繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證后，近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場(chǎng)效應(yīng)管）器件也成功獲得了AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過(guò)高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成為國(guó)內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過(guò)雙重考核的廠商之一。

創(chuàng)新突破，無(wú)懼極限考驗(yàn)

AEC-Q101 是車(chē)規(guī)元器件重要的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)之一。對(duì)于1200V耐壓器件，AEC-Q101在H3TRB（高溫高濕反偏試驗(yàn)）考核標(biāo)準(zhǔn)中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB（高壓高溫高濕反偏試驗(yàn)）考核中，1200V耐壓器件的耐壓提高到960V，這對(duì)器件的設(shè)計(jì)、制造及封裝技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求，因而通過(guò)HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，意味著功率器件在極端運(yùn)行環(huán)境下仍有優(yōu)良耐受能力及使用壽命。當(dāng)前，獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過(guò)HV-H3TRB可靠性考核逐漸成為各大主流汽車(chē)廠家對(duì)高可靠性功率器件的通用要求。

聚焦SiC-MOSFET器件性能的優(yōu)化升級(jí)，國(guó)星光電充分發(fā)揮領(lǐng)先的封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì)，本次的車(chē)規(guī)器件采用了自主研發(fā)的國(guó)星NSiC-KS封裝技術(shù)，可靠性和電性能優(yōu)勢(shì)明顯：

可靠性方面，器件以帶輔助源極管腳的TO-247-4L作為封裝形式，實(shí)現(xiàn)了在開(kāi)關(guān)損耗等方面的創(chuàng)新突破，有效減少器件的發(fā)熱量，使得器件的可靠性和穩(wěn)定性顯著提升，確保器件在惡劣的環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行，并保持長(zhǎng)壽命。

以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品，產(chǎn)品的封裝形式上增加了一個(gè)S極管腳，其可稱(chēng)為輔助源極或者開(kāi)爾文源極腳KS(Kelvin-Source)

電性能方面，采用NSiC-KS封裝的SiC-MOSFET器件，因避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路，實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦，器件的開(kāi)關(guān)損耗、開(kāi)通損耗均明顯降低，開(kāi)關(guān)頻率更快，寄生電感與誤開(kāi)啟風(fēng)險(xiǎn)更低。

因需而至，應(yīng)用場(chǎng)景豐富

為滿足市場(chǎng)多樣化需求，近年來(lái)，國(guó)星光電積極推進(jìn)功率分立器件封裝產(chǎn)品的優(yōu)化升級(jí)，并完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN貼片類(lèi)優(yōu)勢(shì)封裝結(jié)構(gòu)的開(kāi)發(fā)。目前，公司已擁有主流電壓規(guī)格650V與1200V平臺(tái)的SiC-MOSFET和SiC-SBD兩大產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車(chē)、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換裝置。

依托豐富的半導(dǎo)體封裝經(jīng)驗(yàn)、嚴(yán)格的質(zhì)量把控標(biāo)準(zhǔn)、先進(jìn)的功率器件生產(chǎn)線以及經(jīng)驗(yàn)豐富的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才隊(duì)伍，國(guó)星光電可根據(jù)客戶(hù)需求提供高性能、高可靠性、高品質(zhì)的封裝產(chǎn)品及技術(shù)解決方案。

審核編輯：彭菁