電化學(xué)水分解技術(shù)被認為是最具前景的制氫技術(shù)之一。迄今為止,Pt是應(yīng)用最廣泛的析氫反應(yīng)(HER)催化劑,Ir基化合物是高活性的析氧反應(yīng)(OER)電催化劑。然而,其稀缺性、高成本、穩(wěn)定性差限制了其在水分解中的實際應(yīng)用。
近年來,過渡金屬化合物因其豐富、低成本和環(huán)境友好而被廣泛研究。然而,電催化劑和水分解裝置在酸性和堿性條件下通常遭受腐蝕問題,環(huán)境不友好和較差的穩(wěn)定性,這阻礙了它們在產(chǎn)氫中的應(yīng)用。開發(fā)中性環(huán)境下的水分解催化劑是制氫有前途的方向之一,因為它無污染,成本低,易于大規(guī)模應(yīng)用。
然而,在中性溶液中合理設(shè)計高效、低成本、穩(wěn)定的雙功能電催化劑仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。此外,為了滿足工業(yè)制氫的要求,電催化劑應(yīng)在大于500 mA cm-2的高電流密度下保持穩(wěn)定性。這些挑戰(zhàn)促使開發(fā)高效、穩(wěn)定、廉價的電催化劑以解決在中性溶液中高電流密度水分解的問題。
因此,海南大學(xué)鄧意達和鄭學(xué)榮等人合成了非晶摻Mo的NiS0.5Se0.5納米片@晶態(tài)NiS0.5Se0.5納米棒(Am-Mo-NiS0.5Se0.5)催化劑。

在1.0 M PBS溶液中評估了Am-Mo-NiS0.5Se0.5的HER活性并與Cr-Mo-NiS0.5Se0.5、Pt/C和NF進行比較。Am-Mo-NiS0.5Se0.5在10 mA cm-2的電流密度下的過電位僅為48 mV,優(yōu)于Cr-Mo-NiS0.5Se0.5。在實際應(yīng)用中,催化劑的高電流密度性能至關(guān)重要。在300和1000 mA cm-2的高電流密度下,Am-Mo-NiS0.5Se0.5顯示出133和209 mV的過電位,遠低于商業(yè)Pt/C(153和447 mV)和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(205和295 mV)。
在1.0 M PBS中,NF顯示出可忽略的HER活性,這意味著催化劑的活性主要歸因于Am-Mo-NiS0.5Se0.5,而不是NF基底。除了HER性能,制備的Am-Mo-NiS0.5Se0.5在1.0 M PBS溶液中也表現(xiàn)出了優(yōu)異的OER性能,Am-Mo-NiS0.5Se0.5只需要238 mV的過電位就可以提供10 mA cm-2的電流密度,這遠遠低于商業(yè)IrO2(365 mV),Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(329 mV),NF(434 mV)和大多數(shù)報道的過渡金屬化合物電催化劑。
特別是Am-Mo-NiS0.5Se0.5在高電流密度(1000 mA cm-2)下表現(xiàn)出比商業(yè)IrO2和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5更低的過電位(514 mV)。重要的是,以Am-Mo-NiS0.5Se0.5同時作為陽極和陰極時,在1.0 M PBS溶液中(10 mA cm-2)的全水解性能(1.52 V)優(yōu)于Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(1.66 V)以及Pt/C 和IrO2(1.64V),并且該電解槽在室溫下僅需要1.98 V的電壓就可以達到1000 mA cm-2的電流密度,遠低于Cr-Mo-NiS0.5Se0.5以及Pt/C 和IrO2。

通過對能帶結(jié)構(gòu)的理論推導(dǎo),進一步揭示了非晶和晶體結(jié)構(gòu)在促進催化過程中的電子貢獻差異。值得注意的是,Cr-Mo-NiS0.5Se0.5顯示出明顯的0.4 eV的間接帶隙,這證明了d-d和d-p躍遷的能壘。相比之下,Am-Mo-NiS0.5Se0.5具有無能隙的富電子特性,促進了d-d電子躍遷,從而實現(xiàn)優(yōu)異的性能。
此外,晶體結(jié)構(gòu)中的p-d電子躍遷被非晶態(tài)結(jié)構(gòu)所打破。因此,這些結(jié)果表明,這種不同的電子轉(zhuǎn)移導(dǎo)致了水分解過程的對比選擇性。Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的投影態(tài)密度計算表明,與Cr-Mo-NiS0.5Se0.5相比,Am-Mo-NiS0.5Se0.5的Ni位點d軌道上移,反映了電子轉(zhuǎn)移能力的增強和化學(xué)活性的提高。之后計算得到,H2O在Am-Mo-NiS0.5Se0.5表面的吸附能比在Cr-Mo-NiS0.5Se0.5低得多,表明該非晶結(jié)構(gòu)有利于Volmer步驟。
另外,Am-Mo-NiS0.5Se0.5的Ni位點的氫吸附自由能為-0.13 eV, Mo位點的氫吸附自由能為-0.22 eV,均低于Cr-Mo- NiS0.5Se0.5的Ni位點和Mo位點。結(jié)果表明,Ni位點是Am-Mo-NiS0.5Se0.5的HER過程中的活性位點,且在Am-Mo-NiS0.5Se0.5上較Cr-Mo- NiS0.5Se0.5更容易進行H的吸附。綜上所述,本研究通過設(shè)計和合成非晶相為HER和OER提供了一種高活性和穩(wěn)定的催化劑,這將促進未來中性環(huán)境中全水解的應(yīng)用。

審核編輯:郭婷
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7213瀏覽量
141285 -
納米
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
730瀏覽量
42477
原文標題:Angew:非晶Mo摻雜NiSSe納米片@NiSSe納米棒實現(xiàn)中性條件下的大電流電解水
文章出處:【微信號:清新電源,微信公眾號:清新電源】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
晶圓表面的納米級缺陷光學(xué)3D輪廓測量-3D白光干涉儀
納米級Ag+摻雜:破解固態(tài)電池鋰枝晶侵入難題
基于太陽光模擬的納米材料熱光電性能測試
SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)
上海光機所在飛秒激光可控操控二維納米片運動方面取得進展
納米加工技術(shù)的核心:聚焦離子束及其應(yīng)用
晶圓制造過程中的摻雜技術(shù)
屏蔽吸波 EMC(電磁兼容)納米晶及軟磁新材料
基于納米流體強化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制
高頻變壓器材料新解:納米晶的渦流損耗逆襲之路
壓電納米定位系統(tǒng)搭檔金剛石色心-在納米尺度上捕捉量子世界的奧秘
非晶Mo摻雜NiSSe納米片NiSSe納米棒在水分解中的應(yīng)用
評論