據(jù)外媒報道，臺積電作為全球晶圓代工領(lǐng)軍企業(yè)，已經(jīng)開始開發(fā)2納米制程，拉大了與競爭對手的差距。最近，臺積電還準(zhǔn)備為蘋果和英偉達(dá)試產(chǎn)2納米產(chǎn)品，并計劃派遣約1000名研發(fā)人員前往其正在建設(shè)中的Fab 20晶圓廠工作。與此同時，三星電子在2022年6月率先采用GAA技術(shù)開始量產(chǎn)3納米制程芯片，比臺積電提前6個月，成為全球首家量產(chǎn)該制程技術(shù)的企業(yè)。受到三星的沖擊，臺積電高層多次公開表態(tài)加速2納米制程技術(shù)的發(fā)展，并形成了先進(jìn)制程的競賽態(tài)勢。

除了臺積電，曾宣布重新進(jìn)入晶圓代工業(yè)務(wù)的處理器巨頭英特爾也加入了先進(jìn)制程的研發(fā)競賽。英特爾在6月1日的線上活動中公布了其芯片背面電源解決方案PowerVia的技術(shù)發(fā)展、測試數(shù)據(jù)和路線圖，擴(kuò)大了其在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的影響力。據(jù)報道，目前臺積電也在開發(fā)芯片背面供電技術(shù)，并計劃在2026年實現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用。

此外，英特爾設(shè)定了一個目標(biāo)，即在2024年下半年將其代工技術(shù)推進(jìn)到1.8納米的節(jié)點，并與ARM建立合作伙伴關(guān)系，以實現(xiàn)1.8納米制程技術(shù)的量產(chǎn)。然而，市場人士對于英特爾未來的挑戰(zhàn)有一些不確定性，即使按照路線圖取得成功，達(dá)到收支平衡仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。整體而言，全球芯片代工行業(yè)正迎來先進(jìn)制程的競爭和發(fā)展。

報道還說明了臺積電另一競爭對手三星的情況，就是三星DS部門總裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演講中表示，三星計劃超越臺積電，目標(biāo)就是從比臺積電更早使用GAA技術(shù)的2納米制程開始。

事實上，臺積電除了先進(jìn)制程之外，也透過先進(jìn)封裝技術(shù)來維持技術(shù)的領(lǐng)先。不久前，臺積電就宣布先進(jìn)封測六廠啟用正式啟用，成為臺積電首家達(dá)成前后端制程 3DFabric 整合一體化自動化先進(jìn)封測廠和測試服務(wù)工廠。同時，也為TSMC-SoIC（系統(tǒng)整合芯片）制程技術(shù)的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。先進(jìn)封測六廠的啟用，將使臺積電對SoIC、InFO、CoWoS、先進(jìn)測試等各項TSMC 3DFabric先進(jìn)封裝與硅堆疊技術(shù)，擁有更完整及靈活的產(chǎn)能規(guī)劃之外，也帶來更高的生產(chǎn)良率與效能協(xié)同效應(yīng)。

臺積電營運(yùn)/先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)、品質(zhì)暨可靠性副總經(jīng)理何軍表示，微晶片堆棧是提升芯片效能與成本效益的關(guān)鍵技術(shù)，因應(yīng)強(qiáng)勁的三度集成電路市場需求，臺積電已完成先進(jìn)封裝及矽堆疊技術(shù)產(chǎn)能的提前部署，透過3DFabric平臺提供技術(shù)領(lǐng)先與滿足客戶需求產(chǎn)能，共同實現(xiàn)跨時代科技創(chuàng)新，成為客戶長期信賴的重要伙伴。

據(jù)報道，三星也在迎頭趕上臺積電，計劃從2納米制程開始超越對手。臺積電除了在先進(jìn)制程方面保持領(lǐng)先地位外，還通過先進(jìn)封裝技術(shù)來增強(qiáng)競爭力。最近，臺積電啟用了先進(jìn)封測六廠，實現(xiàn)了前后端制程的整合，為TSMC-SoIC制程技術(shù)的量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。這將使得臺積電在SoIC、InFO、CoWoS以及先進(jìn)測試等方面具備更完整和靈活的產(chǎn)能規(guī)劃，并提高生產(chǎn)良率和效能。

臺積電的營運(yùn)/先進(jìn)封裝技術(shù)副總經(jīng)理何軍表示，微晶片堆棧是提升芯片性能和成本效益的關(guān)鍵技術(shù)。為滿足市場需求，臺積電提前部署了先進(jìn)封裝和硅堆疊技術(shù)產(chǎn)能，并通過3DFabric平臺提供技術(shù)領(lǐng)先和滿足客戶需求的產(chǎn)能，成為客戶長期信賴的重要合作伙伴。全球芯片代工行業(yè)正在競爭和發(fā)展先進(jìn)制程和封裝技術(shù)。

編輯：黃飛