91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

孫學(xué)良JACS:界面鍵合鹵化物實(shí)現(xiàn)快離子導(dǎo)電鹵化物框架

清新電源 ? 來(lái)源:清新電源 ? 2023-01-17 10:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

研究背景

由于與高壓正極的兼容性和良好的室溫離子導(dǎo)電性,三元鹵化物L(fēng)i–M–X(M=Y、In、Zr等;X=F、Cl、Br)固態(tài)電解質(zhì)(SSE)有望實(shí)現(xiàn)實(shí)用的固態(tài)電池。大多數(shù)報(bào)道的超離子鹵化物SSE具有[MC16]x?八面體的結(jié)構(gòu)模式,并生成四面體Li+擴(kuò)散路徑。如果氯化物電解質(zhì)中金屬元素離子半徑進(jìn)一步增加,結(jié)構(gòu)中的金屬鹵化物多面體將從六配位過(guò)渡到八或九配位。

圖1a顯示了一種具有九配位的稀土鹵化物MCl3(M=La–Sm),其中MCl3形成P63/M晶格,沿c軸具有一維(1D)空位通道。這些豐富的通道具有與沸石相似的孔徑,可能形成離子擴(kuò)散框架。通過(guò)引入游離的Li+,有望表現(xiàn)出良好的離子導(dǎo)電性。然而,由于MCl3中Li+和M3+的離子半徑之間失配較大,迄今為止尚未報(bào)道穩(wěn)定的Li3xM2–xCl6。

0b4a9ac0-95f2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 1、基于鹵化物的多孔框架結(jié)構(gòu)。(a)M的離子半徑與[MClx]多面體配位之間的關(guān)系。(b)典型沸石材料ZSM-5的晶格。(c)SmCl3晶格沿c軸的俯視圖。

成果簡(jiǎn)介

近日,西安大略大學(xué)孫學(xué)良、Tsun-Kong Sham教授聯(lián)合馬里蘭大學(xué)莫一非教授在Journal of the American Chemical Society上發(fā)表了題為“Superionic Conducting Halide Frameworks Enabled by Interface-Bonded Halides”的論文,報(bào)告了一類新的類沸石鹵化物骨架,如SmCl3,其中一維通道被[SmCl9]6–三棱柱包圍,以在兩個(gè)八面體之間提供2.08?的短跳躍距離,用于Li+跳躍。從頭計(jì)算分子動(dòng)力學(xué)模擬證明,Li+沿通道快速擴(kuò)散。與沸石類似,SmCl3框架可以與鹵化物接枝,以獲得移動(dòng)離子,而不改變基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),在30°C下以LiCl作為吸附劑,實(shí)現(xiàn)了超過(guò)10–4S cm–1的離子電導(dǎo)率。此外,還證明了界面結(jié)合行為和離子擴(kuò)散在一類框架材料中的普遍性。MCl3/鹵化物復(fù)合物(M=La–Gd)的離子電導(dǎo)率可能與接枝鹵化物的離子電導(dǎo)率、界面鍵合和骨架組成/尺寸相關(guān)。

研究亮點(diǎn)

(1)本工作通過(guò)理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn),首次研究了SmCl3框架中的Li+擴(kuò)散。從頭計(jì)算分子動(dòng)力學(xué)(AIMD)模擬證實(shí)了Li+在一維通道中的快速擴(kuò)散。

(2)球磨(BM)合成的SmCl3·0.5LiCl復(fù)合材料(BM-SmCl3·0.5 LiCl)在30°C下與共熔(CM)合成的復(fù)合材料(CM-SmCl3.0.5LiCl)和球磨LiCl(BM-LiCl)(兩者均為~10–8S/cm)相比,Li+電導(dǎo)率表現(xiàn)出顯著差異(~1×10–4S/cm)。

(3)具有接枝LiCl包覆層的SmCl3簇是電導(dǎo)率提高的原因。使用基于SmCl3框架的SSE組裝的全固態(tài)電池在室溫(RT)下表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性能。

圖文導(dǎo)讀

SmCl3具有UCl3型結(jié)構(gòu)(P63/m),Cl和Sm原子分別占據(jù)6h和2c Wyckoff位點(diǎn)。Sm與九個(gè)Cl配位,形成[SmCl9]6–三棱柱。共邊[SmCl9]6–多面體沿著c軸方向包圍八面體空隙組成的1D通道,具有類沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SmCl3晶格(圖1b,c)。

