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      三星向外界公布 GAA MBCFET 技術最新進展

      微云疏影 ? 來源：綜合整理 ? 作者：綜合整理 ? 2023-06-26 09:40 ? 次閱讀
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      5月9日，三星Foundry在以色列舉行的半導體展覽chipex2023上公布了對3nm gaa mbcfet技術的最新開發(fā)和sram設計的影響。

      pYYBAGSY6-6AfETiAAEy4mv677I894.png

      三星解釋說，mbcfet提供了比finfet更好的設計靈活性：在傳統(tǒng)的finfet結構中，無法調(diào)整包裹柵極的別針高度。由于mbcfet將鰭橫向堆積，因此可以調(diào)整納米板的高度，并且可以選擇比finfet更多的聲道寬度。

      pYYBAGSY6_WAeDfLAAEzB7pj2aE224.png

      mbcfet的這些功能提高了sram單元設計的靈活性，提供了pmos和nmos之間的最佳平衡。

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