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國(guó)產(chǎn)P溝道功率MOS管ASDM60P25KQ用于電機(jī)電源控制板作負(fù)載開關(guān)

國(guó)芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-05-06 17:04 ? 次閱讀
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本項(xiàng)目是一個(gè)電機(jī)電源控制板,主要功能是控制4個(gè)200W的大功率直流電機(jī)的供電電源,電機(jī)供電電源24V,4個(gè)電機(jī)的工作電流大約30A左右。由于是在電源正極對(duì)電機(jī)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)控制,所以最適合的就是選擇P溝道MOSFET作為電源開關(guān)控制器件。

對(duì)于P溝道MOS器件的選型,首先需要確定的是系統(tǒng)最大的連續(xù)工作電流,在本項(xiàng)目中需要選擇連續(xù)電流大于30A的P溝道MOS;考慮到電機(jī)工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較大的瞬時(shí)電流,在P溝道MOS選型的過程中一定要留夠負(fù)載電流余量。另外在大電流負(fù)載的情況下,還需要考慮系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。通過選型對(duì)比最終選擇安森德的ASDM60P25KQ作為電機(jī)電源的控制開關(guān)。

ASDM60P25KQ主要電氣性能參數(shù):

●BVDSS:-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V:32m?

●ID:-25A

●Vgs=±20V

●PD為60W(TC =25oC)

●R?JA為50oC/W (最大值)。

ASDM60P25KQ基本特征:

●高密度電池設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力●溝道功率低壓MOSFET技術(shù)●出色的散熱封裝●100%雪崩測(cè)試●提供TO-252-2L封裝通過上面的電氣參數(shù)和器件特征可以得知ASDM60P25KQ的導(dǎo)通電阻小,持續(xù)過流能力可以達(dá)到25A,當(dāng)VGS=-10V的時(shí)候?qū)娮鑂DS的典型值為32mΩ;另外對(duì)于大功率器件散熱是必須要做好的,否則一方面會(huì)有損壞器件的風(fēng)險(xiǎn),另一方面電子產(chǎn)品長(zhǎng)期在高溫條件下工作也會(huì)影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和使用壽命。對(duì)比國(guó)外品牌萬代的AOD407電氣性能參數(shù):ASDM60P25KQ具有更低的導(dǎo)通電阻,更大的耗散功率,相當(dāng)于在同樣的負(fù)載電流情況下ASDM60P25KQ的發(fā)熱量會(huì)低10%左右。ASDM60P25KQ是國(guó)產(chǎn)器件,具有貨源好和更高的性價(jià)比,適合應(yīng)用于各種新產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及老產(chǎn)品的更新?lián)Q代。實(shí)際測(cè)試中,器件在30A負(fù)載條件下不做散熱處理不能長(zhǎng)期運(yùn)行,會(huì)損壞器件,工程師設(shè)計(jì)需增加一塊大的散熱器,器件溫度長(zhǎng)期穩(wěn)定在70oC左右。下圖是安森德的P溝道功率MOS管ASDM60P25KQ實(shí)物圖:a438d288-c721-11ec-8521-dac502259ad0.png

安森德ASDM60P25KQ可替代萬代AOD407、臺(tái)灣微碧2SJ601-Z,

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