納芯微全新推出的NSI1312x系列隔離電壓采樣芯片支持正負(fù)電壓輸入和高阻抗輸入，支持差分或單端模擬輸出，可廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、大功率電源中的交流和直流電壓檢測。

該系列基于納芯微突破性的創(chuàng)新隔離技術(shù)及信號(hào)調(diào)理設(shè)計(jì)，能在嚴(yán)苛要求的汽車和工業(yè)等領(lǐng)域提供高達(dá) 5000 Vrms 的電隔離能力， CMTI高達(dá)150KV/us使其擁有高精度低溫漂等優(yōu)質(zhì)性能。

非隔離運(yùn)放VS隔離運(yùn)放

如上圖所示，該系統(tǒng)是比較典型的三相輸入整流框圖，很多客戶采用上圖的采樣方式采集高壓母線電壓--高阻方式分壓+非隔離運(yùn)放+MCU集成的ADC來實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化的目的。

如使用非隔離運(yùn)放，在處理不當(dāng)或意外發(fā)生時(shí)，可能導(dǎo)致系統(tǒng)高壓和低壓串?dāng)_，影響整個(gè)系統(tǒng)可靠性。

優(yōu)勢：設(shè)計(jì)簡單，成本低

劣勢：

?母線上的功率電路噪聲耦合到控制地，影響MCU工作甚至損壞

?當(dāng)DC+與DC-間電容不匹配后，DC+與DC-對(duì)N電壓不平衡，運(yùn)放共模輸入可能為負(fù)壓，運(yùn)放需要負(fù)壓供電，供電設(shè)計(jì)復(fù)雜

?當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)過壓擊穿時(shí)，如運(yùn)放短路，控制側(cè)電路全部損壞

?多通道分壓采樣時(shí)，相當(dāng)于多路絕緣電阻并聯(lián)，此時(shí)等效絕緣電阻變小,系統(tǒng)漏電流增大，系統(tǒng)過安規(guī)有風(fēng)險(xiǎn)

目前行業(yè)內(nèi)常見的隔離運(yùn)放能解決以上關(guān)鍵問題，但由于成本較高，成為絕大多數(shù)客戶難以接受的痛點(diǎn)，而且目前行業(yè)常見的隔離電壓采樣不支持負(fù)壓輸入，限制其用于交流電采樣。

更低成本 更高標(biāo)準(zhǔn)

納芯微全新推出的低成本隔離運(yùn)放NSI1312x系列， 通過技術(shù)的演進(jìn)，可以大幅優(yōu)化成本。同時(shí)支持±1.2V 雙向線性輸入電壓的同時(shí)支持采集交流和直流的電壓，采集交流輸入可以實(shí)現(xiàn)缺相檢測功能。而且NSI1312S 支持單端輸出電壓，可以直接接到MCU的ADC I/O口，不需要額外的運(yùn)放作為差分轉(zhuǎn)單端，為客戶解決了成本與性能兼?zhèn)涞碾p向需求，也為市場競爭提供了新標(biāo)準(zhǔn)。

經(jīng)典使用案例

總結(jié)上述方案優(yōu)點(diǎn)

?高低壓間隔離，提高系統(tǒng)可靠性

?高共模抑制，耐受高噪聲環(huán)境

?高壓隔離，輸入端漏電流小，滿足安規(guī)要求

?采樣電壓更精確，通過選擇合適的采樣的電阻，NSi1312D在滿幅輸入下可滿足 ±0.5% @25度，±1.5% @-40~125度的精度要求

?支持正負(fù)電壓采樣，兼顧進(jìn)線缺相檢測功能

? 提供窄體小封裝和單端輸出版本，設(shè)計(jì)簡單

優(yōu)越EMI性能

納芯微憑借多年在容隔技術(shù)領(lǐng)域的積累，以及自有的專利優(yōu)勢，使得NSI1312x系列產(chǎn)品具備優(yōu)越的EMI 性能。下圖是在完全相同的條件下測試國際大牌友商的產(chǎn)品和納芯微產(chǎn)品的EMI實(shí)驗(yàn)對(duì)比：

如圖所見：NSI1312x EMI 的性能無論在垂直傳導(dǎo)還是水平傳導(dǎo)都顯著呈現(xiàn)其核心優(yōu)勢。

NSI1312D功能框圖

NSI1312S功能框圖