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以創(chuàng)新碳化硅技術(shù)賦能,安森美獲ASPENCORE 2023全球電子成就獎和亞洲金選獎

安森美 ? 來源:未知 ? 2023-12-07 11:35 ? 次閱讀
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領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),宣布其碳化硅仿真工具獲全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團AspenCore頒發(fā)2023全球電子成就獎(以下簡稱“WEAA”)之年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)獎,其1200 V EliteSiC M3S碳化硅器件獲AspenCore亞洲金選獎(以下簡稱“EE Awards Asia”)之年度最佳功率半導(dǎo)體獎。此兩大獎項不僅是對安森美在碳化硅領(lǐng)域領(lǐng)先地位的認可,更突顯了其在推動智能電源創(chuàng)新方面的實力。 wKgZomVxPpWACXcdAAFifvMBgFY313.jpg ? ?

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滑動查看更多 >>安森美的Elite Power Simulator在線仿真工具PLECS模型自助生成工具是針對其EliteSiC產(chǎn)品系列及其應(yīng)用推出,適用于軟/硬開關(guān)應(yīng)用、邊界建模和自定義寄生環(huán)境,可創(chuàng)建虛擬原型,使工程師在開發(fā)周期的早期階段,通過對復(fù)雜電力電子應(yīng)用進行系統(tǒng)級仿真,獲得有價值的參考信息。這些工具提供精確的仿真數(shù)據(jù),從而讓客戶根據(jù)應(yīng)用需求進行EliteSiC產(chǎn)品選型,無需耗費成本和時間進行硬件制造和測試,為電力電子工程師節(jié)省時間。

1200V EliteSiC M3S碳化硅器件系列包括EliteSiC MOSFET和模塊,專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā),具有領(lǐng)先同類產(chǎn)品的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)如超低Rds(on)和高功率密度,廣泛應(yīng)用于800V電動汽車車載充電器 (OBC)、電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等領(lǐng)域,助力電力電子工程師實現(xiàn)更卓越的能效和更低系統(tǒng)成本。

碳化硅對于提高電動汽車、充電樁、光伏和儲能等應(yīng)用的能效至關(guān)重要,也是實現(xiàn)脫碳的一個重要助力。除了先進的技術(shù)創(chuàng)新外,安森美還是少數(shù)具有垂直整合能力的端到端碳化硅方案供應(yīng)商,提供可靠的供應(yīng)和品質(zhì)保障,推動碳化硅技術(shù)的持續(xù)演進,賦能可持續(xù)的未來。

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原文標(biāo)題:以創(chuàng)新碳化硅技術(shù)賦能,安森美獲ASPENCORE 2023全球電子成就獎和亞洲金選獎

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文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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