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2021年3月，科技部正式復函支持蘇州市建設國家生物藥技術創(chuàng)新中心、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心、國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)（以下簡稱“一區(qū)兩中心”）。

同年4月，蘇州市“一區(qū)兩中心”建設推進大會召開，會上發(fā)布了“一區(qū)兩中心”若干意見及有關產(chǎn)業(yè)政策，作為主要實施地的蘇州工業(yè)園區(qū)提出了相關建設愿景。“一區(qū)兩中心”揭牌啟動。

國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設兩年以來，瞄準國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關鍵技術研發(fā)為核心使命，進一步推動我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術融合點和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。

截至目前，園區(qū)已集聚相關企業(yè)超1100家，相關產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1400億元，在積極服務國家戰(zhàn)略的同時，為提升園區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力提供了關鍵支撐。

加強基礎研究，攻堅核心技術

國創(chuàng)中心聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術瓶頸，實現(xiàn)在電力電子、微波射頻和光電子領域的應用突破，增強我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力和主導力。

目前，國創(chuàng)中心承擔省級以上重大研發(fā)項目7項，組織“揭榜掛帥”項目3個，在大尺寸氮化鎵材料制備等領域取得重大突破，形成了以“設備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應用”為支撐的完整產(chǎn)業(yè)鏈，并在國際上率先突破了6英寸單晶襯底等一批前沿技術。

重大項目的申報、“揭榜掛帥”的實施，強化突出企業(yè)創(chuàng)新主體地位，形成了以企業(yè)為主體、市場為導向、產(chǎn)學研用深度融合的技術創(chuàng)新體系，營造了科研攻關能者上的創(chuàng)新生態(tài)。目前，國創(chuàng)中心已培育支撐蘇州納維、晶湛半導體、漢驊半導體、度亙激光、芯三代半導體等代表性企業(yè)，著力從創(chuàng)新源頭發(fā)力，培育產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能。

完善科研平臺，建強創(chuàng)新載體

面向關鍵技術攻關方向，國創(chuàng)中心打造了一批具有公共屬性的、覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的、開放的科研平臺，暢通創(chuàng)新生態(tài)鏈，促進第三代半導體整體科技水平提升。

2022年1月，國創(chuàng)中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地開工，這是園區(qū)打造第三代半導體創(chuàng)新高地、產(chǎn)業(yè)集群的重大基礎設施，將有力支撐第三代半導體關鍵技術攻關和科技成果轉(zhuǎn)化。

2022年6月，面向關鍵技術攻關方向，國創(chuàng)中心新啟動氮化鎵同質(zhì)外延技術聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術聯(lián)合研發(fā)中心聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心等8家聯(lián)合研發(fā)中心。同時，國創(chuàng)中心首支規(guī)模3億元基金-蘇州荷塘創(chuàng)芯基金同期簽約成立，專門用于國創(chuàng)中心項目孵化。

2022年11月，國創(chuàng)中心與中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院合作共建的三微電子總部大樓落成開業(yè)，將打造國際一流的第三代半導體研發(fā)中心、先進微系統(tǒng)組裝中心、高端芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化高地。

2022年12月，國創(chuàng)中心材料生長創(chuàng)新平臺和器件工藝平臺完工，建成全鏈條研發(fā)支撐平臺，突破材料創(chuàng)新關鍵共性技術和工藝關鍵環(huán)節(jié)，實現(xiàn)裝備、技術、人才的源頭供給。

目前，國創(chuàng)中心與全國知名高校、院所、企業(yè)設立17個聯(lián)合研發(fā)中心，建立了比肩國際一流科研機構的公共服務平臺，以關鍵技術研發(fā)為核心使命，產(chǎn)學研協(xié)同推動科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化，為區(qū)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術供給。

此外，國創(chuàng)中心成立長三角第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟等開放合作平臺，充分調(diào)動各類創(chuàng)新主體的積極性，形成國家第三代半導體知識產(chǎn)權、人才培養(yǎng)以及信息交流的共享創(chuàng)新網(wǎng)絡，形成跨區(qū)域、跨行業(yè)、跨學科、跨領域的技術創(chuàng)新能力。

打造人才高地，鍛造硬核力量

國創(chuàng)中心以高起點、高標準建設結構合理的高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才團隊，形成一支年齡結構合理、學歷層次高、專業(yè)覆蓋面廣、技術力量雄厚、產(chǎn)學研聯(lián)系緊密的科研隊伍。

國創(chuàng)中心組建了由中國科學院院士郝躍等10位院士領銜的技術專家委員會，匯聚了國內(nèi)外技術前沿的一流科學家、學科領軍人才和科研團隊，梳理產(chǎn)業(yè)長遠發(fā)展必須解決的技術難題，組織上下游團隊協(xié)力攻關。

目前，國創(chuàng)中心已吸引30余位國內(nèi)外高層次領軍人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)，形成規(guī)模300人的核心科研團隊。

拉開集群大幕，堅持自立自強

當前，國創(chuàng)中心圍繞國家戰(zhàn)略需求和國際產(chǎn)業(yè)競爭焦點，瞄準產(chǎn)業(yè)前沿引領技術和關鍵共性技術研發(fā)和應用，著力打造一流的第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)。

下一步，國創(chuàng)中心將持續(xù)以關鍵共性技術攻關為核心使命，強化政策引領和機制體制創(chuàng)新，夯實產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎，支持創(chuàng)新主體引培、公共技術服務平臺建設、高端人才引育等，營造更優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)，全面推進科技自立自強，加快我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。