PowerPAK 1212-F 封裝 30 V N 溝道 MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N溝道 TrenchFET第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù) 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-F 封裝，10 V 柵極電壓條件下導(dǎo)通電阻僅為 0.71 mW，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即開(kāi)關(guān)應(yīng)用中 MOSFET 關(guān)鍵的優(yōu)值系數(shù)（ FOM ）為 42 m?*nC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。

日前發(fā)布的器件占位面積與 PowerPAK 1212-8S 封裝相同，導(dǎo)通電阻降低 18 %，提高了功率密度，同時(shí)源極倒裝技術(shù)將熱阻從 63 °C/W 降至 56 °C/W。此外，SiSD5300DN 優(yōu)值系數(shù)比上代器件低 35 %，從而降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。

PowerPAK1212-F 源極倒裝技術(shù)顛倒通常接地焊盤(pán)和源極焊盤(pán)的位置，擴(kuò)大接地焊盤(pán)面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時(shí)，PowerPAK1212-F 減小了開(kāi)關(guān)區(qū)范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F 封裝源極焊盤(pán)尺寸增加了 10 倍，從 0.36 mm2提高到 4.13 mm2，從而改進(jìn)熱性能。PowerPAK1212-F 中央柵極結(jié)構(gòu)還簡(jiǎn)化了單層 PCB 基板多器件并聯(lián)的使用。

采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統(tǒng)（BMS）、降壓和BLDC轉(zhuǎn)換器、OR-ing FET、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括焊接設(shè)備和電動(dòng)工具、服務(wù)器、邊緣設(shè)備、超級(jí)計(jì)算機(jī)、平板電腦、割草機(jī)和掃地機(jī)以及無(wú)線電基站。

器件經(jīng)過(guò)100 % RG和 UIS 測(cè)試，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

Vishay采用源極倒裝技術(shù) PowerPAK1212-F封裝

30 V N 溝道 MOSFET，RDS(ON)低至 0.71m?

審核編輯：劉清