91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌或在歐洲自行生產(chǎn)碳化硅晶體,以求供應(yīng)穩(wěn)定

li5236 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-06-28 09:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,英飛龍目前正在美國(guó)擴(kuò)大碳化硅(sic)配件的生產(chǎn),該公司此前一直在購(gòu)買其他公司生產(chǎn)的硅晶片。據(jù)消息人士透露,英菲尼昂今后為穩(wěn)定供應(yīng),很有可能在歐洲自行生產(chǎn)碳化硅晶體。

碳化硅晶錠的生長(zhǎng)、切割一直是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的難題,全球僅有少數(shù)幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認(rèn)可,wolfspeed作為目前這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者,是唯一一個(gè)8英寸碳化硅晶片可以大量生產(chǎn)的制造企業(yè)。隨著新能源汽車市場(chǎng)的增長(zhǎng),行業(yè)對(duì)碳化硅的需求將持續(xù)增加,但目前的生產(chǎn)能力非常有限。

2023年5月,英飛凌與中國(guó)公司天科達(dá)和天月先簽訂了供應(yīng)150毫米硅晶片和晶片的合同。但是業(yè)界相關(guān)人士認(rèn)為,英飛凌為了保障原材料的長(zhǎng)期供應(yīng),很有可能會(huì)提前自行生產(chǎn)碳化硅基板。作為德國(guó)公司,英飛凌預(yù)計(jì)將獲得德國(guó)財(cái)政補(bǔ)貼,同時(shí)投資德國(guó)工廠。

據(jù)供應(yīng)鏈消息人士透露,英飛凌與碳化硅襯底制造商Wolfspeed保持著密切的關(guān)系,因此今后將避免合作伙伴關(guān)系轉(zhuǎn)換為競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。相反,半導(dǎo)體企業(yè)主張說(shuō),英飛凌失去了生產(chǎn)硅晶體的機(jī)會(huì),已經(jīng)通過(guò)m&a和合作來(lái)培養(yǎng)力量。硅電石領(lǐng)域的人力聘用也是需要跨越的課題。

有人評(píng)價(jià)說(shuō),英飛凌在此之前與兩家中國(guó)企業(yè)簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)合同,意味著中國(guó)在硅領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力與世界領(lǐng)先企業(yè)的差距正在日益縮小。中國(guó)公司在成本方面的優(yōu)勢(shì)將使歐美制造企業(yè)感受到競(jìng)爭(zhēng)壓力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    11395

    瀏覽量

    105284
  • 晶片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    413

    瀏覽量

    32915
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52369
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?802次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1779次閱讀

    互通有無(wú)擴(kuò)展生態(tài),英飛凌與羅姆達(dá)成碳化硅功率器件封裝合作

    9 月 28 日消息,兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國(guó)英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議,雙方
    的頭像 發(fā)表于 09-29 18:24 ?1884次閱讀
    互通有無(wú)擴(kuò)展生態(tài),<b class='flag-5'>英飛凌</b>與羅姆達(dá)成<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件封裝合作

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái),它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái),Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過(guò)去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?843次閱讀

    派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單

    近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國(guó)際頂尖車企的高度認(rèn)可,進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)中
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:32 ?1336次閱讀

    從襯底到外延:碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底:作為整個(gè)器件的基礎(chǔ)載體
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?1852次閱讀
    從襯底到外延:<b class='flag-5'>碳化硅</b>材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7141次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1664次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1194次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

    本文是作者2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分,第一部分請(qǐng)見(jiàn)《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-19 17:32 ?791次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?962次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1267次閱讀

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1896次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&amp;A

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?1006次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過(guò)渡?