新思科技近期宣布，其LPDDR6 IP已在臺(tái)積公司 N2P 工藝成功流片，并完成初步功能驗(yàn)證。這一成果不僅鞏固并強(qiáng)化了新思科技在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn) IP 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，同時(shí)也為客戶提供可信賴的、經(jīng)硅片驗(yàn)證的IP選擇，可滿足移動(dòng)通訊、邊緣 AI 及高性能計(jì)算等更高存儲(chǔ)帶寬需求的應(yīng)用場景。

客戶既能從最新發(fā)布的 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)中獲益，又能降低風(fēng)險(xiǎn)、實(shí)現(xiàn)高性能，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。新思科技經(jīng)驗(yàn)證的 N2/N2P 工藝 IP 產(chǎn)品組合如今新增了 LPDDR6，同時(shí)涵蓋 USB 和 MIPI。這將為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供信心，助力其實(shí)現(xiàn)極具挑戰(zhàn)性的功耗、性能和面積 (PPA) 目標(biāo)。

新思科技接口IP工程高級副總裁Dino Toffolon表示：“我們很高興能在臺(tái)積公司N2P工藝上完成LPDDR6 IP的硅驗(yàn)證。這一成果不僅強(qiáng)化了我們在先進(jìn)制程IP領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為客戶提供了可驗(yàn)證、可量產(chǎn)的可信方案?？蛻艨稍诓捎米钚翷PDDR6標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，降低項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)、加快產(chǎn)品上市進(jìn)程?！?/p>

他進(jìn)一步指出：“LPDDR6的發(fā)布，意味著高帶寬、低功耗的存儲(chǔ)接口正式邁入‘埃米級’（angstrom-scale）時(shí)代。通過與臺(tái)積公司的深度合作，我們幫助客戶順利過渡至2納米及以下工藝，讓移動(dòng)、邊緣AI和高性能計(jì)算設(shè)備都能提前享受下一代內(nèi)存帶寬?！?/p>

通過拓展在高速接口領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，新思科技助力打造兼具高帶寬與高能效的芯片設(shè)計(jì)。新思科技與臺(tái)積公司的緊密合作則幫助客戶順利過渡至埃米級工藝節(jié)點(diǎn)。隨著 LPDDR6 在 N2P 和 N3P 工藝上得到支持，移動(dòng)通訊、AI 推理、邊緣計(jì)算和 HPC 領(lǐng)域的設(shè)備制造商，將能夠以較低的風(fēng)險(xiǎn)充分利用下一代內(nèi)存性能。