圖2a顯示,沿c軸具有1D六邊形通道,其內(nèi)徑約為4.52?,兩個(gè)相鄰陽(yáng)離子空位之間的距離約為2.08?。AIMD模擬期間Li+的概率密度顯示,一維擴(kuò)散通道中存在快速的Li+擴(kuò)散(圖2b)。圖2c 的Arrhenius圖顯示,該通道中Li+具有0.11±0.01 eV的低擴(kuò)散勢(shì)壘。

0b8962f0-95f2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 2、(a)SmCl3中的Li+擴(kuò)散路徑。(b)SmCl3的晶體結(jié)構(gòu)與Li+概率密度疊加。(d)BM-SmCl3·0.5LiCl、CM-SmCl3.0.5LiCl和BM-LiCl的Arrhenius圖。(e)不同溫度下BM-SmCl3·0.5LiCl SSE的電導(dǎo)率等溫線σ(ν)。(f)BM-SmCl3·0.5LiCl、CM-SmCl3·0.5LiCl、SmCl3和BM-SmCl3的XRD圖譜。

鑒于如此快速的離子擴(kuò)散,本工作利用CM和BM方法來(lái)合成含Li的SmCl3框架;LiCl被選擇為SmCl3框架提供Li+。圖2d顯示,在30°C時(shí),BM-SmPCl3·0.5LiCl的Li+電導(dǎo)率(1.2×10–4S/cm)顯著高于BM-LiCl(1×10–8S cm–1)和CM-SmCl3·0.5LiCl(3.1×10–8S cm–1)。

根據(jù)Jonscher冪定律(σ(ω)=σdc+aωn),BM-SmCl3·0.5LiCl中的離子輸運(yùn)由較高頻率的色散狀態(tài)(圖2e)反映,擬合n值為1,說(shuō)明離子擴(kuò)散可能是影響導(dǎo)電性能的主要因素。

圖2f的XRD圖顯示,BM-SmCl3·0.5LiCl和CM-SmCl2·0.5LiCl均以P63/m為主相,但CM-SmCl3·0.5LiCl中檢測(cè)到LiCl。因此,離子電導(dǎo)率差異的起源應(yīng)該是沿框架通道移動(dòng)的Li+的存在與否。

0bc95bda-95f2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 3、(a)基于同步加速器的XRD圖譜和精修結(jié)果:BM-SmCl3和BM-SmCl3·0.5LiCl。(b)BM-SmCl3·0.5LiCl的對(duì)分布函數(shù)和擬合結(jié)果。(c)BM-SmCl3和BM-SmCl3·0.5LiCl的差分對(duì)分布函數(shù)曲線。(d)帶k2加權(quán)的Sm L3邊EXAFS在R空間的傅里葉變換。(e)BM-SmCl3·0.5LiCl、BM-LiCl和LiCl的6Li-MAS NMR譜。(f)BM-SmCl3·0.5LiCl顆粒邊緣的HRTEM圖像。(g)結(jié)晶SmCl3區(qū)域的HR-HAADF-STEM圖像。(h)(g)中SmCl3晶粒的放大晶格條紋。

圖3a的同步XRD譜圖精修結(jié)果顯示,BM-SmCl3與BM-SmCl3·0.5LiCl的晶格參數(shù)沒(méi)有明顯差異。結(jié)合傅里葉變換(FT)和PDF分析的全散射技術(shù)能夠探測(cè)局部結(jié)構(gòu)和量化納米相。圖3b顯示了BM-SmCl3·0.5LiCl與實(shí)驗(yàn)PDF G(r)的擬合情況。使用SmCl3和LiCl組合模型,BM-SmCl3·0.5LiCl擬合良好,Rw=0.135。G(r)的精修表明,SmCl3(0.923±0.047)和LiCl(0.077±0.046)的擬合重量比與SmCl3和LiCl原料的化學(xué)計(jì)量重量比(0.924)非常一致,表明復(fù)合材料中LiCl的結(jié)晶度在機(jī)械力和SmCl3顆粒的存在下打破。

