91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

特斯拉要減少75%的SiC使用量,會(huì)導(dǎo)致行業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩嗎?

Hobby觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2023-03-06 07:48 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)上周特斯拉的2023投資日雖然沒(méi)有得到投資者的認(rèn)可(當(dāng)天股價(jià)最高下跌8%),不過(guò)在汽車部分,特斯拉還是帶來(lái)了一些稍微“震驚業(yè)界”的消息。

其中除了期望從整車量產(chǎn)規(guī)模化、動(dòng)力總成和生產(chǎn)制造三個(gè)方面來(lái)降低50%的成本之外,另一個(gè)對(duì)行業(yè)影響較大的舉措是,特斯拉在下一代平臺(tái)中將減少動(dòng)力總成部分75%的碳化硅“使用量”,且不影響能效。作為最早在電動(dòng)汽車上大規(guī)模應(yīng)用碳化硅的車企,如今竟然說(shuō)要減少碳化硅用量,這給整個(gè)SiC行業(yè)都可能會(huì)造成一定沖擊。

不過(guò)目前還存在一些疑問(wèn):特斯拉是如何做到的?其他廠商會(huì)跟進(jìn)嗎?過(guò)去幾年SiC行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)的產(chǎn)能何去何從?這篇文章將會(huì)簡(jiǎn)單探討一下或是推測(cè)這些問(wèn)題的答案。

特斯拉如何降低75% SiC用量?

在2023投資日上,特斯拉并沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明他們是如何做到降低75% SiC用量的,給出降低“用量”的說(shuō)法其實(shí)也比較含糊不清。原因方面,最顯著的是成本問(wèn)題,由于當(dāng)前整個(gè)SiC市場(chǎng)仍然是處于供不應(yīng)求的狀態(tài),所以如果降低SiC器件的用量,可以大幅降低成本;另一方面是,此前有消息稱在過(guò)往的幾年間,特斯拉采用SiC的主逆變器失效率要明顯比IGBT高;除此之外,特斯拉去年向安森美新增了IGBT的訂單,其中有對(duì)SiC供應(yīng)不足和失效率高的擔(dān)憂。

從特斯拉的說(shuō)法中,可以明確的是未來(lái)特斯拉車型中仍會(huì)使用SiC器件,但降低“用量”方面,目前業(yè)界主流的猜測(cè)有兩個(gè)方向:一是采用SiC、Si混合功率模塊;二是通過(guò)器件工藝的提升,來(lái)降低器件成本、SiC器件數(shù)量等。


圖源:SiC、Si、混合功率模塊封裝對(duì)比評(píng)估與失效分析-《中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)》

第一種近期在業(yè)界的討論較多,即大概使用2顆配套6顆IGBT封裝混合模塊,這種模式符合“降低75%用量”的說(shuō)法,同時(shí)還可以靈活調(diào)配。這種方式可以利用SiC和IGBT的優(yōu)勢(shì),通過(guò)系統(tǒng)控制,令SiC運(yùn)行在開(kāi)關(guān)模式中,IGBT運(yùn)行在導(dǎo)通模式。SiC器件在開(kāi)關(guān)模式中損耗低,而IGBT在導(dǎo)通模式中損耗較低,所以這種模式有可能實(shí)現(xiàn)在效率不變的情況下,降低SiC MOSFET的使用量。

其實(shí)去年供應(yīng)鏈也曾傳出特斯拉將導(dǎo)入SiC和IGBT混合功率模塊的消息,結(jié)合目前降低SiC使用量的說(shuō)法,讓混合模塊的路線可信度更高。

不過(guò)也有業(yè)內(nèi)人士表示,SiC MOSFET和IGBT混合模塊也存在一些應(yīng)用上的挑戰(zhàn),包括用于汽車的封裝工藝穩(wěn)定性、IGBT和SiC MOSFET并聯(lián)電路設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)控制等問(wèn)題。

而第二種是器件的工藝升級(jí)。有業(yè)內(nèi)人士分析,目前最新的溝槽SiC MOSFET在同功率下所需的芯片顆數(shù)比目前特斯拉所使用的方案要少很多,算上芯片面積大概是降低了75%以上的SiC晶圓面積使用。所以從某種程度上說(shuō),受益于SiC成本的降低以及器件工藝的提升,實(shí)現(xiàn)SiC用量降低75%也存在很大可能性。

SiC行業(yè)影響幾何

過(guò)去幾年,SiC整個(gè)行業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模都相當(dāng)大,從上游的襯底材料、外延產(chǎn)線,到SiC晶圓廠、功率模塊封裝產(chǎn)線等,都為未來(lái)幾年帶來(lái)了較大的產(chǎn)能預(yù)期。因此難免會(huì)有人想到,如果特斯拉開(kāi)始減少SiC的用量,那未來(lái)這些SiC產(chǎn)能是否會(huì)迅速過(guò)剩?

