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派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單

派恩杰半導(dǎo)體 ? 來源:派恩杰半導(dǎo)體 ? 2025-09-10 17:32 ? 次閱讀
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近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國(guó)際頂尖車企的高度認(rèn)可,進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的廣泛應(yīng)用。 此次獲得歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單,主要得益于派恩杰碳化硅產(chǎn)品在性能與可靠性方面的卓越表現(xiàn)。實(shí)際應(yīng)用在空壓機(jī)的 T7 系列SiC MOSFET 器件優(yōu)勢(shì)精準(zhǔn)落地:

散熱性好:T7 系列采用先進(jìn)的頂部散熱表貼封裝設(shè)計(jì),極大地增強(qiáng)了散熱能力,提高了器件的載流能力和穩(wěn)定性,滿足汽車在復(fù)雜工況下的嚴(yán)苛使用要求;

低導(dǎo)通電阻:T7 系列產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻,如 P3M12018T7,能有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率,減少能量損失,這對(duì)于對(duì)能效要求較高的電動(dòng)汽車等應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。

高開關(guān)頻率:T7系列器件可以在較高頻率下工作,相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,能夠大幅減小系統(tǒng)中電感、變壓器等無源元件的尺寸,提升功率密度,優(yōu)化汽車電力系統(tǒng)設(shè)計(jì),縮小設(shè)備體積;

高可靠性:T7系列均通過 AEC - Q101 車規(guī)級(jí)測(cè)試認(rèn)證,其柵氧層可靠性高,經(jīng)過了嚴(yán)格的可靠性驗(yàn)證,能夠保證長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。

在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,碳化硅功率器件憑借其優(yōu)越性能,成為提升汽車電驅(qū)系統(tǒng)效率、增加續(xù)航里程、優(yōu)化充電速度的關(guān)鍵技術(shù)。此次與歐洲頭部車企的合作,是派恩杰全球化戰(zhàn)略布局的重要里程碑。我們非常榮幸能夠憑借領(lǐng)先的碳化硅技術(shù),助力歐洲汽車產(chǎn)業(yè)的電動(dòng)化轉(zhuǎn)型。未來,派恩杰將繼續(xù)加大研發(fā)投入,不斷提升產(chǎn)品性能與質(zhì)量,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案,推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。 派恩杰T7系列SiC MOSFET產(chǎn)品型號(hào)

P3M06045T7

P3M12018T7

P3M12020T7

P3M12080T7

P3M12030T7

P3M12060T7

P3M12080T7i

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車:可用于車載充電機(jī)、電驅(qū)逆變器、暖通空調(diào)系統(tǒng)等,能縮短充電時(shí)間,提升電驅(qū)系統(tǒng)性能,提高車輛續(xù)航里程。

光伏和儲(chǔ)能:在光伏逆變器中可提高轉(zhuǎn)換效率,在儲(chǔ)能系統(tǒng)中能支持更高電壓拓?fù)?,降低損耗,提升系統(tǒng)整體性能。

工業(yè)領(lǐng)域:適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等,可實(shí)現(xiàn)高效能電力轉(zhuǎn)換,減少散熱器體積,降低系統(tǒng)成本。

隨著該量產(chǎn)訂單的逐步交付,派恩杰將進(jìn)一步深化與歐洲車企的合作,共同探索碳化硅技術(shù)在汽車領(lǐng)域的更多創(chuàng)新應(yīng)用,同時(shí)也有望帶動(dòng)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈與國(guó)際市場(chǎng)的深度融合,提升中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)在全球的影響力。

派恩杰半導(dǎo)體
成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:重磅!派恩杰頂部散熱碳化硅器件獲歐洲頂級(jí)車廠訂單

文章出處:【微信號(hào):派恩杰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):派恩杰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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