對(duì)BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3進(jìn)行差分對(duì)分布函數(shù)(d-PDF)分析(圖3c)。BM-SmCl3·0.5LiCl在2.85?處對(duì)應(yīng)于Sm-Cl間距的峰比BM-SmCl3的峰更強(qiáng)。這可能源于LiCl的Cl-與SmCl3納米簇之間的鍵合。圖3d中BM-SmCl3和BM-SmCl3·0.5LiCl的FT k2-加權(quán)χ(k)Sm L3邊 EXAFS光譜表明,在沒(méi)有相位校正的情況下,位于R?2.3 ?的主峰應(yīng)歸因于Cl-配位的背散射。BM-SmCl3·0.5LiCl在R空間具有比BM-SmCl3更強(qiáng)的峰。

圖3f中BM-SmCl3·0.5LiCl的高分辨率透射電鏡(HRTEM)圖像顯示,SmCl3晶粒以隨機(jī)取向分布在顆粒中,并通過(guò)非晶區(qū)域或短程微晶相互連接。在高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖像中,存在(010)SmCl3(圖3g,h)結(jié)晶區(qū)。

圖3e的6Li MAS光譜顯示,BM-LiCl和BM-SmCl3·0.5LiCl的光譜在?1.18ppm處顯示出一個(gè)強(qiáng)峰。化學(xué)位移與固體LiCl相同,證實(shí)了LiCl在BM-SmCl3·0.5LiCl中的存在,而不會(huì)形成Li–Sm–Cl。BM LiCl樣品中-0.92 ppm處的低強(qiáng)度信號(hào)表明,機(jī)械處理形成了一些非晶材料。

圖4a的主體-吸附劑模型顯示,LiCl的長(zhǎng)程有序度和化學(xué)鍵在機(jī)械力下中斷,使得納米晶體或非晶LiCl通過(guò)BM接枝到SmCl3框架上,以提供沿著SmCl3通道跳躍的Li+。

在Cl 2p XPS光譜中(圖4b),BM-SmCl3顯示出兩組雙峰。紅色峰代表SmCl3中的體相Cl,而藍(lán)色峰可能來(lái)自表面物種。通過(guò)BM引入LiCl后,在BM-SmCl3·0.5LiCl中出現(xiàn)了一個(gè)新的雙峰(黃色峰),位于199.2和200.9eV處,這可歸因于Li–Cl鍵(或Li–Cl–Sm),表明LiCl在表面富集。在CM-SmCl3·0.5LiCl中,LiCl的表面富集減少。

0bfa8eda-95f2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 4、(a)LiCl吸附在SmCl3簇上的主體-吸附劑模型示意圖。(b)BM-SmCl3、BM-SmCl3·0.5LiCl和CM-SmCl3·0.5LiCl的Cl 2p XPS譜。(c)TEY和FLY檢測(cè)模式下BM-SmCl3·0.5LiCl、BM-SmCl3和BM-LiCl的Cl k邊XANES區(qū)域。(d,e)BM-SmCl3·0.5LiCl在(d)TEY和(e)FLY中的線性組合擬合。(f)透射模式下BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3的Sm L3邊XANES區(qū)域。

接下來(lái),通過(guò)總電子產(chǎn)額(TEY)和熒光產(chǎn)額(FLY)模式研究了BM-SmCl3·0.5LiCl、BM-SmCl3和BM-LiCl的Cl K邊X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)光譜(圖4c)。前邊特征峰a′代表從Cl 1s到Cl 3p和Sm 5d混合態(tài)的轉(zhuǎn)變,而特征峰b′代表從Cl 1s至未占據(jù)Cl 4p態(tài)的轉(zhuǎn)變。由于Sm–Cl雜化,BM-SmCl3具有強(qiáng)的a′信號(hào),而B(niǎo)M-LiCl僅呈現(xiàn)b′峰。BM-SmCl3和BM-LiCl在TEY模式和FLY模式下除了由于自吸收效應(yīng)導(dǎo)致的強(qiáng)度收縮外,看起來(lái)都很相似。BM-SmCl3·0.5LiCl的b'在TEY中的強(qiáng)度要比FLY中強(qiáng)得多,表明其表面的LiCl濃度更高。

