歲末年初之際，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到數(shù)十位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次，電子發(fā)燒友特別采訪了上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司執(zhí)行董事、副總裁、市場(chǎng)銷售總經(jīng)理陳浩，以下是他對(duì)2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)的分析與展望。

上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司執(zhí)行董事、副總裁、市場(chǎng)銷售總經(jīng)理陳浩

2023年市場(chǎng)環(huán)境低迷，終端市場(chǎng)需求不振，導(dǎo)致上游半導(dǎo)體制造整體收入增長(zhǎng)放緩、整體產(chǎn)能利用率處于爬坡過(guò)坎階段。盡管如此，國(guó)內(nèi)晶圓制造行業(yè)仍在逆周期的建廠、擴(kuò)建，以順應(yīng)未來(lái)增長(zhǎng)的預(yù)期，此外憑借國(guó)產(chǎn)替代的東風(fēng)，國(guó)內(nèi)晶圓代工廠對(duì)于國(guó)產(chǎn)設(shè)備的需求也出現(xiàn)了明顯的增長(zhǎng)。

陛通半導(dǎo)體自2008年成立至今，公司已相繼推出了國(guó)產(chǎn)12吋PECVD&SACVD、12吋UV Cure、12吋PVD、12吋ALD、8吋PVD。2023年是陛通持續(xù)發(fā)力的一年，市場(chǎng)拓展迅猛，已獲得多家國(guó)內(nèi)8吋及12吋知名Foundry PVD&PECVD重復(fù)訂單；12吋PECVD已正式交付3D NAND客戶；首臺(tái)HT UV、Low-k UV、HT SiN等設(shè)備也已相繼交付；交付及驗(yàn)收的設(shè)備覆蓋6/8/12吋邏輯、存儲(chǔ)和功率等多個(gè)領(lǐng)域。

15年技術(shù)積累，堅(jiān)持“差異化創(chuàng)新”

受大環(huán)境影響，近幾年國(guó)內(nèi)Foundry/IDM對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備的關(guān)注度與日俱增，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)出現(xiàn)了突飛猛進(jìn)的增長(zhǎng)。從相關(guān)數(shù)據(jù)可以看出，僅2023年上半年，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入同比增長(zhǎng)了71.4%，達(dá)到387.8億元。近三年來(lái)，中國(guó)大陸集成電路裝備占全球的市場(chǎng)份額從1.56%提升至3.11%。

陳浩在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪時(shí)表示，隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的向好，國(guó)內(nèi)設(shè)備市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿薮?。同時(shí)，不可否認(rèn)，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商相較國(guó)外起步較晚，不可能做到盡善盡美，技術(shù)的發(fā)展和成熟也不是一蹴而就的，需要持續(xù)不斷的投入，陛通也是經(jīng)歷了15年的技術(shù)積累，從設(shè)備翻新業(yè)務(wù)起家，通過(guò)不斷的技術(shù)攻關(guān)和迭代，才形成自主創(chuàng)新技術(shù)。

面對(duì)國(guó)內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的壓力，陛通半導(dǎo)體堅(jiān)持走“差異化創(chuàng)新”的發(fā)展道路，其中最佳案例就是陛通獨(dú)有的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“小亮旋轉(zhuǎn)”技術(shù)，這是基于CVD、UV Cure和PVD磁控濺射腔的成功應(yīng)用，該技術(shù)已使用在陛通的多款產(chǎn)品上，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，各項(xiàng)均勻性指標(biāo)均超過(guò)了國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品。

未來(lái)陛通將繼續(xù)深耕技術(shù)研發(fā)，形成自身的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)在更多關(guān)鍵技術(shù)上的突破。在產(chǎn)品層面，公司將專注于薄膜沉積設(shè)備，做細(xì)做精，并且往多種薄膜工藝集成化平臺(tái)的方向發(fā)展，以滿足客戶對(duì)新工藝和新器件的需求。”

