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通用分立功率半導(dǎo)體

測(cè)試評(píng)估平臺(tái)

型號(hào)為EVAL_PS_DP_MAIN，適用產(chǎn)品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET。

該評(píng)估平臺(tái)的開(kāi)發(fā)是為了讓工程師研究MOSFET、IGBT及其驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)行為，適用產(chǎn)品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET， SiC MOSFET，它是現(xiàn)有雙脈沖平臺(tái)的改進(jìn)版，該主板的最大電壓為800V，最大脈沖電流為130A。

評(píng)估平臺(tái)包括主板和目前的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)子板。模塊化設(shè)計(jì)是為了使該平臺(tái)能夠在將來(lái)用新的驅(qū)動(dòng)子板進(jìn)行擴(kuò)展。

第一塊驅(qū)動(dòng)卡

REF-1EDC20I12MHDPV2

包含EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC20I12MH，它集成了一個(gè)有源米勒鉗，防止寄生開(kāi)啟。

第二塊驅(qū)動(dòng)卡

REF-1EDC60H12AHDPV2

包括EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC60H12AH，允許正負(fù)電源供電，其中VCC2為+15V，GND2為負(fù)極。

產(chǎn)品特點(diǎn)

VCC2柵極驅(qū)動(dòng)電壓供應(yīng)，從-5V到+20V

VCC1電源固定在+5V

通過(guò)SMA-BNC連接器進(jìn)行柵極測(cè)試點(diǎn)連接

通過(guò)可選的同軸分流器測(cè)量電流

優(yōu)化的換流回路

外部負(fù)載電感器連接

散熱器設(shè)計(jì)允許在各種溫度下進(jìn)行測(cè)試

應(yīng)用價(jià)值

可以作為客戶(hù)系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的參考

可以對(duì)TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET, SiC MOSFET進(jìn)行對(duì)比測(cè)試

模塊化平臺(tái)允許未來(lái)進(jìn)行擴(kuò)展

平臺(tái)框圖