圖4d,e的定量分析顯示,從表面到體相,LiCl的貢獻(xiàn)從36%降低到20%,證實(shí)LiCl覆蓋SmCl3表面以形成核殼狀結(jié)構(gòu)。在傳輸檢測(cè)模式的Sm-L3邊XANES中,四個(gè)不同的特征峰標(biāo)記為c′、d′、e′和f′。特征峰c '和特征峰d '源于電偶極子,使得電子從Sm 2p軌道躍遷到包含Sm 5d特征的未占據(jù)態(tài)(2p64f65d0→2p54f65d1躍遷)。特征峰e(cuò)′和f′可歸屬于多重散射共振或向準(zhǔn)束縛態(tài)的躍遷。相對(duì)于BM-SmCl3,BM-SmCl3·0.5LiCl在閾值上方有一條明顯更尖銳的白線a’(圖4f)。

圖5a的差示掃描量熱法(DSC)顯示,445°C時(shí)的吸熱峰代表BM-SmCl3·0.5LiCl的熔化過(guò)程。在熔點(diǎn)之前,分別在150、300和360°C左右有一個(gè)放熱峰和兩個(gè)吸熱峰,表明存在多個(gè)亞穩(wěn)態(tài)相。圖5b顯示了BM-SmCl3·0.5LiCl在不同溫度下退火10小時(shí)后的離子電導(dǎo)率。退火溫度高于150°C時(shí),退火樣品的離子電導(dǎo)率顯著降低,對(duì)應(yīng)于第一個(gè)放熱峰。圖5c中BM-SmCl3·0.5LiCl@150°C的Sm L3邊特征峰c'的減小表明,SmCl3與LiCl之間的束縛態(tài)可能被破壞。圖5d的原位XRD顯示,隨著溫度的升高,檢測(cè)到三個(gè)亞穩(wěn)態(tài)晶相,即α-Li–Sm–Cl、β-Li–Sm–Cl和γ-Li–Sm–Cl。

0c3ab32a-95f2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 5、(a)BM-SmCl3·0.5LiCl的DSC曲線。(b)BM-SmCl3·0.5LiCl在不同溫度下退火10 h的離子電導(dǎo)率。(c)透射模式下BM-SmCl3、BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3·0.5LiCl@150°C(150°C退火10 h)的Sm L3邊XANES區(qū)域。(d)BM-SmCl3·0.5LiCl在高溫下的原位XRD。(e)?60至200°C下,BM-SmCl3·0.5LiCl的7Li NMR光譜。(f)BM-SmCl3·0.5LiCl樣品7Li核磁共振中心躍遷線寬隨溫度的變化。(g)BM-SmCl3·0.5LiCl中擴(kuò)散誘導(dǎo)的7Li核磁共振SLR速率隨溫度的變化。

圖5e和圖5f分別定性和定量地確定了7Li靜態(tài)NMR譜線寬隨溫度的變化。在較低溫度(低于0°C)下,半峰寬(FWHM)較大。在0°C時(shí),F(xiàn)WHM突然下降。在0至140°C之間,F(xiàn)WHM隨溫度升高而逐漸降低。當(dāng)溫度高于140°C時(shí),F(xiàn)WHM隨溫度升高而增加。上述結(jié)果表明,材料在150℃以上經(jīng)歷了向亞穩(wěn)相的相變,并具有較低的Li+擴(kuò)散速率。

測(cè)量了實(shí)驗(yàn)室參考系(1/T1)中與溫度相關(guān)的7Li靜態(tài)自旋晶格弛豫(SLR)速率,以確定Li+擴(kuò)散活化能。圖5g顯示,在130°C時(shí)1/T1達(dá)到最大值,低溫狀態(tài)下ln(1/T1)與溫度(T)的關(guān)系圖滿足阿倫尼烏斯行為。對(duì)于BM-SmCl3·0.5LiCl樣品,低溫(EaLT)活化能低至0.063eV,對(duì)應(yīng)于短距離Li+擴(kuò)散。

此外,還用MCl3(M=La、Ce、Pr、Nd、Gd)取代了BM-SmCl3·0.5LiCl中的SmCl3,以證明離子擴(kuò)散行為在主體-吸附劑結(jié)構(gòu)中的普遍性。圖6a顯示,這些復(fù)合物都顯示出類似的通道尺寸,并且Li+擴(kuò)散比純LiCl更快。進(jìn)一步將BM-SmCl3·0.5LiCl中的LiCl替換為L(zhǎng)iF、LiBr、LiI,甚至Li–M–Cl,如LiFeCl4、Li2ZrCl6和LiAlCl4(圖6b)。以SmCl3·0.5Li2ZrCl6為例,BM-Li2ZrCl6的衍射峰在用SmCl3進(jìn)行BM后消失(圖6c)。BM后,其離子電導(dǎo)率比BM前增加了約10倍,甚至高于純Li2ZrCl6SSE(圖6d)。

