近日，中國華為公司數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品線總裁周躍峰博士在巴塞羅那世界移動通信大會上介紹了即將推出的磁電存儲設(shè)備“OceanStor Arctic”。該設(shè)備基于磁電磁盤（MED）技術(shù)。據(jù)稱，這種技術(shù)可以降低總連接成本和功耗，第一代產(chǎn)品定位為大容量檔案存儲，機(jī)架容量超過10PB，功耗小于2KW。華為提供的數(shù)字顯示，MED技術(shù)可以提供比傳統(tǒng)硬盤和磁帶存儲更低的成本和功耗。

華為的磁電磁盤（MED）是對磁存儲介質(zhì)的重大創(chuàng)新。第一代 MED 主要是大容量硬盤，機(jī)架容量將超過 10 PB，功耗小于 2 kW。對于第一代 MED，我們將其主要定位為檔案存儲。我們計劃 2025 年上半年在海外市場發(fā)布。尚不清楚其尺寸，不一定會采用與希捷、東芝和西部數(shù)據(jù)目前的近線存儲硬盤（nearline storage drives）相同的 3.5 英寸外形尺寸。

目前，關(guān)于OceanStor Arctic的詳細(xì)信息仍然保密，但該技術(shù)可能會對存儲市場帶來重大改變。

據(jù)悉，磁電存儲器是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器，它利用磁電阻效應(yīng)來存儲數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲器（RAM）不同，MRAM使用磁性隧道結(jié)（MTJ）作為存儲單元，通過改變磁化方向來記錄二進(jìn)制數(shù)據(jù)。

磁電存儲器的優(yōu)勢在于它在具有非易失性的同時在速度、功耗、成本上較為折中，因而得以具有廣泛的應(yīng)用前景。MRAM有望根據(jù)不同的帶寬需求逐步替代現(xiàn)有的不同類型的存儲器，如 SRAM、DRAM以及 Flash 等，從而在消除各級存儲器之間存在的互聯(lián)延遲同時降低存儲器的功耗。

目前，SOT-MRAM 還有潛力構(gòu)建存算一體架構(gòu)，有望解決傳統(tǒng)的馮·諾依曼計算體系中存在的存儲墻與功耗墻的問題，推動大數(shù)據(jù)、人工智能以及云計算的持續(xù)發(fā)展。MRAM的應(yīng)用并不局限于傳統(tǒng)的計算機(jī)存儲體系，還能夠擴(kuò)展到其他諸多領(lǐng)域。

現(xiàn)在還尚不清楚 MED 產(chǎn)品的其它信息，這是一項全新的技術(shù)。華為在聲明中表示這是“磁盤”（disk）而非“硬盤”（drive），意味著它很可能會旋轉(zhuǎn)，有軌道和讀寫頭。未來，華為的磁電磁盤將大有可為。

審核編輯：劉清