最新公告顯示，華潤微電子（重慶）公司研發(fā)出一種新型GaN基HEMT器件及其制造工藝，已于2024年4月5日申請專利并得到公開查詢（CN117832254A）。

此項發(fā)明主要涉及在襯底上構建外延疊層，并在此基礎上制備柵極、漏極和源極；同時，在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層，并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。此外，還會在第二金屬互連層上覆蓋鈍化保護層，并以此作為源極與襯底共用焊盤、漏極焊盤以及柵極焊盤的基礎。

相較于傳統(tǒng)技術，本發(fā)明的優(yōu)勢在于，它能在芯片內部建立互連結構，從而實現(xiàn)襯底與器件源極的直接連接，無需額外設立襯底焊盤進行接地，這大大提高了源極焊盤和漏極焊盤在芯片面積中的比例，從而增強了電流導通能力，降低了寄生參數(shù)，使電流分布更加均勻，有助于改善器件的散熱效果，進而提高其穩(wěn)定性。