三星電子成功完成背面供電網(wǎng)絡芯片測試，或?qū)⑻嵩鐟糜谖磥碇瞥?/h1>
據(jù)韓國媒體Chosunbiz透露，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡（BSPDN）芯片實驗測試中取得了顯著成效，有望提早應用到新制程節(jié)點。
過去，芯片主要通過自下而上的方法制造，先構(gòu)建晶體管，然后搭建互相連接以及供給電能的線路層。然而，隨著工藝制程的不斷縮小，傳統(tǒng)供電模式的線路層變得更為復雜，這給設計與生產(chǎn)帶來了困擾。
BSPDN技術(shù)創(chuàng)新性地將芯片電路轉(zhuǎn)移到晶圓背部，使路勁大大簡化，有效解決了互聯(lián)的難題，降低了電能對信號的影響，從而極大降低了平臺的總體電壓及功耗。此外，這尤其適合于水星在移動設備SoC的小型化需求。
報道中提到，三星電子在測試的兩款ARM內(nèi)核規(guī)格芯片上進行了實驗，結(jié)果表明，雖然芯片尺寸分別減小了10％和19％，但性能及頻率效率的提升幅度均未超過10％。
鑒于進展順利，原本計劃在2027年左右的1.7納米（此處存疑，根據(jù)其他報道應為1.4納米）工藝實現(xiàn)商業(yè)化的BSPN技術(shù)可能會提前，或許會在明年的2nm工藝得到應用。
三星電子的行業(yè)競爭對手臺積電和英特爾亦已展開背面供電領(lǐng)域的深入研究：前者預計在2025年推出基于 ByteArray的背面供電方案N2；后者則計劃從今年的20A節(jié)點開始采用自研的PowerVia技術(shù)。
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