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半導(dǎo)體集成電路非破壞性鍵合拉力試驗(yàn)原理、程序、失效判據(jù)介紹!

科準(zhǔn)測(cè)控 ? 來(lái)源:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 作者:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 2023-01-11 11:35 ? 次閱讀
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集成電路(IC)測(cè)試是IC產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán),而且是不可或缺的一環(huán),它貫穿于從產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)始到完成加工的全過(guò)程。目前所指的測(cè)試通常是指芯片流片后的測(cè)試,定義為對(duì)被測(cè)電路施加已知的測(cè)試矢量,觀察其輸出結(jié)果,并與已知正確輸出結(jié)果進(jìn)行比較而判斷芯片功能、性能、結(jié)構(gòu)好壞的過(guò)程。本文__【科準(zhǔn)測(cè)控】__小編就分享一下半導(dǎo)體集成電路非破壞性鍵合拉力試驗(yàn),我們將從測(cè)試目的、設(shè)備要求、程序、失效判據(jù)這幾個(gè)點(diǎn)來(lái)講解!

測(cè)試目的

本方法的目的是在避免損壞合格內(nèi)引線鍵合的同時(shí)揭示出不合格的引線鍵合。本方法適用于超聲或熱壓工藝形成的鍵合,直徑大于127μm(或等效截面積)且沒(méi)有足夠空間使用鉤子的引線除外。

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設(shè)備要求

本試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)包括能按照規(guī)定試驗(yàn)條件要求對(duì)鍵合、鍵合引線或引線端施加規(guī)定應(yīng)力的裝置。該裝置應(yīng)通過(guò)校準(zhǔn),且應(yīng)能顯示所加應(yīng)力,其測(cè)量應(yīng)力能達(dá)到規(guī)定極限值的兩倍,準(zhǔn)確度為±5%或±2.9×10~N(0.3gf)(取其大值)。

  1. 對(duì)于將力施加到互連內(nèi)引線上的鉤子,其直徑應(yīng)符合表1的規(guī)定。

對(duì)于帶狀引線,采用與被試驗(yàn)帶狀引線截面積相同的等效圓形引線直徑值。鉤子的水平部分應(yīng)不小于被試驗(yàn)引線直徑的1.25倍。

b) 鉤子應(yīng)光滑,沒(méi)有毛刺,否則會(huì)影響試驗(yàn)結(jié)果或損壞被測(cè)引線。

c) 應(yīng)控制鉤子的移動(dòng)速度,使鉤子開(kāi)始接觸引線時(shí)產(chǎn)生的沖擊力不應(yīng)超過(guò)規(guī)定的非破壞性鍵合拉

力的20%。

d) 應(yīng)在至少15倍放大倍數(shù)下完成鉤子的放置,可使用有變焦功能的顯微鏡來(lái)檢查鉤子的位置。

e) 固定封裝的夾具應(yīng)有利于鉤子的對(duì)準(zhǔn),以利于對(duì)引線施加最佳應(yīng)力。

f) 指示儀應(yīng)能測(cè)量使互連引線失效所需的力或能表明所加的負(fù)載力已符合預(yù)定的要求。g) 鉤子應(yīng)處在一個(gè)固定位置,使鉤子在沿著鍵合點(diǎn)之間直線方向上的運(yùn)動(dòng)受到限制,避免試驗(yàn)只是對(duì)一個(gè)鍵合點(diǎn)進(jìn)行(例如,對(duì)一個(gè)球形鍵合)。

科準(zhǔn)測(cè)控推拉力測(cè)試機(jī),符合以上設(shè)備要求

10

多種測(cè)試夾具(可按客戶需求定制夾具,滿足各種封裝測(cè)試要求)

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程序

應(yīng)按適用訂購(gòu)文件的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn),該試驗(yàn)可作為抽樣或篩選進(jìn)行。試驗(yàn)條件應(yīng)隨鍵合材料和結(jié)構(gòu)而變化。應(yīng)對(duì)每個(gè)器件的全部鍵合引線進(jìn)行拉力試驗(yàn)和計(jì)數(shù),并且應(yīng)遵守規(guī)定的抽樣、接收和追加樣品的條款(如果采用)。如果在引線表面、引線下面或引線周圍有用于增加鍵合強(qiáng)度的任何粘接劑、密封劑或其他材料時(shí),應(yīng)在使用這些材料以前進(jìn)行試驗(yàn)。

a) 設(shè)置外加拉力額定值。

b) 固定被試樣品,調(diào)節(jié)上升裝置,根據(jù)引線的尺寸和材料設(shè)定規(guī)定的應(yīng)力。

c) 轉(zhuǎn)動(dòng)器件到合適位置,使鉤子在引線中點(diǎn)和引線彎曲最高點(diǎn)之間與引線接觸(對(duì)正向楔形和球形鍵合,應(yīng)在中點(diǎn)和芯片邊緣之間;對(duì)逆向鍵合,應(yīng)在中點(diǎn)和封裝邊緣之間),拉力方向近似垂直于芯片或基板,或近似與鍵合點(diǎn)之間直線垂直。承制方應(yīng)盡量接近中間施加拉力,以避免引起對(duì)引線有害的變形。

