氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。其技術(shù)發(fā)展將推動(dòng)多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展，并滿足未來(lái)對(duì)高性能、高效能轉(zhuǎn)換和小型化的需求。

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國(guó)際會(huì)議中心盛大召開(kāi)。期間“氮化鎵功率電子器件”分會(huì)上，來(lái)自日本ULVAC株式會(huì)社首席技術(shù)官牛山史三先生帶來(lái)了《GaN濺射技術(shù)進(jìn)展》的演講。

ULVAC從20年前開(kāi)始開(kāi)發(fā)通過(guò)濺射方式生長(zhǎng)n+-GaN薄膜，目前已有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，此次是首次在全世界范圍做技術(shù)邀請(qǐng)報(bào)告。本次主要宣講的設(shè)備技術(shù)來(lái)源于SEGul-200，其主要是在GaN LED，GaN-HEMT，GaN MOSFET領(lǐng)域的源漏極下方插入n+-GaN薄膜，用以降低接觸電阻，提升器件性能。通過(guò)濺射，可以實(shí)現(xiàn)高密度的載流子遷移率，而且可以在600～700℃的溫度下進(jìn)行鍍膜，不需要使用MOCVD所用的危險(xiǎn)氣體，而僅用Ar,N2即可完成。

報(bào)告展示了ULVAC在GaN器件領(lǐng)域的濺射技術(shù)解決方案，吸引了各大高校和企業(yè)的高度關(guān)注，并在現(xiàn)場(chǎng)引發(fā)了熱烈的咨詢和討論。

在本次論壇中，為表彰ULVAC在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域所做出的杰出貢獻(xiàn)，特授予“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。

會(huì)議期間，行業(yè)專家與ULVAC進(jìn)行了深入交流，并對(duì)ULVAC SiC離子注入技術(shù)表示了高度認(rèn)可和贊賞，對(duì)GaN領(lǐng)域未來(lái)的Sputter外延技術(shù)表示了極大的關(guān)注和期待。ULVAC株式會(huì)社將繼續(xù)致力于創(chuàng)新和研發(fā)，為第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

審核編輯：劉清