近日,安世半導(dǎo)體在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與可靠性能,接連將兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)收入囊中:一項(xiàng)是由國際知名媒體集團(tuán)【AspenCore】主辦的全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)——年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng);另一項(xiàng)則是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名研究機(jī)構(gòu)【行家說】評定的年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。

年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)
獎(jiǎng)項(xiàng)介紹:全球電子成就獎(jiǎng)旨在表彰在全球范圍內(nèi)推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的杰出企業(yè)與產(chǎn)品。
產(chǎn)品優(yōu)勢:該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力,確保優(yōu)異的散熱效果。
應(yīng)用市場:適合電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器、開關(guān)電源、不間斷電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)。精準(zhǔn)滿足了眾多高功率(工業(yè))應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求,借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢,該系列器件得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。
年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
獎(jiǎng)項(xiàng)介紹:該獎(jiǎng)項(xiàng)聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域具有技術(shù)突破和市場價(jià)值的產(chǎn)品,旨在表彰那些具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)和優(yōu)秀產(chǎn)品。
產(chǎn)品優(yōu)勢:通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的這款產(chǎn)品,集成了低開關(guān)損耗、高速開關(guān)性能、快速反向恢復(fù)和強(qiáng)健體二極管等特性,配合獨(dú)立開爾文源極優(yōu)化開關(guān)特性,展現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性。
應(yīng)用市場:該器件兼具優(yōu)異的導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性,使其成為大功率高壓汽車應(yīng)用(如電動(dòng)汽車車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和輔助驅(qū)動(dòng)系統(tǒng))的理想選擇。
持續(xù)創(chuàng)新,助力產(chǎn)業(yè)
從2019年確立第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略方向,到2024年進(jìn)行了對德國晶圓廠碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)域的投資升級,安世半導(dǎo)體正逐步建立從設(shè)計(jì)到制造的全鏈路能力。其車規(guī)級SiC MOSFET等創(chuàng)新產(chǎn)品得以快速推向市場,并相繼獲得全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)與第三代半導(dǎo)體優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng),標(biāo)志著其技術(shù)實(shí)力獲得了從行業(yè)到客戶的雙重驗(yàn)證。
未來,我們將繼續(xù)攜手合作伙伴,共同推動(dòng)功率電子技術(shù)發(fā)展,助力實(shí)現(xiàn)更高效、更可持續(xù)的能源未來。
Nexperia (安世半導(dǎo)體)
Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。
Nexperia:效率致勝。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9676瀏覽量
233633 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3724瀏覽量
69435 -
安世半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
210瀏覽量
24809
原文標(biāo)題:安世半導(dǎo)體SiC MOSFET技術(shù)實(shí)力屢獲認(rèn)可,連摘WEAA與行家說大獎(jiǎng)
文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
意法半導(dǎo)體斬獲2025行家極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
安富利榮獲安森美兩項(xiàng)年度大獎(jiǎng)
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析
宏微科技一舉斬獲兩項(xiàng)重磅行業(yè)大獎(jiǎng)
安波福榮膺2025鈴軒獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
安富利榮獲2025金輯獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
安世半導(dǎo)體特色產(chǎn)品提升電力應(yīng)用性能
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢
加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
安世半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET產(chǎn)品榮獲兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)
評論