91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

LMG2650:650V 95mΩ GaN半橋集成驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

lhl545545 ? 2026-03-01 15:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

LMG2650:650V 95mΩ GaN半橋集成驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)正以其卓越的性能逐漸嶄露頭角。今天,我們就來深入探討一款由德州儀器TI)推出的高性能產(chǎn)品——LMG2650,一款集成了驅(qū)動(dòng)器和電流感應(yīng)仿真功能的650V 95mΩ GaN半橋器件。

文件下載:lmg2650.pdf

1. 產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

1.1 高集成度設(shè)計(jì)

LMG2650將半橋功率FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉FET和高端柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器集成在一個(gè)6mm×8mm的QFN封裝中。這種集成化設(shè)計(jì)大大簡化了電路板的設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量和占用空間,同時(shí)也降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本。

1.2 出色的電氣性能

  • 耐壓與低導(dǎo)通電阻:具備650V的額定電壓,能夠滿足離線電源開關(guān)應(yīng)用中遇到的高電壓需求。同時(shí),低側(cè)和高側(cè)GaN FET的導(dǎo)通電阻僅為95mΩ,有效降低了導(dǎo)通損耗,提高了功率轉(zhuǎn)換效率。
  • 低傳播延遲的柵極驅(qū)動(dòng)器:集成的柵極驅(qū)動(dòng)器傳播延遲小于100ns,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動(dòng)作,提高了開關(guān)頻率,有助于減小磁性元件的尺寸,進(jìn)一步提高系統(tǒng)的功率密度。
  • 編程的開通壓擺率控制:提供了可編程的開通壓擺率控制功能,通過設(shè)置RDRVL和RDRVH引腳的電阻,可以將低側(cè)和高側(cè)GaN FET的開通壓擺率分別編程為四種離散設(shè)置之一。這使得設(shè)計(jì)師可以根據(jù)具體應(yīng)用需求,靈活調(diào)整壓擺率,以平衡功率損耗、開關(guān)引起的振鈴和電磁干擾(EMI)。

1.3 先進(jìn)的保護(hù)功能

  • 過流保護(hù):支持低側(cè)和高側(cè)逐周期過流保護(hù),當(dāng)檢測(cè)到GaN FET的漏極電流超過過流閾值時(shí),能夠迅速關(guān)閉相應(yīng)的FET,避免器件因過流損壞。同時(shí),在過流故障發(fā)生時(shí),還能產(chǎn)生快速上升的模擬電流感應(yīng)信號(hào),防止控制器進(jìn)入掛起狀態(tài)。
  • 過溫保護(hù):具備獨(dú)立的低側(cè)和高側(cè)過溫保護(hù)功能,當(dāng)檢測(cè)到溫度超過設(shè)定的閾值時(shí),會(huì)阻止相應(yīng)的FET導(dǎo)通,避免因過熱導(dǎo)致器件性能下降或損壞。
  • 欠壓鎖定(UVLO):AUX和BST引腳均具備欠壓鎖定功能,當(dāng)電源電壓低于設(shè)定的閾值時(shí),會(huì)阻止相應(yīng)的FET導(dǎo)通,確保器件在安全的電壓范圍內(nèi)工作。

1.4 低靜態(tài)電流與快速啟動(dòng)

  • 低靜態(tài)電流:AUX和BST引腳在空閑和待機(jī)狀態(tài)下的靜態(tài)電流都非常低,分別為250μA和70μA(AUX待機(jī)時(shí)為50μA),這有助于降低系統(tǒng)在輕載或待機(jī)模式下的功耗,提高系統(tǒng)的整體效率。
  • 快速啟動(dòng):高側(cè)啟動(dòng)時(shí)間小于8μs,能夠快速響應(yīng)系統(tǒng)的啟動(dòng)需求,滿足一些對(duì)啟動(dòng)時(shí)間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

2. 引腳配置與功能詳解

2.1 引腳配置

LMG2650采用19引腳的VQFN封裝,各引腳的功能如下表所示: PIN NAME NO. TYPE (1) DESCRIPTION
NC 1, 6, 9, 11 NC 用于將QFN封裝固定到PCB上,必須焊接到PCB焊盤上,且該焊盤不能與PCB上的其他金屬物理連接
INH 2 I 高端柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入,參考AGND,信號(hào)內(nèi)部電平轉(zhuǎn)換后傳輸?shù)礁叨薌aN FET驅(qū)動(dòng)器
INL 3 I 低端柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入,參考AGND
CS 4 O 電流感應(yīng)仿真輸出,輸出GaN FET電流的縮放副本,可通過連接電阻到AGND來創(chuàng)建電流感應(yīng)電壓信號(hào)
SL 5, 7 P 低端GaN FET源極,低端散熱焊盤,內(nèi)部連接到AGND
DH 8 P 高端GaN FET漏極
SW 10, 15 P GaN FET半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn),位于高端GaN FET源極和低端GaN FET漏極之間,高端散熱焊盤
GDH 12 I 高端柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入,參考SW,信號(hào)直接連接到高端GaN FET驅(qū)動(dòng)器
RDRVH 13 I 高端驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制電阻,通過設(shè)置與SW之間的電阻來編程高端GaN FET的開通壓擺率
BST 14 P 自舉電壓軌,高端電源電壓,內(nèi)部提供AUX和BST之間的自舉二極管功能
RDRVL 16 I 低端驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制電阻,通過設(shè)置與AGND之間的電阻來編程低端GaN FET的開通壓擺率
AGND 17 G 低端模擬地,內(nèi)部連接到SL
AUX 18 P 輔助電壓軌,低端電源電壓,需連接旁路電容到AGND
EN 19 I 使能引腳,用于在活動(dòng)和待機(jī)模式之間切換