這個(gè)問(wèn)題是多方面的,由于目前未知特斯拉的具體策略,比如是在目前的所有產(chǎn)品線上都減少SiC用量,還是在未來(lái)的低價(jià)車型中實(shí)行,這都是未知數(shù)。但無(wú)論如何,編者都認(rèn)為這對(duì)于當(dāng)前大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)中的SiC行業(yè)不會(huì)造成太大影響。

當(dāng)前整體市場(chǎng)供應(yīng)缺口較大,很多車企對(duì)于采用SiC的最大顧慮是產(chǎn)能,因?yàn)閾?dān)心供應(yīng)問(wèn)題而未有大規(guī)模推廣SiC的汽車應(yīng)用。畢竟作為第三代半導(dǎo)體,SiC相比IGBT的優(yōu)勢(shì)依然是實(shí)打?qū)嵈嬖诘?,特別在未來(lái)有可能逐步普及的800V高壓平臺(tái)中,SiC相比IGBT的優(yōu)勢(shì)會(huì)更加突出。

未來(lái)如果特斯拉真的在旗下車型上都推行降低SiC使用量的方案,短期內(nèi)特斯拉的車型成本快速下降,對(duì)其他車企的中低端產(chǎn)品可能造成一定沖擊,對(duì)于高端定位的車型來(lái)說(shuō)影響不會(huì)很大。但長(zhǎng)期來(lái)看,隨著產(chǎn)能的進(jìn)一步提升,SiC成本將持續(xù)降低,特斯拉方案的成本優(yōu)勢(shì)也將會(huì)進(jìn)一步被抹平。正如特斯拉在HW4.0平臺(tái)上重新應(yīng)用毫米波雷達(dá)一樣,當(dāng)SiC成本、失效率等降至一定水平后,或許又會(huì)再次擁抱SiC。

再退一步說(shuō),即使汽車端的需求增長(zhǎng)不及預(yù)期,但在新能源汽車之外,光伏、儲(chǔ)能等工業(yè)應(yīng)用依然對(duì)SiC處于剛需狀態(tài)。如果由于特斯拉的需求降低導(dǎo)致SiC產(chǎn)能過(guò)剩,那么在光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的需求能夠快速補(bǔ)充,激活目前受供應(yīng)所限的需求市場(chǎng)。

當(dāng)然,前提是產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)度在預(yù)期之中,以目前的進(jìn)度來(lái)看,業(yè)界普遍認(rèn)為2025年左右才會(huì)真正解決當(dāng)前SiC產(chǎn)能不足的問(wèn)題。如實(shí)際產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)展不及預(yù)期,那么即使特斯拉完全棄用SiC,產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題近幾年內(nèi)都難以出現(xiàn)。

寫(xiě)在最后:

特斯拉總能做出令人意想不到的舉措,對(duì)于業(yè)界來(lái)說(shuō),可能影響更大的是其他車企對(duì)于技術(shù)路線方向的選擇,以及相關(guān)功率模塊供應(yīng)商的產(chǎn)品策略。如果特斯拉的方案真的能顯著降低成本,那么也有可能會(huì)成為未來(lái)中低端車型的一種重要技術(shù)路線。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 特斯拉
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    6413

    瀏覽量

    131386
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3729

    瀏覽量

    69458
  • 特斯拉汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    31

    瀏覽量

    4927
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    產(chǎn)能利用率不足60%!電池行業(yè)開(kāi)啟“反內(nèi)卷”

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)行業(yè)的反內(nèi)卷行動(dòng)仍在繼續(xù),這次蔓延到了電池行業(yè)。2026年開(kāi)年,工業(yè)和信息化部、國(guó)家發(fā)展改革委等四大部門聯(lián)合召集寧德時(shí)代、比亞迪等16家行業(yè)龍頭召開(kāi)座談會(huì)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:43 ?4397次閱讀

    產(chǎn)能過(guò)剩還是供不應(yīng)求?深度解析全球芯片代工市場(chǎng)現(xiàn)狀

    當(dāng)下芯片代工市場(chǎng)并非單純的過(guò)剩或短缺,而是呈現(xiàn)明顯結(jié)構(gòu)性分化:消費(fèi)電子相關(guān)的 28nm 及以上成熟制程需求疲軟、產(chǎn)能利用率下滑,部分代工廠面臨價(jià)格競(jìng)爭(zhēng);而 AI 所需先進(jìn)制程及車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)特色工藝
    的頭像 發(fā)表于 01-29 11:16 ?305次閱讀

    AVX TAJ系列鉭電容產(chǎn)地、產(chǎn)能與交期分析(2025.12.8)

    220美元/公斤漲至2025年365美元/公斤(+65.9%) 設(shè)備與工藝:高精度生產(chǎn)線建設(shè)周期長(zhǎng)(18-24個(gè)月),且受環(huán)保限制 AI需求爆發(fā):AI服務(wù)器單機(jī)用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的3-8倍,導(dǎo)致供需缺口達(dá)
    發(fā)表于 12-09 10:44

    FreeRTOS任務(wù)和協(xié)程的區(qū)別是什么

    定義 協(xié)程例程實(shí)現(xiàn)是通過(guò)一組宏提供的。 4. 條件限制 RAM使用量減少是以在如何構(gòu)建協(xié)程方面的一些嚴(yán)格限制為代價(jià)的。
    發(fā)表于 12-08 08:18