新需求拉升芯片產(chǎn)能，薄膜關(guān)鍵指標(biāo)的提升是未來(lái)攻關(guān)方向

2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來(lái)不同的增長(zhǎng)動(dòng)力，AI以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體的需求在不斷提升。那么，這些轉(zhuǎn)變陛通的客戶產(chǎn)生了哪些迫切的新的需求？與此同時(shí)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備廠商需要面對(duì)哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？

陳浩表示，生成式AI和第三代半導(dǎo)體都是行業(yè)的熱點(diǎn)。ChatGPT掀起算力熱潮，引領(lǐng)了AI高算力應(yīng)用場(chǎng)景的蓬勃發(fā)展。SiC/GaN憑借高禁帶寬度、高擊穿電壓、低電阻、高頻等優(yōu)勢(shì)，正在逐漸起勢(shì)，在汽車(chē)、公共交通、工業(yè)、光伏能源等領(lǐng)域已經(jīng)取得了大規(guī)模的應(yīng)用。近些年來(lái)，新技術(shù)及新材料的發(fā)展驅(qū)動(dòng)了應(yīng)用端的持續(xù)創(chuàng)新，進(jìn)而帶動(dòng)了SoC/GPU、MOSFET/IGBT等的旺盛需求。

對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō)，這將是個(gè)機(jī)遇期，上升的需求將逐步拉升芯片制造的產(chǎn)能。作為芯片生產(chǎn)線核心設(shè)備之一，薄膜沉積設(shè)備在整個(gè)芯片制造流程中應(yīng)用甚廣，工藝應(yīng)用占比高。國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備將有機(jī)會(huì)更多地覆蓋從后道至前道、從傳統(tǒng)到成熟再到先進(jìn)的各個(gè)工藝環(huán)節(jié)。

同時(shí)他也提到國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商也面臨巨大挑戰(zhàn)，例如Chiplet、TSV、HBM等超低線寬、超高深寬比的先進(jìn)制程；功率器件在超薄晶圓上的正面背面工藝，這些都對(duì)成膜環(huán)境和工藝的要求極為苛刻。這也迫使國(guó)內(nèi)薄膜沉積廠商要時(shí)刻緊跟半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展的步伐，才能應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)的變化。要做到這點(diǎn)，拼搏和匠心精神是必要條件，機(jī)械、電氣、軟件甚至工藝都需要持續(xù)地研發(fā)投入，對(duì)于薄膜的均勻性、顆粒度、厚金屬破片率等關(guān)鍵指標(biāo)也成為國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備廠商技術(shù)研發(fā)的聚焦點(diǎn)和重點(diǎn)攻關(guān)方向。

2024年展望

2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)觸底跡象明顯，2024年整體市場(chǎng)有望復(fù)蘇，預(yù)計(jì)需求量將出現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)晶圓制造產(chǎn)線的建設(shè)和投產(chǎn)仍將處于高峰期，重點(diǎn)聚焦在成熟工藝，12吋邏輯生產(chǎn)線所占比重將會(huì)越來(lái)越高。第三代半導(dǎo)體也將大行其道，發(fā)展會(huì)持續(xù)提速，特別是在新能源汽車(chē)、5G、數(shù)據(jù)中心的使用場(chǎng)景廣泛。

對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商來(lái)說(shuō)，在成熟工藝、傳統(tǒng)工藝、第三代半導(dǎo)體上的應(yīng)用將會(huì)呈現(xiàn)規(guī)?；鲩L(zhǎng)；在先進(jìn)封裝和新型存儲(chǔ)器上，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備也將取得長(zhǎng)足的發(fā)展。芯片制造行業(yè)的如火如荼，必定會(huì)牽引國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)及供應(yīng)鏈的發(fā)展，晶圓制造產(chǎn)線中設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的比重將會(huì)進(jìn)一步提升，從而催化國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備在技術(shù)上不斷演進(jìn)。