湯谷智能是目前首家在國產工藝線（n+1）上完成HBM IP的設計實現(xiàn)，成功流片并提供對外服務的企業(yè)。

高帶寬存儲器（HighBandwidth Memory，HBM）是一種將多層DRAM進行3D堆疊封裝的新型內存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計算芯片中，HBM芯粒通過硅轉接板與計算芯粒實現(xiàn)2.5D封裝互聯(lián)，具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術優(yōu)勢，可以滿足AI大模型高訪存的需求，成為當前高性能智能計算芯片最主要的技術路線，其中核心技術是計算芯粒與HBM芯粒互聯(lián)接口技術。

全國產化的HBM芯粒連接涉及3部分重點環(huán)節(jié)：HBM顆粒的國產化、HBM IP設計和流片工藝國產化以及HBM IP與SOC IP基于Interposer的互聯(lián)接口設計和流片工藝的國產化，3個環(huán)節(jié)環(huán)環(huán)相扣，需要國內頂尖存儲、芯片設計、晶圓制造企業(yè)進行聯(lián)合攻關。湯谷智能已經完成了第二階段和第三階段的攻關，即在國產工藝上實現(xiàn)HBM IP與SOC IP基于Interposer的互聯(lián)接口設計和流片驗證，希望能與更多合作伙伴一起為更多高通量計算芯片設計企業(yè)提供優(yōu)質服務。

審核編輯：彭菁