2.2 引腳功能注意事項(xiàng)

  • 輸入引腳:INH、INL、EN和GDH引腳都有正向偏置的ESD二極管連接到相應(yīng)的電源引腳(AUX或BST),因此在使用時(shí)應(yīng)避免將這些引腳的電壓驅(qū)動(dòng)高于相應(yīng)的電源電壓,以免損壞ESD二極管。
  • 壓擺率編程引腳:RDRVL和RDRVH引腳用于編程低側(cè)和高側(cè)GaN FET的開通壓擺率,具體的電阻設(shè)置可以參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的推薦值。需要注意的是,壓擺率設(shè)置是在AUX或BST電源上電時(shí)一次性確定的。
  • 電流感應(yīng)引腳:CS引腳的電流感應(yīng)仿真功能可以替代傳統(tǒng)的電流感應(yīng)電阻,通過將CS引腳的輸出電流通過電阻轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),提供給外部電源控制器。同時(shí),CS引腳內(nèi)部有典型值為2.5V的鉗位保護(hù),防止過壓損壞控制器的電流感應(yīng)輸入引腳。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域與典型電路

3.1 應(yīng)用領(lǐng)域

LMG2650的高性能和高集成度使其適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括:

  • 移動(dòng)壁式充電器設(shè)計(jì):能夠滿足快速充電和高效功率轉(zhuǎn)換的需求,提高充電速度和效率。
  • USB壁式電源插座:為USB設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源供應(yīng)。
  • AC/DC輔助電源:適用于各種電子設(shè)備的輔助電源模塊,提供可靠的電源支持。
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng):其可編程的開通壓擺率和低靜態(tài)電流特性,使其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中能夠有效降低EMI和功耗。

3.2 典型電路示例

3.2.1 LLC應(yīng)用

在LLC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,LMG2650可以與LLC控制器配對(duì)使用,實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率的功率轉(zhuǎn)換。該應(yīng)用的設(shè)計(jì)要求如下: SPECIFICATION VALUE
Input DC voltage range 365VDC to 410VDC
Output DC voltage 48V
Ouput rated current 5A
Output voltage ripple at 390VDC 120mVpp
Peak efficiency at 390VDC 93%

詳細(xì)的設(shè)計(jì)過程需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求進(jìn)行調(diào)整,包括選擇合適的磁性元件、電容和電阻等。同時(shí),還需要注意電路板的布局和布線,以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。

3.2.2 AHB應(yīng)用

在AHB轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,LMG2650可以與AHB控制器配合使用,實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)。通過合理設(shè)計(jì)電路參數(shù)和布局,可以提高系統(tǒng)的性能和可靠性。

3.2.3 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,LMG2650可以用于控制電機(jī)的開關(guān)動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速和控制。其超低的壓擺率設(shè)置能夠有效降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)過程中的EMI,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

4. 設(shè)計(jì)與使用建議

4.1 電源供應(yīng)

LMG2650通過AUX引腳連接單個(gè)輸入電源,BST引腳由AUX引腳內(nèi)部供電。建議使用與電源控制器相同的電源管理和供應(yīng)系統(tǒng),AUX電壓范圍推薦為10V至26V,該范圍與常見控制器的供電引腳開啟和UVLO電壓限制重疊。同時(shí),AUX外部電容建議使用陶瓷電容,其容量應(yīng)至少為BST - SW電容的三倍。

4.2 電路板布局

4.2.1 焊點(diǎn)應(yīng)力緩解

由于LMG2650采用較大的QFN封裝,可能會(huì)面臨較高的焊點(diǎn)應(yīng)力。為了緩解焊點(diǎn)應(yīng)力,需要遵循以下最佳實(shí)踐:

  • 按照數(shù)據(jù)手冊(cè)中關(guān)于NC錨定引腳的說明進(jìn)行操作。
  • 所有電路板焊盤應(yīng)采用非阻焊定義(NSMD)方式,可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的焊盤圖案示例。
  • 連接到NSMD焊盤的電路板走線,在連接焊盤一側(cè)的寬度應(yīng)小于焊盤寬度的2/3,且在未被阻焊層覆蓋的部分應(yīng)保持該寬度限制,被阻焊層覆蓋后則無寬度限制。

