外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。

實驗結果表明，微盤陣列表現(xiàn)出了優(yōu)異的結晶度，并可發(fā)出平面內方向一致且亮度較強的藍光。

據(jù)悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設備中。

值得注意的是，首爾國立大學的研究團隊近年正在深入進行Micro LED技術的研究，并通過與韓國知名顯示企業(yè)之間的合作，陸續(xù)開發(fā)出先進的Micro LED制造技術。

就在今年的7月，首爾國立大學與LG電子的科學團隊在《自然》（nature）雜志上發(fā)表了一種稱作流體自組裝(FSA)的巨量轉移新技術，通過搖晃運動的方式將Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

實驗結果顯示，通過應用FSA技術，可在60秒的時間內組裝一個具有超19,000 個Micro LED芯片的兩英寸藍光面板。若仔細控制液體的粘度，該轉移技術還可實現(xiàn)高達99.9%的Micro LED組裝良率。

這項巨量轉移新技術可大幅縮減Micro LED顯示產品的制作時間與成本。該技術有望在未來5年應用在Micro LED智能手機、平板電腦、智能手表和增強現(xiàn)實設備等顯示產品的生產中。

除此之外，在2020年，首爾國立大學團隊還成功在100nm的藍寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列。研究團隊設計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用于生長尺寸為4μm×16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經過等離子蝕刻工藝就能夠實現(xiàn)Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

來源：LEDinside

審核編輯：劉清