本文開始探討同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的損耗。首先，我們來(lái)看一下同步整流降壓轉(zhuǎn)換器發(fā)生損耗的部位。然后，會(huì)對(duì)各部位的損耗進(jìn)行探討。

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的損耗發(fā)生部位

下面是同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的電路簡(jiǎn)圖以及發(fā)生損耗的位置。關(guān)于發(fā)生位置，用紅色簡(jiǎn)稱來(lái)表示。

PONH是高邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗，也稱為“導(dǎo)通損耗”。

PONL是低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗。

PSWH是MOSFET的開關(guān)損耗。

Pdead_time是死區(qū)時(shí)間損耗。當(dāng)高邊和低邊MOSFET同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，VIN和GND處于接近短路的狀態(tài)，并流過(guò)稱為“直通電流”等的過(guò)電流。為了避免這種情況，幾乎所有的控制器IC在高邊和低邊的導(dǎo)通/關(guān)斷切換時(shí)，都會(huì)設(shè)有兩者都關(guān)斷的一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)間，這就是“死區(qū)時(shí)間”。為了安全起見是需要死區(qū)時(shí)間的，但會(huì)成為損耗。

PIC是電源用IC（在這里為功率晶體管外置同步整流降壓轉(zhuǎn)換器用控制器IC）的電源電流?；旧鲜荌C本身消耗的電流，是自身消耗電流。

PGATE是外置MOSFET的柵極電荷損耗。原則上MOSFET的柵極是不流過(guò)電流的，但需要用來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電容的電荷，這會(huì)成為損耗。需要同時(shí)考慮高邊和低邊。

PCOIL是輸出電感的DCR、直流電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗。

將這些損耗全部加在一起就是同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的損耗。

損耗合計(jì)P＝PONH＋PONL＋PSWH＋Pdead_time＋PIC＋PGATE＋PCOIL

PONH：高邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗
PONL：低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗
PSWH：開關(guān)損耗
Pdead_time：死區(qū)時(shí)間損耗
PIC：自身功率損耗
PGATE：柵極電荷損耗
PCOIL：電感的DCR帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗

在下一篇文章中將單獨(dú)探討每個(gè)損耗。