91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 采用650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT3千瓦半橋感應(yīng)加熱評(píng)估板

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2022-03-01 09:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

EVAL-IHW65R62EDS06J

39129d12-98ba-11ec-9d5f-dac502259ad0.png

這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVER IGBT驅(qū)動(dòng)器,產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)加熱而設(shè)計(jì)

39352508-98ba-11ec-9d5f-dac502259ad0.gif

這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板EVAL-IHW65R62EDS06J采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT,產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)加熱而設(shè)計(jì)。評(píng)估板展示了R6 IGBT的功能和關(guān)鍵特性,展示了R6 IGBT與基于英飛凌SOI技術(shù)的EiceDRIVER IC的功能和關(guān)鍵特性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

該板是一個(gè)典型的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電磁爐系統(tǒng)

采用新一代的650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT單管

帶四種不同的柵極驅(qū)動(dòng)IC(EiceDRIVER 2ED2x系列)子板

這塊評(píng)估板可以在設(shè)計(jì)過程用于評(píng)估和測(cè)量系統(tǒng)和器件特性

輸入電壓:180-270Vdc

最大輔助電源電壓:20Vdc

標(biāo)稱輸出功率:3千瓦

應(yīng)用價(jià)值

易于測(cè)量IGBT的波形

易于更換諧振線圈

易于評(píng)估不同的柵極驅(qū)動(dòng)IC

直接貼近器件進(jìn)行熱測(cè)量

應(yīng)用領(lǐng)域

感應(yīng)加熱

變頻微波爐

框圖

394343f4-98ba-11ec-9d5f-dac502259ad0.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 評(píng)估板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    931

    瀏覽量

    31205
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiLM2285CA-DG 600V/4A高壓驅(qū)動(dòng) 適合IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)

    SiLM2285CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,專為拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。采用專有的高壓集成電路和鎖存免疫CMOS技術(shù),提供高可靠性的單芯片驅(qū)動(dòng)解決方案。其浮
    發(fā)表于 03-10 08:24

    探索LMG2640:650V GaN的卓越性能與應(yīng)用潛力

    探索LMG2640:650V GaN的卓越性能與應(yīng)用潛力 在當(dāng)今的電子世界中,高效、緊湊的電源解決方案需求日益增長(zhǎng)。氮化鎵(GaN)技術(shù)的出現(xiàn),為電源設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的突破。今天,我們將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?550次閱讀

    LMG2652:650V 140mΩ GaN 芯片的卓越性能與應(yīng)用解析

    LMG2652:650V 140mΩ GaN 芯片的卓越性能與應(yīng)用解析 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高效、緊湊且性能卓越的功率器件是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)電源解決方案的關(guān)鍵。德州儀器(TI)推出的 LMG2652
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?518次閱讀

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN的卓越性能與應(yīng)用

    了驅(qū)動(dòng)器和電流感應(yīng)仿真功能的650V 230mΩ GaN,探討其特性、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 文件下載: lmg2656.pdf 特性亮點(diǎn) 強(qiáng)大的電氣性能 LMG2656集成了
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?535次閱讀

    LMG2650:650V 95mΩ GaN集成驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    的高性能產(chǎn)品——LMG2650,一款集成了驅(qū)動(dòng)器和電流感應(yīng)仿真功能的650V 95mΩ GaN器件。 文件下載: lmg2650.pdf 1. 產(chǎn)品特性亮點(diǎn) 1.1 高集成度設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?512次閱讀

    新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

    新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將功率級(jí)集成于小型
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:09 ?2731次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第五代氮化鎵CoolGaN? <b class='flag-5'>650V</b> G5雙通道晶體管

    新品 | 采用架構(gòu)的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估設(shè)計(jì)

    新品采用架構(gòu)的1ED3330MC12M隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估設(shè)計(jì)該
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:06 ?932次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>架構(gòu)的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的<b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>設(shè)計(jì)

    FRDMGD3160DSBHB評(píng)估:設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

    評(píng)估套件,上搭載了兩個(gè)GD3160單通道柵極驅(qū)動(dòng)器件。該套件旨在為工程師提供一個(gè)便捷的平臺(tái),用于評(píng)估和開發(fā)與IGBT或SiC模塊相關(guān)的
    的頭像 發(fā)表于 12-25 10:55 ?599次閱讀

    探索 EVAL - IHW25N140R5L:2kW 感應(yīng)加熱評(píng)估的深度剖析

    EVAL-IHW25N140R5L評(píng)估.pdf 評(píng)估概述 EVAL - IHW25N140R
    的頭像 發(fā)表于 12-19 16:40 ?1295次閱讀

    龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

    隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列
    的頭像 發(fā)表于 10-24 14:03 ?2067次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出四款<b class='flag-5'>650V</b> F<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>新品</b>

    LMG2656 650V、230mΩ GaN ,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成
    的頭像 發(fā)表于 08-06 16:40 ?1131次閱讀
    LMG2656 <b class='flag-5'>650V</b>、230mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供
    的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?1224次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>650V</b> CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

    KP85302SGA 650V集成自舉二極管的柵極驅(qū)動(dòng)器核心設(shè)計(jì)

    場(chǎng)景穩(wěn)定工作 死區(qū)時(shí)間控制復(fù)雜 硬件互鎖+自動(dòng)死區(qū)插入 避免MCU死區(qū)計(jì)算錯(cuò)誤導(dǎo)致直通 典型應(yīng)用場(chǎng)景 ?功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,家電 ?照明,LED 電源 ?感應(yīng)加熱 ?DC-AC 轉(zhuǎn)換器 #KP85302 #KP85302SGA #
    發(fā)表于 06-25 08:34

    一體化全移相感應(yīng)加熱

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一體化全移相感應(yīng)加熱.zip》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-20 17:11 ?6次下載

    新品 | 采用CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估

    新品采用CoolSiCMOSFET的7.5千瓦電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估EVAL-FS33MR12W1M1HM5是
    的頭像 發(fā)表于 03-11 17:03 ?1364次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)器<b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>