通過(guò)使用BM-SmCl3·0.5Li2ZrCl6作為SSE構(gòu)建ASSLIB,并選擇LiNi0.83Mn0.06Co0.11O2(NMC83)作為正極材料。圖6e顯示,該ASSLIB在0.5C下的充放電過(guò)程高度可逆,且電壓衰減較低。圖6f顯示,該ASSLIB能夠穩(wěn)定循環(huán)超過(guò)600次,容量保持率為85%。

0c67a5ce-95f2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 6、(a) 30℃時(shí),不同骨架MCl3(M=La, Ce, Pr, Nd, Gd)在0.5 LiCl作用下的離子電導(dǎo)率。(b)在30°C下,不同鹵化物吸附劑耦合的SmCl3框架離子電導(dǎo)率。(c) SmCl3·0.5Li2ZrCl6球磨前后的XRD。(d)Li2ZrCl6和SmCl3·0.5Li2ZrCl6的Arrhenius圖(球磨前后)。使用NMC83正極和SmCl3·0.5Li2ZrCl6SSE的ASSLIB(e)不同循環(huán)的充放電曲線和(f)循環(huán)性能。

總結(jié)與展望

本工作報(bào)道了一種類沸石鹵化物骨架,如SmCl3,其中1D通道被[SmCl9]6–三角棱鏡包圍,Li+在空位之間的跳躍距離低至2.08?。AIMD計(jì)算和原位NMR測(cè)量表明,沿通道存在快速的Li+擴(kuò)散。結(jié)合結(jié)構(gòu)和鍵合分析,提出了一種主體-吸附劑結(jié)構(gòu)模型,產(chǎn)生的離域Li+在SmCl3框架中的1D通道中移動(dòng)。在30°C下,BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3·0.5Li2ZrCl6SSE的離子電導(dǎo)率分別超過(guò)10–4S cm-1和10–3S cm-1。此外,這類框架的界面鍵合行為和離子擴(kuò)散在不同鹵化物中具有普遍性。這項(xiàng)工作揭示了一類快離子導(dǎo)體的鹵化物結(jié)構(gòu),將拓寬快離子導(dǎo)體的設(shè)計(jì)思路。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電解質(zhì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    835

    瀏覽量

    21447
  • 電導(dǎo)率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    308

    瀏覽量

    15613

原文標(biāo)題:孫學(xué)良JACS:界面鍵合鹵化物實(shí)現(xiàn)快離子導(dǎo)電鹵化物框架

文章出處:【微信號(hào):清新電源,微信公眾號(hào):清新電源】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    埋底界面鈍化實(shí)現(xiàn)22.2%高效寬禁帶鈣鈦礦及28.6%疊層器件

    寬禁帶(≈1.70eV)混合鹵化物鈣鈦礦由于與硅電池等窄帶隙底電池在串/并聯(lián)疊層中兼容性好,適合用作串聯(lián)/四端子鈣鈦礦/硅串聯(lián)電池的頂電池,并具有半透明光伏等應(yīng)用前景。然而,寬禁帶混鹵鈣鈦礦在光照
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:03 ?156次閱讀
    埋底<b class='flag-5'>界面</b>鈍化<b class='flag-5'>實(shí)現(xiàn)</b>22.2%高效寬禁帶鈣鈦礦及28.6%疊層器件

    高成本難題破解:新型非晶態(tài)鹵化物固態(tài)電解質(zhì)引領(lǐng)行業(yè)變革

    在追求高安全性和高能量密度的儲(chǔ)能技術(shù)浪潮中,全固態(tài)鋰電池被視為下一代動(dòng)力電池的終極形態(tài)。在這其中,固態(tài)電解質(zhì)的性能直接決定了電池的成敗。近年來(lái),鹵化物固態(tài)電解質(zhì)因其卓越的離子電導(dǎo)率和良好的正極兼容性
    的頭像 發(fā)表于 03-03 18:04 ?468次閱讀
    高成本難題破解:新型非晶態(tài)<b class='flag-5'>鹵化物</b>固態(tài)電解質(zhì)引領(lǐng)行業(yè)變革

