91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

制造商大力加大對碳化硅的投資

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2024-04-15 16:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯


近日,Wolfspeed 宣布其最大、最先進的 John Palmour 碳化硅制造中心完工。

據(jù)介紹,“約翰·帕爾莫碳化硅制造中心“(John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center)總投資50億美元,占地445畝。一期工程預(yù)計于2024年底完工。Wolfspeed 首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 表示,該工廠已開始安裝鑄錠設(shè)備,預(yù)計生產(chǎn)將于 2024 年 12 月或 2025 年 1 月開始。

該工廠將主要生產(chǎn)200mm(8英寸)碳化硅晶圓,其尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍。這將滿足對能源轉(zhuǎn)型和人工智能至關(guān)重要的下一代半導(dǎo)體的需求。

據(jù)悉,"John Palmour 碳化硅制造中心 "的擴建將為瑞薩英飛凌等客戶提供支持。目前,Wolfspeed 在北卡羅來納州達勒姆的總部生產(chǎn)全球 60% 以上的碳化硅晶片。值得一提的是,Wolfspeed 正在實施一項總投資達 65 億美元的產(chǎn)能擴張計劃。

近年來,在新能源汽車、5G、太陽能、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展的帶動下,碳化硅的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。根據(jù) TrendForce 此前的數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2023 年碳化硅功率器件整體市場規(guī)模達到 22.8 億美元,同比增長 41.4%,預(yù)計到 2026 年將達到 53.3 億美元。

在全球范圍內(nèi),三菱電機計劃于今年 4 月在日本新建一座 8 英寸SiC工廠,并計劃于 2026 年投產(chǎn)。歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應(yīng)商 Mersen 正在利用法國政府的投資擴大其碳化硅襯底的產(chǎn)能。

在中國,SICC 宣布斥資 5 億元人民幣投資 "碳化硅半導(dǎo)體材料項目"。TANKEBLUE 公司碳化硅項目二期主體完工;Ascen Power 公司加快了碳化硅硅片生產(chǎn)項目一期的生產(chǎn)。

另一方面,三安與理想汽車合資已啟動車規(guī)級碳化硅硅片及組件項目試產(chǎn),總投資10億;在中國浙江麗水簽署大型碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目。南通半導(dǎo)體設(shè)備SiC元器件項目二期開工。TonyTech計劃擴建6英寸碳化硅襯底材料項目,年產(chǎn)能為20萬片。

自 2024 年以來,企業(yè)之間的合作案例頻頻出現(xiàn)。例如,英飛凌與SK siltron簽訂了碳化硅晶圓的長期合同,Innosilicon和意法半導(dǎo)體在中國深圳簽署了碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議,與芯聯(lián)集成電路和理想汽車也簽署了碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52369
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

    碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項重大行業(yè)里程碑:成功制造出單晶 300 mm(12英寸)碳化硅晶圓。憑借著業(yè)內(nèi)最為龐大
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:21 ?1967次閱讀

    簡單認識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?802次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1779次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?843次閱讀

    碳化硅在電機驅(qū)動中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7141次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅(qū)動中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1660次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 08-23 16:22 ?1417次閱讀
    探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
    的頭像 發(fā)表于 08-20 12:01 ?726次閱讀
    【新啟航】探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準(zhǔn)確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造
    的頭像 發(fā)表于 08-08 11:38 ?962次閱讀
    【新啟航】如何解決<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1194次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計與市場開拓 ,但很快意識到IDM(集成設(shè)計制造)模式
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1179次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1068次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1267次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?1006次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?