基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0-Q)擁有行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FoM)，此前已推出工業(yè)級(jí)版本，現(xiàn)正式獲得AEC-Q101認(rèn)證。這使該系列器件適用于諸多汽車應(yīng)用場(chǎng)景，例如電動(dòng)汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉(zhuǎn)換器、暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)等。這些器件采用愈發(fā)流行的D2PAK-7表面貼裝封裝，相比通孔器件，更適合自動(dòng)化裝配操作。

RDS(on)會(huì)影響導(dǎo)通損耗，是SiC MOSFET的關(guān)鍵性能參數(shù)。然而，單純關(guān)注標(biāo)稱值，容易忽視一個(gè)問題：隨著器件工作溫度上升，標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上，從而導(dǎo)致相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與通孔技術(shù)相比，采用SMD封裝技術(shù)時(shí)，溫度穩(wěn)定性顯得尤為重要，因?yàn)槠骷柰ㄟ^PCB散熱。Nexperia認(rèn)識(shí)到這是制約當(dāng)前眾多SiC器件性能的關(guān)鍵因素，憑借創(chuàng)新工藝技術(shù)，確保新型SiC MOSFET具備行業(yè)領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%。這一特性讓客戶能夠在其應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率，與其他供應(yīng)商的產(chǎn)品相比，即便使用Nexperia標(biāo)稱值更高的25℃ RDS(on)產(chǎn)品，也無需犧牲性能。

Nexperia高級(jí)副總裁兼寬禁帶、IGBT和模塊(WIM)業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Edoardo Merli表示：

與其他供應(yīng)商RDS(on)額定值相近的器件相比，Nexperia的SiC MOSFET能夠輸出更高的功率，在半導(dǎo)體層面為客戶帶來顯著的成本優(yōu)勢(shì)。此外，寬松的散熱要求、更緊湊的無源元件以及更高的能效，賦予客戶更大的設(shè)計(jì)自由度，降低了總成本。我們尤為欣喜的是，這些產(chǎn)品現(xiàn)已過車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證滿足汽車市場(chǎng)要求，其出色的性能與高效優(yōu)勢(shì)將為下一代汽車設(shè)計(jì)帶來實(shí)質(zhì)性變革。

Nexperia計(jì)劃于2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。