)。

研究發(fā)現(xiàn),Mo0.2-Co-O NSs具有合適的d帶中心和最高濃度的氧空位,這是促成其優(yōu)異催化活性的兩個(gè)主要因素。本工作構(gòu)建具有豐富缺陷(氧空位)和合適d帶中心的二維金屬氧化物(氫氧化物)的晶相/非晶雜化納米材料的方法,為設(shè)計(jì)更高效的催化劑提供了借鑒。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:廈門大學(xué)黃小青SCMs:富含缺陷的2D介孔Mo-Co-O納米片助力析氧電催化

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