三星電子昨天在“三星存儲(chǔ)器日”上公開(kāi)了存儲(chǔ)器和閃存生產(chǎn)線的最新發(fā)展藍(lán)圖和日程，并公開(kāi)了瞄準(zhǔn)高性能計(jì)算（hpc）市場(chǎng)的hbm3e存儲(chǔ)器半導(dǎo)體。

三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開(kāi)始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開(kāi)發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度。”另外，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。

閃存方面表示，第9代v nand的開(kāi)發(fā)已經(jīng)進(jìn)入軌道，將以雙堆棧結(jié)構(gòu)提供業(yè)界最高的層數(shù)。三星已經(jīng)確保了新型v-nand的功能芯片，預(yù)計(jì)將于明年年初開(kāi)始批量生產(chǎn)。

三星昨天公布了名為shinebolt的新一代hbm3e dram，每引腳9.8 gbps，整體傳送速度為1.2 tbps。目前，三星hbm3的8h和12h產(chǎn)品已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，hbm3e shinebolt樣品已發(fā)送給客戶。另外，還計(jì)劃提供將新一代hbm和先進(jìn)封裝技術(shù)、委托生產(chǎn)產(chǎn)品相結(jié)合的“量身定做型一站式服務(wù)”。