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氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

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氮化硅技術(shù)

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

2025-06-24 標(biāo)簽：CMOS 單片機(jī)工藝 2.2k 0

通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕，疏水...

2025-05-09 標(biāo)簽：mems 工藝制造氮化硅 1.3k 0

氮化硅在芯片制造中的核心作用

在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機(jī)化合物，由硅元...

2025-04-22 標(biāo)簽：材料芯片制造氮化硅 3.1k 0

LPCVD氮化硅薄膜生長的機(jī)理

可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮...

2025-02-07 標(biāo)簽：芯片薄膜氮化硅 1.4k 0

鈣鈦礦疊層電池：Topcon與HJT底電池性能對(duì)比研究

異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因?yàn)殁}礦電池與異質(zhì)結(jié)電池進(jìn)行疊層，異質(zhì)結(jié)電池表面本身就是 TCO，異質(zhì)結(jié)電池的產(chǎn)線無需做更改。

2024-03-27 標(biāo)簽：電池氮化硅 4k 0

光子集成芯片需要的材料有哪些

光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應(yīng)用領(lǐng)域，適用于不同的光子器件和集成芯片設(shè)計(jì)。

2024-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料集成芯片氮化硅 3.6k 0

LPCVD技術(shù)助力低應(yīng)力氮化硅膜制備

LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對(duì)于常壓的APCVD而言，...

2024-01-22 標(biāo)簽：流量傳感器 mems 壓力傳感器 3.5k 0

MEMS工藝設(shè)計(jì)中如何實(shí)現(xiàn)應(yīng)力匹配？

相較于本征應(yīng)力，熱應(yīng)力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實(shí)現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動(dòng)。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動(dòng)器...

2024-01-02 標(biāo)簽：mems 熱應(yīng)力氮化硅 2.8k 0

靶材的種類及制備工藝靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 GaAs 3.4k 0

基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

研究還表明，重復(fù)率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復(fù)率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導(dǎo)同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

2023-12-27 標(biāo)簽：激光器諧振器 OFC 2.3k 0

氮化硅帖子

氮化硅資料下載

晶體硅太陽能電池減反射膜及其影響因素立即下載

類別：電子資料 2023-11-02 標(biāo)簽：太陽能電池發(fā)電晶體硅 762 0

氮化硅陶瓷球材料性能參數(shù)測試立即下載

類別：測試測量論文 2018-03-20 標(biāo)簽：氮化硅 1.6k 0

氮化硅資訊

氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷：研磨拋光性能與應(yīng)用深度解析

氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷作為一種創(chuàng)新型工程材料，在研磨拋光領(lǐng)域憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，正逐步替代傳統(tǒng)陶瓷，成為高端工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵選擇。海合精密陶瓷有限公司通...

2026-01-20 標(biāo)簽：氮化硅 190 0

深圳爭妍微電子獲2025年度全國鄉(xiāng)村振興先進(jìn)單位殊榮

近日，2026中央和國家機(jī)關(guān)老干部新春聯(lián)誼會(huì)暨全國鄉(xiāng)村振興年度頒獎(jiǎng)晚會(huì)隆重舉行，現(xiàn)場星光熠熠、暖意融融，匯聚了各界助力鄉(xiāng)村振興的標(biāo)桿企業(yè)與先進(jìn)個(gè)人。深圳...

2025-12-29 標(biāo)簽：可控硅 IGBT MOS 1.1k 0

第十八屆中國工業(yè)論壇，爭妍微電子斬獲“中國制造消費(fèi)者信賴品牌”李學(xué)會(huì)：以創(chuàng)新筑品，共推半導(dǎo)體國產(chǎn)

2025年12月，第十八屆中國工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴品牌盛典大會(huì)在北京同期舉辦。大會(huì)以“融合創(chuàng)新工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題，中國工業(yè)報(bào)社社長徐金寶、原工信部...

2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET 可控硅快恢復(fù)二極管 1.8k 0

熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指：半導(dǎo)體封裝的性能突破

半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨(dú)特的物...

2025-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝燒結(jié)工藝氮化硅 1.7k 0

氮化硅陶瓷精密定位板：真空千小時(shí)耐用的電子封裝核心部件

在高端電子封裝領(lǐng)域，精密定位板需在極端環(huán)境中保持長期穩(wěn)定，尤其是在真空或惰性氣氛中連續(xù)工作1000小時(shí)以上。氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，成為這一...

2025-12-04 標(biāo)簽：定位電子封裝氮化硅 591 0

高抗彎強(qiáng)度氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂解析

熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動(dòng)化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性...

2025-11-23 標(biāo)簽：晶圓氮化硅 2.3k 0

氮化硅陶瓷微波諧振腔基座分析

氮化硅陶瓷因其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，已成為高精度微波諧振腔基座的理想材料。以下將從材料性能、對(duì)比分析、制造工藝及工業(yè)應(yīng)用四個(gè)方面進(jìn)行闡述。 ? 氮化硅陶瓷...

2025-08-25 標(biāo)簽：微波諧振腔氮化硅 865 0

氮化硅陶瓷高頻電路絕緣環(huán)性能

氮化硅陶瓷高頻電路絕緣環(huán)：各向同性微觀結(jié)構(gòu)保障性能一致性在高頻電子設(shè)備（如雷達(dá)、通信基站、功率放大器）中，絕緣環(huán)承擔(dān)著關(guān)鍵的電絕緣、機(jī)械支撐及散熱通道...

2025-08-06 標(biāo)簽：高頻電路氮化硅 916 0

氮化硅陶瓷封裝基片

氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關(guān)鍵材料氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其獨(dú)特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場環(huán)...

2025-08-05 標(biāo)簽：陶瓷基板氮化硅 1.2k 0

氮化硅陶瓷基板：新能源汽車電力電子的散熱革新

在新能源汽車快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的陶瓷基板，其技術(shù)演進(jìn)直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶...

2025-08-02 標(biāo)簽：新能源汽車陶瓷基板氮化硅 4.5k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
無人駕駛

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1024

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京瓷

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
過壓保護(hù)電路

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6G

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
華強(qiáng)pcb線路板打樣

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COB

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高頻電容

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wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
汽車

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dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
檢測電路圖

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VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
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特斯拉線圈

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
過流保護(hù)電路

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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
過零檢測電路

過零檢測電路

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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測。可作開關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
AIoT

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
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逆變器電路圖

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慕尼黑上海電子展

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測試電路

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紫光同創(chuàng)

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深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司，緊跟國際設(shè)計(jì)技術(shù)前沿，立足國內(nèi)市場需求，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片及EDA設(shè)計(jì)工具的開發(fā)。公司主要產(chǎn)品為高性能可重構(gòu)系統(tǒng)芯片，產(chǎn)品主要應(yīng)用于各類通信設(shè)備、終端設(shè)備、工業(yè)控制設(shè)備。
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科創(chuàng)板

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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