三星半導(dǎo)體近日宣布，已經(jīng)開始試產(chǎn)第二代3納米工藝SF3。這一里程碑式的事件，突顯了三星與臺積電在先進工藝節(jié)點上的激烈競爭。

SF3工藝的獨特之處在于其實現(xiàn)了在同一單元內(nèi)調(diào)整不同環(huán)柵（GAA）晶體管納米片溝道寬度。這一創(chuàng)新為芯片設(shè)計提供了更大的自由度，從而降低功耗、提升性能，并優(yōu)化晶體管密度。

三星計劃在未來六個月內(nèi)將SF3工藝的良率提升至60%以上。目前，該公司正在對使用此工藝制造的芯片進行性能和可靠性測試。首款采用SF3工藝的芯片將是一款專為可穿戴設(shè)備設(shè)計的應(yīng)用處理器，預(yù)計將在今年晚些時候發(fā)布的Galaxy Watch 7等產(chǎn)品中亮相。

三星表示，他們計劃從2024年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)SF3芯片。在2023年至2024年期間，三星將以3納米工藝為主，包括SF3（3GAP）和改進版本SF3P（3GAP+）。此外，該公司還計劃在2025年至2026年推出2納米工藝節(jié)點。

三星在晶圓代工領(lǐng)域的突破為全球芯片產(chǎn)業(yè)帶來了新的技術(shù)革新和競爭格局。這一進展無疑將進一步推動半導(dǎo)體技術(shù)的進步，并有望為未來的電子產(chǎn)品帶來更強大的性能和更低的功耗。

審核編輯：黃飛