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納微半導(dǎo)體三斬功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 2023-12-27 11:42 ? 次閱讀
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2023年12月23日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大開幕!上百家電源上下游企業(yè)齊聚一堂,與多位行業(yè)資深專家共同探討,打造了規(guī)模超前的展示電源技術(shù)最新研究成果和發(fā)展趨勢(shì)的平臺(tái)。納微半導(dǎo)體受邀出席,展出多款大小功率展品,帶來一場(chǎng)電動(dòng)汽車充電為主題的重磅演講,并斬獲三項(xiàng)行業(yè)重磅大獎(jiǎng)!

納微半導(dǎo)體電動(dòng)汽車研發(fā)中心高級(jí)總監(jiān)孫浩受邀出席,帶來《納微半導(dǎo)體高速、高壓GaN& SiC雙擎驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車充電再加速》為主題的演講。

孫浩表示:新能源汽車在全球市場(chǎng)的占有量不斷提升,尤其是到2027年,中國(guó)的汽車市場(chǎng)將有70%的乘用車為電動(dòng)汽車。作為電動(dòng)汽車主要的電動(dòng)功率單元之一,OBC(車載充電機(jī))還有更多升級(jí)的空間。納微半導(dǎo)體高速、高壓的GaNSafe高功率氮化鎵平臺(tái)和GeneSiC碳化硅功率器件,將憑借速度高、損耗低的優(yōu)異特性,為OBC帶來更高的頻率、更小的體積,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。此外,二者混合設(shè)計(jì)將會(huì)為OBC向著5.0kW/L的超高功率密度下一代邁進(jìn)提供了更多可能。

在同期舉辦的2023第二屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)上,納微半導(dǎo)體斬獲國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)、功率器件-GaN行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng)以及功率器件-SiC行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng)三項(xiàng)重磅大獎(jiǎng),實(shí)現(xiàn)了功率器件類獎(jiǎng)項(xiàng)大滿貫!

國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)

2023年,納微半導(dǎo)體從技術(shù)研發(fā)到市場(chǎng)拓展均實(shí)現(xiàn)全面開花:助力realme真我發(fā)布全球240W滿級(jí)秒充,持續(xù)領(lǐng)跑手機(jī)快充領(lǐng)域;聯(lián)手KATEK、埃克塞德等國(guó)際領(lǐng)軍品牌,應(yīng)用拓展至太陽(yáng)能、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域;推出了針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心打造的CRPS185 Titanium Plus 3200W服務(wù)器電源,為服務(wù)器電源定義了更高的“鈦金+”行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。一個(gè)個(gè)行業(yè)里程碑彰顯了納微極高的創(chuàng)新力和深遠(yuǎn)的影響力,助推下一代功率半導(dǎo)體踏入對(duì)傳統(tǒng)硅的“超車道”。

功率器件-GaN行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng)

2023年,納微招牌的GaNFast氮化鎵功率芯片家族迎來兩名強(qiáng)大的新成員:高度集成的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片和大功率旗艦GaNSafe寬禁帶功率平臺(tái)。GaNFast家族日益壯大的同時(shí),發(fā)貨量也再創(chuàng)新高:目前,納微的氮化鎵功率芯片發(fā)貨量已經(jīng)超過1.25億顆。

GaNSense Control合封戰(zhàn)略性地將高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器高度集成,帶來高效穩(wěn)定、簡(jiǎn)單易用、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片。

GaNSafe寬禁帶功率平臺(tái)基于升級(jí)后的第四代氮化鎵技術(shù)打造而來,通過增加額外的、特定的保護(hù)等其他功能,配合全新堅(jiān)固的高功率封裝,有效滿足數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能/儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車市場(chǎng)等要求苛刻的高功率應(yīng)用場(chǎng)景需求。

功率器件-SiC行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng)

憑借著溝槽輔助平面柵技術(shù)帶來的可靠性和可制性,以及全面覆蓋650V-6.5kV的電壓范圍,納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅功率器件在2023年獲得市場(chǎng)的全面認(rèn)可,出貨量已經(jīng)增至1200萬(wàn)顆。12月,納微還推出了GeneSiC Gen-3 Fast 碳化硅MOSFETs,其芯片尺寸僅有傳統(tǒng)硅MOSFETs和IGBTs 1/9大小,開關(guān)速度更快、核心參數(shù)分布更窄,給應(yīng)用端帶來效率更高、可靠性更強(qiáng)的功率轉(zhuǎn)換。

榮獲三項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng),代表了行業(yè)對(duì)納微半導(dǎo)體過去一年成果的肯定與支持。納微半導(dǎo)體始終不忘Electrify Our World的使命和初心,將持續(xù)推進(jìn)氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)步,加快我們綠色星球的全電氣化進(jìn)程!








審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:實(shí)至名歸!納微半導(dǎo)體三斬功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)

文章出處:【微信號(hào):納微芯球,微信公眾號(hào):納微芯球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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