d) 驅(qū)動(dòng)上升裝置,使鍵合引線受力,在施加規(guī)定應(yīng)力時(shí)應(yīng)使產(chǎn)生的沖擊力盡量小,在整個(gè)拉鍵試驗(yàn)過(guò)程中指示儀顯示的沖力不應(yīng)超過(guò)儀器的規(guī)定精度。施加應(yīng)力的最長(zhǎng)時(shí)間不得超過(guò)1s。

e) 觀察鍵是否斷裂。

f) 如鍵斷裂,剔除該器件(除允許返工的器件例外),繼續(xù)檢驗(yàn)下一個(gè)器件。若鍵斷裂,要記下斷

裂鍵的號(hào)碼和含有此鍵的器件的標(biāo)識(shí)。如果允許返工,應(yīng)在鍵返工以前試驗(yàn)其他所有鍵。返工后的鍵也要重新試驗(yàn)。

g) 如果器件上的鍵都不斷裂,可以接收該器件。

h) 對(duì)全部被試鍵重復(fù)a)~g)的步驟。

i) 統(tǒng)計(jì)在預(yù)定應(yīng)力下試驗(yàn)而失效的引線或失效鍵的總數(shù)。

j) 統(tǒng)計(jì)未通過(guò)試驗(yàn)的器件數(shù)。

微信截圖_20221121162443_副本

表2 非破壞性鍵合拉力

失效判據(jù)

在外加應(yīng)力小于規(guī)定應(yīng)力(按采用的材料和結(jié)構(gòu)來(lái)確定應(yīng)力)時(shí),如果被拉的鍵發(fā)生分離(在鍵合面上出現(xiàn)鍵的分離或與整個(gè)鍵合區(qū)相連的任一位置出現(xiàn)鍵分離或引線發(fā)生斷裂),這樣的鍵為失效。除另有規(guī)定外,外加非破壞性拉力應(yīng)是密封前最小鍵合強(qiáng)度的80%,最小鍵合強(qiáng)度與所用材料、尺寸和結(jié)構(gòu)有關(guān)。最小鍵合強(qiáng)度的數(shù)值見(jiàn)方法2011中的表1或圖1。表2列出了通常使用的內(nèi)引線所對(duì)應(yīng)的拉力值。

注∶對(duì)嚴(yán)格要求鍵合線平直的射頻/微波混合電路,上述測(cè)試可能得到錯(cuò)誤的拉力數(shù)據(jù),可利用下面的公式確定正確

的拉力值∶

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對(duì)含有調(diào)諧引線(移動(dòng)該引線時(shí),將改變射頻性能)或拉鉤伸不進(jìn)引線的射頻/微波混合電路,必須在一個(gè)能伸入鉤子進(jìn)行拉力測(cè)試的試驗(yàn)樣品上進(jìn)行模擬。進(jìn)行拉力測(cè)試的試樣引線是用來(lái)替代混合電路產(chǎn)品中的調(diào)諧引線或鉤子不能伸入的引線,這些引線是與被試驗(yàn)的混合電路同時(shí)鍵合而成的。它們是采用相同設(shè)備、操作方法、程序及元件(可以采用電性能不合格的產(chǎn)品)。應(yīng)把試驗(yàn)樣品失效認(rèn)為成品失效,對(duì)此,需按照適用的規(guī)范、采取適當(dāng)?shù)牟僮鞣绞剑ㄒ?jiàn)圖2)。

以上便是小編帶來(lái)的關(guān)于半導(dǎo)體集成電路非破壞性鍵合拉力試驗(yàn)的目的、設(shè)備要求、程序還有失效判據(jù)的分享了。科準(zhǔn)專注于推拉力測(cè)試機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。廣泛用于與LED封裝測(cè)試、IC半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TO封裝測(cè)試、IGBT功率模塊封裝測(cè)試、光電元器件封裝測(cè)試、大尺寸PCB測(cè)試、MINI面板測(cè)試、大尺寸樣品測(cè)試、汽車領(lǐng)域、航天航空領(lǐng)域、軍工產(chǎn)品測(cè)試、研究機(jī)構(gòu)的測(cè)試及各類院校的測(cè)試研究等應(yīng)用。如果您有遇到任何有關(guān)推拉力機(jī)、半導(dǎo)體集成電路等問(wèn)題,歡迎給我們私信或留言,科準(zhǔn)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)也會(huì)為您免費(fèi)解答!

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