4.2.2 信號(hào)接地連接

為了減少電源供應(yīng)中的噪聲干擾,建議設(shè)計(jì)獨(dú)立的信號(hào)地和功率地,并僅在一處連接。將LMG2650的AGND引腳連接到信號(hào)地,SL引腳和低側(cè)散熱焊盤連接到功率地,由于AGND、SL和低側(cè)散熱焊盤內(nèi)部是相連的,因此LMG2650作為信號(hào)地和功率地的單點(diǎn)連接點(diǎn),避免在電路板的其他位置連接信號(hào)地和功率地。

4.2.3 CS引腳信號(hào)處理

由于電流感應(yīng)信號(hào)的阻抗比傳統(tǒng)電流感應(yīng)信號(hào)高三個(gè)數(shù)量級(jí),因此CS引腳信號(hào)更容易受到噪聲干擾。為了減少噪聲影響,應(yīng)盡量避免將電流感應(yīng)信號(hào)走線靠近任何嘈雜的走線,將電流感應(yīng)電阻和濾波電容放置在靠近控制器電流感應(yīng)輸入引腳的走線遠(yuǎn)端。

5. 總結(jié)

LMG2650作為一款高性能的GaN半橋集成驅(qū)動(dòng)器,憑借其高集成度、出色的電氣性能、先進(jìn)的保護(hù)功能和低靜態(tài)電流等優(yōu)點(diǎn),為電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了一種優(yōu)秀的解決方案。無論是在移動(dòng)充電器、USB電源插座、AC/DC輔助電源還是電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,LMG2650都能夠發(fā)揮其卓越的性能,幫助工程師們?cè)O(shè)計(jì)出更高效、更緊湊的電源系統(tǒng)。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇電路參數(shù)和進(jìn)行電路板布局,以充分發(fā)揮LMG2650的性能優(yōu)勢(shì)。你在使用類似的GaN器件時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源管理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    117

    文章

    7235

    瀏覽量

    148004
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

    LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將
    的頭像 發(fā)表于 02-24 10:43 ?1091次閱讀
    技術(shù)文檔:<b class='flag-5'>LMG</b>3616 具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>和保護(hù)功能的 <b class='flag-5'>650V</b> 270<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b> FET

    技術(shù)資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN ,具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)功能

    LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET ,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換
    的頭像 發(fā)表于 02-24 15:07 ?1117次閱讀
    技術(shù)資料#<b class='flag-5'>LMG</b>2610 用于 ACF 的 <b class='flag-5'>650V</b> 170/248<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>,具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、保護(hù)和電流感應(yīng)功能

    具有集成驅(qū)動(dòng)器650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表
    發(fā)表于 03-21 10:20 ?0次下載
    具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>的 <b class='flag-5'>650V</b> 120<b class='flag-5'>m</b>? <b class='flag-5'>GaN</b> FET <b class='flag-5'>LMG</b>3612數(shù)據(jù)表

    LMG2652 650V、140mΩ GaN,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

    LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 。該
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:46 ?863次閱讀
    <b class='flag-5'>LMG</b>2652 <b class='flag-5'>650V</b>、140<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>,<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

    LMG2640 650V 105mΩ GaN ,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

    LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET ,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2
    的頭像 發(fā)表于 02-21 14:14 ?917次閱讀
    <b class='flag-5'>LMG</b>2640 <b class='flag-5'>650V</b> 105<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>,<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

    LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

    LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將
    的頭像 發(fā)表于 02-21 14:37 ?862次閱讀
    <b class='flag-5'>LMG</b>3614 具有<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>和保護(hù)功能的 <b class='flag-5'>650V</b> 170<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b> FET概述

    技術(shù)資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN ,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

    LMG2650 是一個(gè) 650V 95mΩ GaN 功率 FET 。該
    的頭像 發(fā)表于 02-24 09:37 ?910次閱讀
    技術(shù)資料#<b class='flag-5'>LMG2650</b> <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>95m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>,<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、保護(hù)和電流感應(yīng)

    LMG2656 650V、230mΩ GaN 集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET。該
    的頭像 發(fā)表于 08-06 16:40 ?1119次閱讀
    <b class='flag-5'>LMG</b>2656 <b class='flag-5'>650V</b>、230<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>,<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>、保護(hù)和電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力

    lmg3650r070.pdf 一、產(chǎn)品特性亮點(diǎn) 1. 強(qiáng)大的性能參數(shù) 集成驅(qū)動(dòng)與高耐壓 :LMG365xR070集成了柵極
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?508次閱讀

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN卓越性能與應(yīng)用

    驅(qū)動(dòng)器和電流感應(yīng)仿真功能的650V 230mΩ GaN,探討其特性、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?513次閱讀

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

    650V 30mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能,為開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換帶來了新
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:10 ?496次閱讀

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)卓越性能

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?482次閱讀

    LMG2652:650V 140mΩ GaN 芯片的卓越性能與應(yīng)用解析

    LMG2652:650V 140mΩ GaN 芯片的卓越
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?489次閱讀

    探索LMG2640:650V GaN卓越性能與應(yīng)用潛力

    德州儀器(TI)的LMG2640,一款集成650V GaN功率FET的創(chuàng)新產(chǎn)品,看看它如何
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?527次閱讀

    深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

    LMG352xR050系列650V 50mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?539次閱讀