    氧化正極的化學(xué)密碼:電子構(gòu)型、化學(xué)與化學(xué)反應(yīng)性如何主宰電池性能

    ,歸根結(jié)底受三大內(nèi)在化學(xué)因素的深刻影響:電子構(gòu)型、化學(xué)和化學(xué)反應(yīng)性。深刻理解這些因素如何調(diào)控氧化還原能、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、離子與電子傳輸以及界面行為,是推動(dòng)下一代電池
    的頭像 發(fā)表于 02-24 18:02 ?334次閱讀
    氧化<b class='flag-5'>物</b>正極的化學(xué)密碼:電子構(gòu)型、化學(xué)<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>與化學(xué)反應(yīng)性如何主宰電池性能

    納米結(jié)構(gòu)對(duì)齊復(fù)合固態(tài)電解質(zhì):全固態(tài)電池離子傳輸與界面接觸新突破

    )易于加工,但離子電導(dǎo)率較低(25°C下約10??Scm?1)。無(wú)機(jī)陶瓷(如氧化、鹵化物或硫化離子電導(dǎo)率較高(25°C下約10?2Sc
    的頭像 發(fā)表于 02-10 18:06 ?117次閱讀
    納米結(jié)構(gòu)對(duì)齊復(fù)合固態(tài)電解質(zhì):全固態(tài)電池<b class='flag-5'>離子</b>傳輸與<b class='flag-5'>界面</b>接觸新突破

    隱形失效:金屬間化合尖刺如何“欺騙”半導(dǎo)體強(qiáng)度測(cè)試

    )時(shí),一種隱秘的失效機(jī)制——金屬間化合(IMC)尖刺的形成——便可能悄然發(fā)生。這種微觀結(jié)構(gòu)的異常生長(zhǎng),不僅會(huì)改變點(diǎn)的力學(xué)性能,更會(huì)對(duì)常規(guī)的質(zhì)量檢測(cè)方法構(gòu)成挑戰(zhàn),甚至產(chǎn)生具有誤導(dǎo)性的“強(qiáng)度假象”。今天,就跟隨科準(zhǔn)測(cè)
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:17 ?259次閱讀
    隱形失效:金屬間化合<b class='flag-5'>物</b>尖刺如何“欺騙”半導(dǎo)體<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>強(qiáng)度測(cè)試

    誰(shuí)更有效?解碼焊球剪切與點(diǎn)拉力測(cè)試的真實(shí)對(duì)比

    老化后,界面的剪切強(qiáng)度降低了約2.6倍。這種退化主要?dú)w因于兩個(gè)因素: 金屬間化合(IMC)的形成:金和鋁在高溫下持續(xù)擴(kuò)散反應(yīng),生成脆性的Au-Al金屬間化合
    發(fā)表于 01-08 09:46

    效率超30%的三結(jié)疊層太陽(yáng)能電池:基于鹵化物混合制動(dòng)策略賦能1.95eV寬帶隙鈣鈦礦

    寬帶隙鈣鈦礦因混合鹵化物組分具備1.5-2.3eV可調(diào)帶隙,廣泛應(yīng)用于疊層太陽(yáng)能電池,但帶隙提升至1.95eV所需的高溴含量會(huì)導(dǎo)致鹵化物分布不均、相分離加劇及載流子復(fù)合增強(qiáng),引發(fā)顯著開(kāi)路電壓損失。單
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:03 ?3206次閱讀
    效率超30%的三結(jié)疊層太陽(yáng)能電池:基于<b class='flag-5'>鹵化物</b>混合制動(dòng)策略賦能1.95eV寬帶隙鈣鈦礦

    實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定寬帶隙鈣鈦礦電池:抑制相分離的晶界工程策略

    寬禁帶鈣鈦礦光伏材料因其帶隙可調(diào),在室內(nèi)能量收集領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力。然而,其面臨一個(gè)根本性挑戰(zhàn):在光照下,混合鹵化物鈣鈦礦會(huì)發(fā)生光誘導(dǎo)鹵化物相分離,導(dǎo)致材料內(nèi)部形成局部的富碘區(qū)和富溴區(qū)。這種現(xiàn)象
    的頭像 發(fā)表于 11-21 09:05 ?561次閱讀
    <b class='flag-5'>實(shí)現(xiàn)</b>高效穩(wěn)定寬帶隙鈣鈦礦電池:抑制相分離的晶界工程策略

