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如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

深圳市芯茂微電子有限公司 ? 來源:深圳市芯茂微電子有限公 ? 作者:芯茂微 ? 2022-11-30 09:41 ? 次閱讀
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要想把GaN的特性完全發(fā)揮出來,需要優(yōu)秀的電源管理芯片(PMIC)來支持。

在實現(xiàn)高頻率、高效率的同時,還要確保電源在各種極端應(yīng)用場景下可靠、穩(wěn)定且無噪音的工作。

芯茂微第二代內(nèi)置GaN高頻QR驅(qū)動器

為提升工程師布板的便利性,簡化客戶的工作量,芯茂微推出合封Gan芯片LP88G24DCD

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LP88G24DCD內(nèi)置650V級聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計,具有極佳的散熱性能。

芯片引腳間爬電距離2mm

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為適應(yīng)各種惡劣場景下使用,如:潮濕、極寒、極熱和高海拔地區(qū);這些場合,需要充足的爬電距離,才能在極端情況下確保高低壓之間不發(fā)生擊穿;

LP88G24DCD HV引腳、Drain引腳,高壓引腳與低壓信號引腳之間的爬電距離拉遠到了2mm;因此,在各種電源應(yīng)用場合中都具有極高的可靠性。

優(yōu)異的EMC性能

由于LP88G24DCD 合封芯片將主控和GaN的驅(qū)動腳都外置,且相鄰布置,可以方便的通過串聯(lián)電阻來改善EMC性能。

豐富的保護功能,根據(jù)保護后動作的不同
分為:

46dbb2ce-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.png46f8067c-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.svg

在QR模式下,工作頻率25kHz~500kHz,并具有谷底鎖定開通模式

內(nèi)置高壓啟動(HV)和X電容泄放功能

極輕載時“軟跳頻”工作模式可實現(xiàn)低功耗、無噪音

芯片內(nèi)置輸出電流感應(yīng)和計算單元,可以準(zhǔn)確控制電源的輸出過流點

單&雙 繞組變壓器可選?靈活的方案設(shè)計

468475cc-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.svg46970aa2-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.svg4749cf3e-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.png

雙繞組:可以減少高壓輸出時的功耗

476a7608-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.png

單繞組:利用VccH供電,無需外接LDO電路

35V的VccL腳被設(shè)定為優(yōu)先供電腳,當(dāng)VccL的電壓低于9V時才接通VccH供電;可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高輸出電壓時的功率消耗;

亦可以只使用VccH管腳(耐壓200V),以節(jié)約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。

65W PD Demo

具有精簡的設(shè)計線路,外圍簡單,進一步縮小產(chǎn)品體積

高壓轉(zhuǎn)換效率94%以上

低壓轉(zhuǎn)換效率92%以上

47ac8afc-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.png

優(yōu)異的待機功耗

47de65b8-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.png

優(yōu)異的EMI特性

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AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-N

481463de-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

AC230V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC230V/50Hz-20V/3.25ACE-N

482de1ba-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

AC115V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC115V/50Hz-20V/3.25A 水平

4849ffe4-6fe4-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

AC230V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC230V/50Hz-20V/3.25A 水平








審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:如何在快充產(chǎn)品上發(fā)揮出GaN的優(yōu)良特性?——合封方案篇

文章出處:【微信號:xinmaoweidianzi,微信公眾號:深圳市芯茂微電子有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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