東京——日本芯片制造商瑞薩電子將以3.39億美元收購(gòu)美國(guó)功率半導(dǎo)體公司Transphorm，該公司于周四表示，此舉旨在提升其在電動(dòng)汽車先進(jìn)氮化鎵（GaN）芯片領(lǐng)域的影響力。

該收購(gòu)預(yù)計(jì)將在2024年下半年完成。屆時(shí)，Transphorm將成為瑞薩的全資子公司。

功率半導(dǎo)體用于控制電機(jī)和轉(zhuǎn)換電力，瑞薩正從傳統(tǒng)的硅材料轉(zhuǎn)向更高效率的新材料。

此次收購(gòu)Transphorm將使瑞薩有機(jī)會(huì)全面進(jìn)入GaN領(lǐng)域，自去年以來(lái)，該公司一直尋求在此領(lǐng)域擴(kuò)張。

GaN半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率和卓越的散熱性能。與傳統(tǒng)芯片相比，它們的功率損失不到一半，能延長(zhǎng)電動(dòng)車的續(xù)航里程。同時(shí)，它們也適用于數(shù)據(jù)中心、小型電源以及其他產(chǎn)品。

Transphorm擁有符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的汽車用GaN半導(dǎo)體技術(shù)，也表示出期待與擁有眾多汽車客戶的瑞薩合作，實(shí)現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)。