    線路板阻抗匹配:實(shí)操中避開(kāi)的 3 個(gè)設(shè)計(jì)誤區(qū)

    對(duì)應(yīng)固定阻抗值:射頻電路常用 50Ω,視頻信號(hào)多為 75Ω,高速差分信號(hào)如 DDR4 則需 90Ω。設(shè)計(jì)前需根據(jù)芯片手冊(cè)或行業(yè)規(guī)范確定目標(biāo)值,這是后續(xù)操作的基礎(chǔ)。比如設(shè)計(jì)藍(lán)牙模塊時(shí),若未按 50Ω 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)天線線路,會(huì)
    的頭像 發(fā)表于 11-06 15:16 ?341次閱讀

    傾佳電子行業(yè)洞察:中國(guó)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線

    傾佳電子行業(yè)洞察:中國(guó)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線 一些曾被視為行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵瓶頸和熱點(diǎn)議題的技術(shù)挑戰(zhàn),例如柵氧可靠性問(wèn)題以及作為過(guò)渡方案的
    的頭像 發(fā)表于 09-04 16:07 ?724次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>行業(yè)</b>洞察:中國(guó)<b class='flag-5'>SiC</b>功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義<b class='flag-5'>行業(yè)</b>熱點(diǎn)與技術(shù)路線

    特斯拉儲(chǔ)能工廠投產(chǎn):儲(chǔ)能連接器或成新風(fēng)口

    2月11日,特斯拉上海儲(chǔ)能超級(jí)工廠正式投產(chǎn),標(biāo)志著特斯拉在全球儲(chǔ)能領(lǐng)域布局的又一重里程碑。 作為儲(chǔ)能系統(tǒng)的核心組件之一,連接器行業(yè)有望在這一波的市場(chǎng)擴(kuò)張和技術(shù)革新中迎來(lái)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 08-14 15:33 ?954次閱讀
    <b class='flag-5'>特斯拉</b>儲(chǔ)能工廠投產(chǎn):儲(chǔ)能連接器或成新風(fēng)口

    12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)

    宣布研制出12英寸SiC晶錠,正式進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。 ? 功率SiC市場(chǎng)在短短幾年間殺成紅海,隨著產(chǎn)能不斷擴(kuò)張落地,上游襯底價(jià)格持續(xù)下跌。12英寸
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?1.2w次閱讀

    深愛(ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
    發(fā)表于 07-23 14:36

    工業(yè)級(jí)TOPCon電池的低銀量絲網(wǎng)印刷金屬化技術(shù),實(shí)現(xiàn)降銀80%

    本文提出了一種銀含量低的絲網(wǎng)印刷金屬化設(shè)計(jì),通過(guò)在TOPCon太陽(yáng)能電池中使用銀點(diǎn)陣和銀含量低的浮動(dòng)指狀結(jié)構(gòu),顯著減少了銀的使用量,同時(shí)保持了高效率。通過(guò)光致發(fā)光(PL)成像等先進(jìn)診斷表征界面質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:04 ?1099次閱讀
    工業(yè)級(jí)TOPCon電池的低銀量絲網(wǎng)印刷金屬化技術(shù),實(shí)現(xiàn)降銀80%

    理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車上的大規(guī)模應(yīng)用,到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時(shí)間,行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件,由于SiC襯底材料本身存在的缺陷導(dǎo)致器件一致
    的頭像 發(fā)表于 06-09 08:03 ?1.3w次閱讀
    理想汽車自研<b class='flag-5'>SiC</b>團(tuán)隊(duì)成果:提高<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET可靠性的方式

    Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

    近日,行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì),也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的沖擊。作為最早布局SiC領(lǐng)域的龍頭企業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-26 11:36 ?1038次閱讀
    Wolfspeed破產(chǎn)重組 <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b>格局生變

    中國(guó)為何同時(shí)面臨算力過(guò)剩與短缺 ?

    中國(guó)為何同時(shí)面臨算力過(guò)剩與短缺 ?
    的頭像 發(fā)表于 04-24 15:02 ?1354次閱讀
    中國(guó)為何同時(shí)面臨算力<b class='flag-5'>過(guò)剩</b>與短缺 ?

    TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理

    可能獲取滿足化學(xué)計(jì)量比的SiC熔體。如此嚴(yán)苛的條件,使得通過(guò)傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來(lái)生長(zhǎng)SiC單晶變得極為困難,不僅對(duì)設(shè)備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻,還會(huì)導(dǎo)致
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:28 ?1312次閱讀
    TSSG法生長(zhǎng)<b class='flag-5'>SiC</b>單晶的原理

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    CMRR低(典型值<60dB),易受SiC MOSFET高速開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的高頻EMI影響,造成波形畸變,嚴(yán)重者會(huì)導(dǎo)致炸管。光隔離探頭的改進(jìn): 1.低寄生參數(shù)設(shè)計(jì): 1pF寄生電容幾乎不
    發(fā)表于 04-08 16:00