12月26-27日，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2022年會(huì)暨廈門集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇（ICCAD 2022）在廈門國(guó)際會(huì)展中心成功舉辦，廈門市科技局局長(zhǎng)孔曙光、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍一行蒞臨銳成芯微展臺(tái)參觀指導(dǎo)，聽取了銳成芯微CEO沈莉和副總經(jīng)理?xiàng)钜銓?duì)于公司發(fā)展情況、公司優(yōu)勢(shì)的介紹，并進(jìn)行了深入交流，魏少軍教授對(duì)銳成芯微取得的成績(jī)給予了高度肯定。

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍教授（中）

銳成芯微CEO沈莉（左）

“國(guó)產(chǎn)IP”令人刮目相看

會(huì)議舉行期間，銳成芯微團(tuán)隊(duì)與業(yè)界各方進(jìn)行了深入的交流，銳成芯微的國(guó)產(chǎn)IP技術(shù)與方案讓各方觀眾耳目一新，現(xiàn)場(chǎng)獲得了超高人氣。

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銳成芯微作為國(guó)產(chǎn)IP行業(yè)的代表企業(yè)之一，以自主創(chuàng)新為核心理念，在ICCAD期間推出了Wi-Fi6 RFIP，和基于BCD工藝的新型eFalsh嵌入式存儲(chǔ)IP。

雙模Wi-Fi6射頻IP

賦能Wi-Fi6產(chǎn)業(yè)創(chuàng)“芯”

在論壇上，銳成芯微副總經(jīng)理?xiàng)钜銕砹酥黝}為《雙模Wi-Fi6射頻IP，賦能Wi-Fi6產(chǎn)業(yè)創(chuàng)“芯”》的分享。Wi-Fi RF技術(shù)的高數(shù)據(jù)傳輸速度和通信容量，為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來新機(jī)遇，可為消費(fèi)電子、汽車電子、智慧城市、智能家電、工業(yè)自動(dòng)化、商業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸控制管理、安全管理等眾多領(lǐng)域提供解決方案。而設(shè)計(jì)Wi-Fi RF的四大難點(diǎn)在于，隨著數(shù)據(jù)吞吐量增加，接收器的靈敏度和功率放大器 (PA) 的線性度變得更具挑戰(zhàn)性，由于靈敏度規(guī)格提高必須降低接收路徑的噪聲系數(shù) (NF)，以及 Wi-Fi 6 標(biāo)準(zhǔn)都要求降低功耗。

銳成芯微副總經(jīng)理 楊毅

銳成芯微正在進(jìn)行的雙模Wi-Fi 6射頻IP研發(fā)項(xiàng)目，同時(shí)支持2.4GHz和5GHz雙頻段，基于22nm CMOS工藝，具有高性能、小面積、穩(wěn)定可靠等特點(diǎn)，該Wi-Fi 6 IP為Combo IP，同時(shí)支持BLE/BT藍(lán)牙雙模式，可以協(xié)助客戶快速推出Wi-Fi 6 SoC或Wi-Fi 6/藍(lán)牙Combo芯片。

Wi-Fi RF設(shè)計(jì)中的四項(xiàng)難點(diǎn)

銳成芯微的雙模Wi-Fi6 RFIP還集成了直流失調(diào)消除，IQ正交失配校準(zhǔn)，數(shù)字預(yù)失真等多種算法控制單元，能有效保證IP在PVT變化下獲得一致的射頻性能。

此外，銳成芯微還針對(duì)Wi-Fi6或Wi-Fi7應(yīng)用，開發(fā)了12位1.28GSPS高速SAR ADC IP和14位1.28GSPS高速DAC IP，性能優(yōu)秀，功耗優(yōu)勢(shì)明顯。芯片設(shè)計(jì)人員可以獲得制勝優(yōu)勢(shì)，在競(jìng)爭(zhēng)激烈的無線市場(chǎng)中脫穎而出。

BCD+eFlash

嵌入式存儲(chǔ)IP助力電機(jī)系統(tǒng)的高集成化

銳成芯微存儲(chǔ)研發(fā)總監(jiān)王明博士在論壇上分享了《基于高壓BCD工藝的嵌入式存儲(chǔ)IP助力電機(jī)系統(tǒng)的高集成化》的主題演講，向現(xiàn)場(chǎng)觀眾介紹銳成芯微最新的存儲(chǔ)IP技術(shù)。

隨著技術(shù)的發(fā)展，電機(jī)在實(shí)際應(yīng)用中的重點(diǎn)已經(jīng)開始從過去簡(jiǎn)單的傳動(dòng)向復(fù)雜的智能控制轉(zhuǎn)移，電機(jī)發(fā)展越發(fā)智能化的高集成度，小面積、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化、縮短周期成為嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用于電機(jī)領(lǐng)域的硬性標(biāo)準(zhǔn)，并且對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力、讀寫速度、存儲(chǔ)單元面積、額外光照層次、功耗有了更高的要求。

銳成芯微推出BCD高壓工藝的LogicFlash Pro eFlash IP，能有效滿足上述條件，可助力電機(jī)系統(tǒng)的高集成化，為市場(chǎng)提供更多優(yōu)質(zhì)技術(shù)方案。

LogicFlash Pro eFlash

銳成芯微推出的LogicFlash Pro 是一種基于兩層多晶硅柵工藝的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，在BCD工藝平臺(tái)上，得益于銳成芯微獨(dú)特的LogicFlash Pro embedded Flash實(shí)現(xiàn)方式，大大簡(jiǎn)化了業(yè)界流行的embedded Flash技術(shù)的光罩層數(shù)，embedded Flash與BCD的結(jié)合也保證了該工藝具有成本低、可靠性高、兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。適用于汽車電子等高溫環(huán)境和高可靠性場(chǎng)景下的應(yīng)用，Data Retention性能已達(dá)到AECQ100 Grade1考核標(biāo)準(zhǔn)。目前，銳成芯微的LogicFlash Pro IP已在國(guó)內(nèi)知名晶圓代工廠的BCD工藝平臺(tái)驗(yàn)證成功，并導(dǎo)入客戶項(xiàng)目。

未來，銳成芯微將會(huì)有更多基于特色平臺(tái)的IP進(jìn)入驗(yàn)證和量產(chǎn)階段，我們希望通過不斷的創(chuàng)新和特色發(fā)展，與整個(gè)行業(yè)一起點(diǎn)亮數(shù)字未來。