    制備高效大面積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:基于MPW技術(shù)的無(wú)掩膜激光工藝

    有機(jī)-無(wú)機(jī)鹵化物鈣鈦礦因可調(diào)帶隙等優(yōu)異光電特性,其太陽(yáng)能電池(PSCs)實(shí)驗(yàn)室功率轉(zhuǎn)換效率已從3.8%突破至26%以上,溶液法制備的鈣鈦礦光伏電池還具低成本、輕量化、可穿戴優(yōu)勢(shì),成為新型電源重要方向
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:05 ?1182次閱讀
    制備高效大面積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:基于MPW技術(shù)的無(wú)掩膜激光工藝

    IGBT 芯片平整度差,引發(fā)線與芯片連接部位應(yīng)力集中,失效

    現(xiàn)象,進(jìn)而引發(fā)失效。深入探究這一關(guān)聯(lián)性,對(duì)提升 IGBT 模塊的可靠性和使用壽命具有關(guān)鍵意義。 二、IGBT 結(jié)構(gòu)與工作應(yīng)力分析 IGBT 模塊的
    的頭像 發(fā)表于 09-02 10:37 ?1993次閱讀
    IGBT 芯片平整度差,引發(fā)<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>線與芯片連接部位應(yīng)力集中,<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>失效

    熱應(yīng)用太陽(yáng)模擬器光源選型:氬弧/金屬鹵化物/鹵鎢/氙燈光譜特性對(duì)比

    太陽(yáng)能熱利用、光伏發(fā)電(PV)及聚光太陽(yáng)能技術(shù)(CSP)的快速發(fā)展,對(duì)相關(guān)組件和系統(tǒng)的測(cè)試提出了更高要求。然而,戶外測(cè)試受天氣條件(如光照強(qiáng)度、大氣透明度)的制約,難以實(shí)現(xiàn)可控、可重復(fù)的實(shí)驗(yàn)環(huán)境
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:29 ?1486次閱讀
    熱應(yīng)用太陽(yáng)模擬器光源選型:氬弧/金屬<b class='flag-5'>鹵化物</b>/鹵鎢/氙燈光譜特性對(duì)比

    鋁絲的具體步驟

    鋁絲常借助超聲楔焊技術(shù),通過(guò)超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤(pán)的直接。由于
    的頭像 發(fā)表于 07-16 16:58 ?1815次閱讀

    什么是引線鍵合?芯片引線鍵合保護(hù)膠用什么比較好?

    引線鍵合的定義--什么是引線鍵合?引線鍵合(WireBonding)是微電子封裝中的關(guān)鍵工藝,通過(guò)金屬細(xì)絲(如金線、鋁線或銅線)將芯片焊盤(pán)與外部基板、引線框架或其他芯片的焊區(qū)連接,
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:11 ?1346次閱讀
    什么是引線<b class='flag-5'>鍵合</b>?芯片引線<b class='flag-5'>鍵合</b>保護(hù)膠用什么比較好?

    倒裝芯片技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程

    本文介紹了倒裝芯片技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程以及詳細(xì)工藝等。
    的頭像 發(fā)表于 04-22 09:38 ?2904次閱讀
    倒裝芯片<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)的特點(diǎn)和<b class='flag-5'>實(shí)現(xiàn)</b>過(guò)程

    光子倍增技術(shù)核心:量子裁剪在鐿摻雜金屬鹵化物鈣鈦礦中的光線追蹤分析,16.27%功率躍升

    增加光電流。據(jù)報(bào)道,該技術(shù)集成到晶體硅光伏設(shè)備中可實(shí)現(xiàn)16%的相對(duì)功率提升。UbiQD計(jì)劃將這一技術(shù)融入聚合封裝材料中,進(jìn)一步優(yōu)化太陽(yáng)能組件效率。量子剪裁技術(shù)M
    的頭像 發(fā)表于 03-31 09:01 ?1672次閱讀
    光子倍增技術(shù)核心:量子裁剪在鐿摻雜金屬<b class='flag-5'>鹵化物</b>鈣鈦礦中的光線追蹤分析,16.27%功率躍升