普興電子近期發(fā)布“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)境影響評價首次公示”,披露了相關(guān)細(xì)節(jié)信息。新項(xiàng)目名為“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,位于河北普興電子科技股份有限公司內(nèi),是其產(chǎn)能擴(kuò)張計劃的一部分。
預(yù)計該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣,將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
河北普興電子科技股份有限公司由中電科半導(dǎo)體材料有限公司持股90%,成立于2000年11月,專注于高性能半導(dǎo)體材料外延研發(fā)與生產(chǎn)。該企業(yè)提供多品種規(guī)格的硅基外延片以及氮化鎵和碳化硅外延片等產(chǎn)品。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體材料
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
577瀏覽量
30864 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3472瀏覽量
52395 -
外延片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
40瀏覽量
10037
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響
我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能?這是我們幾十年來一直在追問的問題,同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因?yàn)槲覀冎老乱淮?b class='flag-5'>碳化硅 (SiC) 器件技術(shù)正依賴于此。
士蘭微電子迎來雙線里程碑:8英寸碳化硅產(chǎn)線通線, 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工
2026年1月4日,杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區(qū)隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式暨12英
12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 , 短短兩天內(nèi),中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來重磅突破。12月23日,廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延晶片;次日, 晶盛機(jī)電 便官
加速!12英寸碳化硅襯底中試線來了!
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進(jìn)展!9月26日,晶盛機(jī)電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動,12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來兩大新需求:AI眼鏡市場爆發(fā),推動碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中,將用
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測量對保障
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的
數(shù)據(jù)中心電源客戶已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!三安光電碳化硅最新進(jìn)展
16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,
發(fā)表于 09-09 07:31
?2024次閱讀
從襯底到外延:碳化硅材料的層級躍遷與功能分化
碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
的不同,碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有高電阻率(電阻率≥10^5Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底。02
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計:電感值為6.7 nH,有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng),提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
發(fā)表于 06-25 09:13
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳
碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展
尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)
普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產(chǎn)線
評論